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Les fiches techniques ont trouvé :: 1013

Nr.	Nom de partie	Description	Fabricant
351	2N687	25A redresseur commandé au silicium. Vrsom 400V.	General Electric Solid State
352	2N688	25A redresseur commandé au silicium. Vrsom 500V.	General Electric Solid State
353	2N689	25A redresseur commandé au silicium. Vrsom 600V.	General Electric Solid State
354	2N690	25A redresseur commandé au silicium. Vrsom 720V.	General Electric Solid State
355	2N691	25A redresseur commandé au silicium. Vrsom 840 V.	General Electric Solid State
356	2N692	25A redresseur commandé au silicium. Vrsom 960V.	General Electric Solid State
357	2N697	Silicium NPN de transistor planaire.	General Electric Solid State
358	3N128	Transistor de MOS De Silicium	General Electric Solid State
359	3N142	TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ISOLÉ PAR SILICIUM DE PORTE	General Electric Solid State
360	3N142	TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ISOLÉ PAR SILICIUM DE PORTE	General Electric Solid State
361	3N143	Transistor de MOS De Silicium	General Electric Solid State
362	3N143	Transistor de MOS De Silicium	General Electric Solid State
363	3N152	Transistor MOS silicium.	General Electric Solid State
364	3N153	TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ISOLÉ PAR SILICIUM DE PORTE	General Electric Solid State
365	3N153	TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ISOLÉ PAR SILICIUM DE PORTE	General Electric Solid State
366	3N154	TRANSISTOR DE MOS DE SILICIUM	General Electric Solid State
367	3N154	TRANSISTOR DE MOS DE SILICIUM	General Electric Solid State
368	3N187	Double transistor à effet de champ à grille isolée silicium.	General Electric Solid State
369	3N200	Double transistor à effet de champ à grille isolée silicium.	General Electric Solid State
370	3N204	Double transistor à effet de champ à grille isolée silicium.	General Electric Solid State
371	3N205	Double transistor à effet de champ à grille isolée silicium.	General Electric Solid State
372	3N206	Double transistor à effet de champ à grille isolée silicium.	General Electric Solid State
373	40346	Moyenne puissance silicium de transistor planaire NPN.	General Electric Solid State
374	40347	Transistor NPN silicium. 60V 8.75W.	General Electric Solid State
375	40348	Transistor NPN silicium. 90V, 8.75W.	General Electric Solid State
376	40406	Silicium PNP de transistor de puissance. -50V.	General Electric Solid State
377	40407	Silicium NPN de transistor de puissance. 50V.	General Electric Solid State

378	40408	Silicium NPN de transistor de puissance. 90V.	General Electric Solid State
379	40411	Silicium NPN de transistor de puissance. 90V (EBR 100 Ohm).	General Electric Solid State
380	40412	Moyenne puissance silicium de transistor planaire NPN.	General Electric Solid State
381	BD142	Silicon NPN transistor de puissance élevée. 50V, 117W.	General Electric Solid State
382	BD181	Silicon NPN transistor de puissance élevée. 55V, 117W.	General Electric Solid State
383	BD182	Silicon NPN transistor de puissance élevée. 70V, 117W.	General Electric Solid State
384	BD183	Silicon NPN transistor de puissance élevée. 85V, 117W.	General Electric Solid State
385	BD201	Silicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. 60V 60W.	General Electric Solid State
386	BD202	Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. -60V 60W.	General Electric Solid State
387	BD203	Silicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. 80V, 60W.	General Electric Solid State
388	BD204	Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. -80V 60W.	General Electric Solid State
389	BD239	Transistor de puissance d'électrons Pro	General Electric Solid State
390	BD239A	Transistor de puissance d'électrons Pro	General Electric Solid State
391	BD239B	Transistor de puissance d'électrons Pro	General Electric Solid State
392	BD239C	Transistor de puissance d'électrons Pro	General Electric Solid State
393	BD240	Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -55V, 30W.	General Electric Solid State
394	BD240A	Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -70V, 30W.	General Electric Solid State
395	BD240B	Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -90V, 30W.	General Electric Solid State
396	BD240C	Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -115V, 30W.	General Electric Solid State
397	BD241	Silicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. VceR 55V, 40W.	General Electric Solid State
398	BD241A	Silicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. VceR 70V, 40W.	General Electric Solid State
399	BD241B	Silicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. VceR 90V, 40W.	General Electric Solid State
400	BD241C	Silicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. VceR 115V, 40W.	General Electric Solid State

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