| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1101 | HY29LV160BT-12 | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1102 | HY29LV160BT-12I | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1103 | HY29LV160BT-70 | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1104 | HY29LV160BT-70I | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1105 | HY29LV160BT-80 | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1106 | HY29LV160BT-80I | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1107 | HY29LV160BT-90 | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1108 | HY29LV160BT-90I | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1109 | HY29LV160TF-12 | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1110 | HY29LV160TF-12I | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1111 | HY29LV160TF-70 | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1112 | HY29LV160TF-70I | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1113 | HY29LV160TF-80 | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1114 | HY29LV160TF-80I | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1115 | HY29LV160TF-90 | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1116 | HY29LV160TF-90I | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1117 | HY29LV160TT-12 | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1118 | HY29LV160TT-12I | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1119 | HY29LV160TT-70 | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1120 | HY29LV160TT-70I | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1121 | HY29LV160TT-80 | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1122 | HY29LV160TT-80I | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1123 | HY29LV160TT-90 | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1124 | HY29LV160TT-90I | mémoire d'instantané de basse tension de 16 Mbit (2M x 8/1M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1125 | HY29LV320 | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1126 | HY29LV320B | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1127 | HY29LV320BF-12 | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1128 | HY29LV320BF-12I | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1129 | HY29LV320BF-70 | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1130 | HY29LV320BF-70I | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1131 | HY29LV320BF-80 | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1132 | HY29LV320BF-80I | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1133 | HY29LV320BF-90 | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1134 | HY29LV320BF-90I | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1135 | HY29LV320BT-12 | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1136 | HY29LV320BT-12I | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1137 | HY29LV320BT-70 | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1138 | HY29LV320BT-70I | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1139 | HY29LV320BT-80 | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1140 | HY29LV320BT-80I | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1141 | HY29LV320BT-90 | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1142 | HY29LV320BT-90I | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1143 | HY29LV320T | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1144 | HY29LV320TF-12 | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1145 | HY29LV320TF-12I | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1146 | HY29LV320TF-70 | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1147 | HY29LV320TF-70I | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1148 | HY29LV320TF-80 | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1149 | HY29LV320TF-80I | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1150 | HY29LV320TF-90 | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1151 | HY29LV320TF-90I | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1152 | HY29LV320TT-12 | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1153 | HY29LV320TT-12I | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1154 | HY29LV320TT-70 | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1155 | HY29LV320TT-70I | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1156 | HY29LV320TT-80 | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1157 | HY29LV320TT-80I | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1158 | HY29LV320TT-90 | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1159 | HY29LV320TT-90I | mémoire d'instantané de basse tension de 32 Mbit (2M x 16) | Hynix Semiconductor |
| 1160 | HY29LV800 | mémoire d'instantané de basse tension de 8 Mbit (1M X 8/512K X 16) | Hynix Semiconductor |
| 1161 | HY29LV800B-55 | mémoire d'instantané de basse tension de 8 Mbit (1M X 8/512K X 16) | Hynix Semiconductor |
| 1162 | HY29LV800B-55I | mémoire d'instantané de basse tension de 8 Mbit (1M X 8/512K X 16) | Hynix Semiconductor |
| 1163 | HY29LV800B-70 | mémoire d'instantané de basse tension de 8 Mbit (1M X 8/512K X 16) | Hynix Semiconductor |
| 1164 | HY29LV800B-70I | mémoire d'instantané de basse tension de 8 Mbit (1M X 8/512K X 16) | Hynix Semiconductor |
| 1165 | HY29LV800B-90 | mémoire d'instantané de basse tension de 8 Mbit (1M X 8/512K X 16) | Hynix Semiconductor |
| 1166 | HY29LV800B-90I | mémoire d'instantané de basse tension de 8 Mbit (1M X 8/512K X 16) | Hynix Semiconductor |
| 1167 | HY29LV800T-55 | mémoire d'instantané de basse tension de 8 Mbit (1M X 8/512K X 16) | Hynix Semiconductor |
| 1168 | HY29LV800T-55I | mémoire d'instantané de basse tension de 8 Mbit (1M X 8/512K X 16) | Hynix Semiconductor |
| 1169 | HY29LV800T-70 | mémoire d'instantané de basse tension de 8 Mbit (1M X 8/512K X 16) | Hynix Semiconductor |
| 1170 | HY29LV800T-70I | mémoire d'instantané de basse tension de 8 Mbit (1M X 8/512K X 16) | Hynix Semiconductor |
| 1171 | HY29LV800T-90 | mémoire d'instantané de basse tension de 8 Mbit (1M X 8/512K X 16) | Hynix Semiconductor |
| 1172 | HY29LV800T-90I | mémoire d'instantané de basse tension de 8 Mbit (1M X 8/512K X 16) | Hynix Semiconductor |
| 1173 | HY51V17403HGJ-5 | 4.194.304 mots x 4 bits EDO RAM, 3,3 V, 50ns | Hynix Semiconductor |
| 1174 | HY51V17403HGJ-6 | 4.194.304 mots x 4 bits EDO RAM, 3,3 V, 60ns | Hynix Semiconductor |
| 1175 | HY51V17403HGJ-7 | 4.194.304 mots x 4 bits EDO RAM, 3,3 V, 70ns | Hynix Semiconductor |
| 1176 | HY51V17403HGLJ-5 | 4.194.304 mots x 4 bits EDO RAM, 3,3 V, 50 ns, de faible puissance | Hynix Semiconductor |
| 1177 | HY51V17403HGLJ-6 | 4.194.304 mots x 4 bits EDO RAM, 3,3 V, 60ns, de faible puissance | Hynix Semiconductor |
| 1178 | HY51V17403HGLJ-7 | 4.194.304 mots x 4 bits EDO RAM, 3,3 V, 70 ns, de faible puissance | Hynix Semiconductor |
| 1179 | HY51V17403HGLT-5 | 4.194.304 mots x 4 bits EDO RAM, 3,3 V, 50 ns, de faible puissance | Hynix Semiconductor |
| 1180 | HY51V17403HGLT-6 | 4.194.304 mots x 4 bits EDO RAM, 3,3 V, 60ns, de faible puissance | Hynix Semiconductor |
| 1181 | HY51V17403HGLT-7 | 4.194.304 mots x 4 bits EDO RAM, 3,3 V, 70 ns, de faible puissance | Hynix Semiconductor |
| 1182 | HY51V17403HGT-5 | 4.194.304 mots x 4 bits EDO RAM, 3,3 V, 50ns | Hynix Semiconductor |
| 1183 | HY51V17403HGT-6 | 4.194.304 mots x 4 bits EDO RAM, 3,3 V, 60ns | Hynix Semiconductor |
| 1184 | HY51V17403HGT-7 | 4.194.304 mots x 4 bits EDO RAM, 3,3 V, 70ns | Hynix Semiconductor |
| 1185 | HY51V18163HGJ | DRACHME du 1M X 16Bit EDO | Hynix Semiconductor |
| 1186 | HY51V18163HGJ-5 | DRACHME du 1M X 16Bit EDO | Hynix Semiconductor |
| 1187 | HY51V18163HGJ-6 | DRACHME du 1M X 16Bit EDO | Hynix Semiconductor |
| 1188 | HY51V18163HGJ-7 | DRACHME du 1M X 16Bit EDO | Hynix Semiconductor |
| 1189 | HY51V18163HGLJ-5 | Dynamic RAM organisé 1.048.576 mots x 16 bits, 50 ns, de faible puissance | Hynix Semiconductor |
| 1190 | HY51V18163HGLJ-6 | Dynamic RAM organisé 1.048.576 mots x 16 bits, 60ns, de faible puissance | Hynix Semiconductor |
| 1191 | HY51V18163HGLJ-7 | Dynamic RAM organisé 1.048.576 mots x 16 bits, 70 ns, de faible puissance | Hynix Semiconductor |
| 1192 | HY51V18163HGLT-5 | Dynamic RAM organisé 1.048.576 mots x 16 bits, 50 ns, de faible puissance | Hynix Semiconductor |
| 1193 | HY51V18163HGLT-6 | Dynamic RAM organisé 1.048.576 mots x 16 bits, 60ns, de faible puissance | Hynix Semiconductor |
| 1194 | HY51V18163HGLT-7 | Dynamic RAM organisé 1.048.576 mots x 16 bits, 70 ns, de faible puissance | Hynix Semiconductor |
| 1195 | HY51V18163HGT | DRACHME du 1M X 16Bit EDO | Hynix Semiconductor |
| 1196 | HY51V18163HGT-5 | DRACHME du 1M X 16Bit EDO | Hynix Semiconductor |
| 1197 | HY51V18163HGT-6 | DRACHME du 1M X 16Bit EDO | Hynix Semiconductor |
| 1198 | HY51V18163HGT-7 | DRACHME du 1M X 16Bit EDO | Hynix Semiconductor |
| 1199 | HY51V65163HG | DRACHME de 4M x 16Bit EDO | Hynix Semiconductor |
| 1200 | HY51V65163HGJ-45 | DRACHME de 4M x 16Bit EDO | Hynix Semiconductor |
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