| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 7701 | HZM7.5N | Diode Zener planaire épitaxiale de silicium pour le stabilisateur | Hitachi Semiconductor |
| 7702 | HZM8.2N | Diode Zener planaire épitaxiale de silicium pour le stabilisateur | Hitachi Semiconductor |
| 7703 | HZM9.1N | Diode Zener planaire épitaxiale de silicium pour le stabilisateur | Hitachi Semiconductor |
| 7704 | HZN6.8ZMFA | Diodes D'Absorption De Montée subite | Hitachi Semiconductor |
| 7705 | HZS | Diode Zener planaire épitaxiale de silicium pour l'alimentation d'énergie stabilisée | Hitachi Semiconductor |
| 7706 | HZU-G SERIES | Diodes D'Absorption De Montée subite | Hitachi Semiconductor |
| 7707 | HZU10G | Diodes D'Absorption De Montée subite | Hitachi Semiconductor |
| 7708 | HZU12G | Diodes D'Absorption De Montée subite | Hitachi Semiconductor |
| 7709 | HZU5.1G | Diodes D'Absorption De Montée subite | Hitachi Semiconductor |
| 7710 | HZU5.6G | Diodes D'Absorption De Montée subite | Hitachi Semiconductor |
| 7711 | HZU5.6Z | Diodes D'Absorption De Montée subite | Hitachi Semiconductor |
| 7712 | HZU6.2G | Diodes D'Absorption De Montée subite | Hitachi Semiconductor |
| 7713 | HZU6.2L | La diode Zener planaire épitaxiale de silicium pour la montée subite absorbent | Hitachi Semiconductor |
| 7714 | HZU6.2Z | Diodes D'Absorption De Montée subite | Hitachi Semiconductor |
| 7715 | HZU6.8G | Diodes D'Absorption De Montée subite | Hitachi Semiconductor |
| 7716 | HZU6.8L | La diode Zener planaire épitaxiale de silicium pour la montée subite absorbent | Hitachi Semiconductor |
| 7717 | HZU6.8Z | Diodes D'Absorption De Montée subite | Hitachi Semiconductor |
| 7718 | HZU7.5G | Diodes D'Absorption De Montée subite | Hitachi Semiconductor |
| 7719 | HZU8.2G | Diodes D'Absorption De Montée subite | Hitachi Semiconductor |
| 7720 | HZU9.1G | Diodes D'Absorption De Montée subite | Hitachi Semiconductor |
| 7721 | J204077_HA1630S01 | J204077_ha1630s01 | Hitachi Semiconductor |
| 7722 | J205001_HD29026A | Conducteurs Duels de CCD | Hitachi Semiconductor |
| 7723 | J205027_HD29051 | Conducteurs de ligne/récepteurs différentiels duels avec les sorties 3-state | Hitachi Semiconductor |
| 7724 | J205249_HD74LV1G00A | Porte de Non-et De ìnput | Hitachi Semiconductor |
| 7725 | J205293_HD74HC1G14 | Inverseur avec l'entrée de Schmitttrigger | Hitachi Semiconductor |
| 7726 | J205557_HD74ALVC1G07 | Amortisseur/conducteur simples avec le drain ouvert | Hitachi Semiconductor |
| 7727 | J2081535_H5N2509P | COMMUTATION De Transistor MOSFET De la MANCHE Du SILICIUM N | Hitachi Semiconductor |
| 7728 | LM032L | module LCD 20 caractères x 2 lignes | Hitachi Semiconductor |
| 7729 | LM032XMBL | module LCD 20 caractères x 2 lignes | Hitachi Semiconductor |
| 7730 | LM64P832 | SPÉCIFICATIONS D'INTERFACE | Hitachi Semiconductor |
| 7731 | LM64P832 | SPÉCIFICATIONS D'INTERFACE | Hitachi Semiconductor |
| 7732 | LM64P839 | SPÉCIFICATIONS D'INTERFACE | Hitachi Semiconductor |
| 7733 | LM64P839 | SPÉCIFICATIONS D'INTERFACE | Hitachi Semiconductor |
| 7734 | LMG5278XUFC-00T | SPÉCIFICATIONS D'INTERFACE | Hitachi Semiconductor |
| 7735 | LMG5278XUFC-00T | SPÉCIFICATIONS D'INTERFACE | Hitachi Semiconductor |
| 7736 | LV74 | Les bascules électroniques duelles de D-type avec prérèglent et se dégagent | Hitachi Semiconductor |
| 7737 | LV86 | Quadruple. 2-input Exclusif-Ou Portes | Hitachi Semiconductor |
| 7738 | M51132FP | 550mW; V (cc): 15.5V; 40mA; Balance électronique 2 canaux. Pour l'équipement audio-visuel | Hitachi Semiconductor |
| 7739 | M51132L | 800mW; V (cc): 15.5V; 40mA; Balance électronique 2 canaux. Pour l'équipement audio-visuel | Hitachi Semiconductor |
| 7740 | M51326P | V (cc): 14V; V (en): 6V; 1,25 W; commutateur analogique. Pour les équipements de vidéo | Hitachi Semiconductor |
| 7741 | M51348AVP | 7.5V; 360 MW; VIF / SIF pour basse tension d'alimentation. Pour portable B / W, TV couleur | Hitachi Semiconductor |
| 7742 | M52957AFP | Distancez le traitement des signaux de détection pour la tension de l'alimentation 3V | Hitachi Semiconductor |
| 7743 | M5M5J167KT | RAM DE CHARGE STATIQUE DE CMOS | Hitachi Semiconductor |
| 7744 | M61006FP | TRAITEMENT DES SIGNAUX De DÉTECTION De DISTANCE POUR La TENSION D'cAlimentation De 3 V | Hitachi Semiconductor |
| 7745 | M61111FP | Lovez-moins VIF/sif | Hitachi Semiconductor |
| 7746 | M61538FP | Volume 6-Channel Électronique | Hitachi Semiconductor |
| 7747 | M61540FP | volume 6ch électronique avec le sélecteur entré par 5 | Hitachi Semiconductor |
| 7748 | MBB100A6 | CHAÎNE DE MODULE D'IGBT AVEC (SFD) LES DIODES INDÉPENDANTES MOLLESET RAPIDES | Hitachi Semiconductor |
| 7749 | MBB50A6 | CHAÎNE DE MODULE D'IGBT AVEC (SFD) LES DIODES INDÉPENDANTES MOLLESET RAPIDES | Hitachi Semiconductor |
| 7750 | MBB50F12 | CHAÎNE DE MODULE D'IGBT AVEC (SFD) LES DIODES INDÉPENDANTES MOLLESET RAPIDES | Hitachi Semiconductor |
| 7751 | MBB75A6 | CHAÎNE DE MODULE D'IGBT AVEC (SFD) LES DIODES INDÉPENDANTES MOLLESET RAPIDES | Hitachi Semiconductor |
| 7752 | MBM100A6 | CHAÎNE DE MODULE D'IGBT AVEC (SFD) LES DIODES INDÉPENDANTES MOLLESET RAPIDES | Hitachi Semiconductor |
| 7753 | MBM100F12 | CHAÎNE DE MODULE D'IGBT AVEC (SFD) LES DIODES INDÉPENDANTES MOLLESET RAPIDES | Hitachi Semiconductor |
| 7754 | MBM150A6 | CHAÎNE DE MODULE D'IGBT AVEC (SFD) LES DIODES INDÉPENDANTES MOLLESET RAPIDES | Hitachi Semiconductor |
| 7755 | MBM150F12 | CHAÎNE DE MODULE D'IGBT AVEC (SFD) LES DIODES INDÉPENDANTES MOLLESET RAPIDES | Hitachi Semiconductor |
| 7756 | MBM200A6 | CHAÎNE DE MODULE D'IGBT AVEC (SFD) LES DIODES INDÉPENDANTES MOLLESET RAPIDES | Hitachi Semiconductor |
| 7757 | MBM300A6 | CHAÎNE DE MODULE D'IGBT AVEC (SFD) LES DIODES INDÉPENDANTES MOLLESET RAPIDES | Hitachi Semiconductor |
| 7758 | MBM50A6 | CHAÎNE DE MODULE D'IGBT AVEC (SFD) LES DIODES INDÉPENDANTES MOLLESET RAPIDES | Hitachi Semiconductor |
| 7759 | MBM50F12 | CHAÎNE DE MODULE D'IGBT AVEC (SFD) LES DIODES INDÉPENDANTES MOLLESET RAPIDES | Hitachi Semiconductor |
| 7760 | MBM75A6 | CHAÎNE DE MODULE D'IGBT AVEC (SFD) LES DIODES INDÉPENDANTES MOLLESET RAPIDES | Hitachi Semiconductor |
| 7761 | MBM75F12 | CHAÎNE DE MODULE D'IGBT AVEC (SFD) LES DIODES INDÉPENDANTES MOLLESET RAPIDES | Hitachi Semiconductor |
| 7762 | MBN200A6 | CHAÎNE DE MODULE D'IGBT AVEC (SFD) LES DIODES INDÉPENDANTES MOLLESET RAPIDES | Hitachi Semiconductor |
| 7763 | MBN200F12 | CHAÎNE DE MODULE D'IGBT AVEC (SFD) LES DIODES INDÉPENDANTES MOLLESET RAPIDES | Hitachi Semiconductor |
| 7764 | MBN300F12 | CHAÎNE DE MODULE D'IGBT AVEC (SFD) LES DIODES INDÉPENDANTES MOLLESET RAPIDES | Hitachi Semiconductor |
| 7765 | MBN400A6 | CHAÎNE DE MODULE D'IGBT AVEC (SFD) LES DIODES INDÉPENDANTES MOLLESET RAPIDES | Hitachi Semiconductor |
| 7766 | MEJ02C2016_M5M5J167KT | RAM DE CHARGE STATIQUE DE CMOS | Hitachi Semiconductor |
| 7767 | NAV-DS4 | Graphics/Speech SH Traitant Le Système Nav-ds4, Note De Démonstration D'Application | Hitachi Semiconductor |
| 7768 | ON4959 | Circuit de puissance avec ON4959 | Hitachi Semiconductor |
| 7769 | PF00105A | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le téléphone maniable d'ampères | Hitachi Semiconductor |
| 7770 | PF0030 | Amplificateur De Puissance de FET de MOS | Hitachi Semiconductor |
| 7771 | PF0031 | V (dd): 17V; I (jj): 3A; 20mW; MOSFET module d'amplificateur de puissance pour téléphone mobile | Hitachi Semiconductor |
| 7772 | PF0032 | Amplificateur De Puissance de FET de MOS | Hitachi Semiconductor |
| 7773 | PF0121 | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le mobilophone de GM/M | Hitachi Semiconductor |
| 7774 | PF0140 | MODULE D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE DE TRANSISTOR MOSFETPOUR LE TÉLÉPHONE MANIABLE DE GM/M | Hitachi Semiconductor |
| 7775 | PF01410 | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le téléphone maniable de GM/M | Hitachi Semiconductor |
| 7776 | PF01410A | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le téléphone maniable de GM/M | Hitachi Semiconductor |
| 7777 | PF01411 | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le téléphone E-GM/M maniable | Hitachi Semiconductor |
| 7778 | PF01411A | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le téléphone E-GM/M maniable | Hitachi Semiconductor |
| 7779 | PF01411B | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le téléphone E-GM/M maniable | Hitachi Semiconductor |
| 7780 | PF01412 | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le téléphone E-GM/M maniable | Hitachi Semiconductor |
| 7781 | PF01412A | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le téléphone E-GM/M maniable | Hitachi Semiconductor |
| 7782 | PF0210 | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le mobilophone de CDA | Hitachi Semiconductor |
| 7783 | PF0310A | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour la bande de VHF | Hitachi Semiconductor |
| 7784 | PF0311 | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour la bande de VHF | Hitachi Semiconductor |
| 7785 | PF0313 | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour la bande de VHF | Hitachi Semiconductor |
| 7786 | PF0314 | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour la bande de VHF | Hitachi Semiconductor |
| 7787 | PF0340A | Module D'Amplificateur De Puissance de FET de MOS | Hitachi Semiconductor |
| 7788 | PF0414 | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le téléphone maniable de DCS 1800 | Hitachi Semiconductor |
| 7789 | PF0414A | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le téléphone maniable de DCS 1800 | Hitachi Semiconductor |
| 7790 | PF0414B | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le téléphone maniable de DCS 1800 | Hitachi Semiconductor |
| 7791 | PF0415 | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le téléphone maniable des PCS 1900 | Hitachi Semiconductor |
| 7792 | PF0415A | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le téléphone maniable des PCS 1900 | Hitachi Semiconductor |
| 7793 | PF08103A | Le module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour E-gsm900 et DCS1800 conjuguent téléphone maniable de bande | Hitachi Semiconductor |
| 7794 | PF08103B | Le module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour E-gsm900 et DCS1800 conjuguent téléphone maniable de bande | Hitachi Semiconductor |
| 7795 | PF1010A | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le LAN de P/C | Hitachi Semiconductor |
| 7796 | PM45502C | V (DSS): 450V; 300W; Silicon Power à canal N Module MOS FET. Pour la commutation de puissance à grande vitesse | Hitachi Semiconductor |
| 7797 | PM50502C | Commutation À grande vitesse De Puissance | Hitachi Semiconductor |
| 7798 | R1LP0408C | Version Large 4 M SRAM (512-kilomots De Température ambiante De 8 bits) | Hitachi Semiconductor |
| 7799 | R1LP0408CSB-5SI | Version Large 4 M SRAM (512-kilomots De Température ambiante De 8 bits) | Hitachi Semiconductor |
| 7800 | R1LP0408CSB-7LI | Version Large 4 M SRAM (512-kilomots De Température ambiante De 8 bits) | Hitachi Semiconductor |
| | | |
