| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1001 | BCX68-10 | Transistors Tout usage - SOT89; VCEO=20 V; hFE=85... 160 | Infineon |
| 1002 | BCX68-16 | Transistors Tout usage - SOT89; VCEO=20v; hFE=100... 250 | Infineon |
| 1003 | BCX68-25 | Transistors Tout usage - SOT89; VCEO=20v; hFE=160... 375 | Infineon |
| 1004 | BCX69 | Transistor d'Af De Silicium de PNP | Infineon |
| 1005 | BCX69-10 | Transistors Tout usage - SOT89; VCEO=20v; hFE=85..375 | Infineon |
| 1006 | BCX69-16 | Transistors Tout usage - SOT89; VCEO=20v; hFE=100..250 | Infineon |
| 1007 | BCX69-25 | Transistors Tout usage - SOT89; VCEO=20v; hFE=160..375 | Infineon |
| 1008 | BCX70 | Transistors d'Af De Silicium de NPN | Infineon |
| 1009 | BCX70G | Transistors Tout usage - SOT23; VCEO=45 V | Infineon |
| 1010 | BCX70H | Transistors Tout usage - SOT23; VCEO=45 V | Infineon |
| 1011 | BCX70J | Transistors Tout usage - SOT23; VCEO=45 V | Infineon |
| 1012 | BCX70K | Transistors Tout usage - SOT23; VCEO=45 V | Infineon |
| 1013 | BCX71 | Transistor d'Af De Silicium de PNP | Infineon |
| 1014 | BCX71G | Transistors Tout usage - SOT23; VCEO=45v | Infineon |
| 1015 | BCX71H | Transistors Tout usage - SOT23; VCEO=45v | Infineon |
| 1016 | BCX71J | Transistors Tout usage - SOT23; VCEO=45v | Infineon |
| 1017 | BCX71K | Transistors Tout usage - SOT23; VCEO=45v | Infineon |
| 1018 | BDP 955 E6327 | Transistors simples d'cAf pour l'usage universel | Infineon |
| 1019 | BDP947 | Transistors tout usage - transistor de puissance d'cAf de silicium de NPN pour des étapes de conducteur et de rendement d'cAf | Infineon |
| 1020 | BDP948 | Transistors tout usage - paquet SOT223 | Infineon |
| 1021 | BDP949 | Transistors tout usage - transistor de puissance d'cAf de silicium de NPN pour des étapes de conducteur et de rendement d'cAf | Infineon |
| 1022 | BDP950 | Transistors tout usage - paquet SOT223 | Infineon |
| 1023 | BDP951 | Transistors tout usage - transistor de puissance d'cAf de silicium de NPN pour des étapes de conducteur et de rendement d'cAf | Infineon |
| 1024 | BDP952 | Transistors tout usage - paquet SOT223 | Infineon |
| 1025 | BDP953 | Transistors tout usage - transistor de puissance d'cAf de silicium de NPN pour des étapes de conducteur et de rendement d'cAf | Infineon |
| 1026 | BDP954 | Transistors tout usage - paquet SOT223 | Infineon |
| 1027 | BDP955 | Transistors tout usage - transistor de puissance d'cAf de silicium de NPN pour des étapes de conducteur et de rendement d'cAf | Infineon |
| 1028 | BDP956 | Transistors tout usage - paquet SOT223 | Infineon |
| 1029 | BF1005 | Rf-transistor MOSFET - intégré complètement polarisant le réseau, VDS=5v, gfs=24mS, Gp=19dB, F=1.4dB | Infineon |
| 1030 | BF1005R | Rf-transistor MOSFET - intégré complètement polarisant le réseau, VDS=5v, gfs=24mS, Gps=19dB, F=1.4dB | Infineon |
| 1031 | BF1005S | Rf-transistor MOSFET - intégré complètement polarisant le réseau, VDS=5v, gfs=30mS, Gp=20dB, F=1.4dB | Infineon |
| 1032 | BF1005SR | Rf-transistor MOSFET - intégré complètement polarisant le réseau, VDS=5v, gfs=24mS, Gp=19dB, F=1.4dB | Infineon |
| 1033 | BF1005SW | Tétrode de Transistor MOSFET De N-Canal De Silicium | Infineon |
| 1034 | BF1005W | Tétrode de Transistor MOSFET De N-Canal De Silicium | Infineon |
| 1035 | BF1009 | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium pour... | Infineon |
| 1036 | BF1009S | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium pour... | Infineon |
| 1037 | BF1009S | Rf-transistor MOSFET - intégré complètement polarisant le réseau, VDS=9v, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB; Datasheet sur demande | Infineon |
| 1038 | BF1009SR | Rf-transistor MOSFET - intégré complètement polarisant le réseau, VDS=9v, gfs=30mS, Gps=22dB, F=1.4dB; Datasheet sur demande | Infineon |
| 1039 | BF1012S | Tétrode de Transistor MOSFET De N-Canal De Silicium | Infineon |
| 1040 | BF2030 | Rf-transistor MOSFET - intégré semi polarisant le réseau, VDS=5v, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 1041 | BF2030R | Rf-transistor MOSFET - intégré semi polarisant le réseau, VDS=5v, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 1042 | BF2030W | Rf-transistor MOSFET - intégré semi polarisant le réseau, VDS=5v, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 1043 | BF2040 | Rf-transistor MOSFET - intégré semi polarisant le réseau, VDS=5v, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 1044 | BF2040R | Rf-transistor MOSFET - intégré semi polarisant le réseau, VDS=5v, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 1045 | BF2040W | Rf-transistor MOSFET - intégré semi polarisant le réseau, VDS=5v, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 1046 | BF254 | Transistors de Rf | Infineon |
| 1047 | BF414 | Transistor Du Silicium Rf de NPN | Infineon |
| 1048 | BF420 | Transistor de silicium de NPN avec haut Reve... | Infineon |
| 1049 | BF421 | Transistor de silicium de PNP avec haut Reve... | Infineon |
| 1050 | BF422 | Transistor de silicium de NPN avec haut Reve... | Infineon |
| 1051 | BF506 | Transistor Du Silicium Rf de PNP | Infineon |
| 1052 | BF517 | Rf-Bipolaire - pour des applications d'amplificateur et d'oscillateur dans des TV-tuners | Infineon |
| 1053 | BF543 | Rf-transistor MOSFET - VDS=15v, gfs=12mS, Gp=22dB, F=1dB | Infineon |
| 1054 | BF569 | Transistor du silicium rf de PNP | Infineon |
| 1055 | BF569W | Transistor du silicium rf de PNP | Infineon |
| 1056 | BF660 | Transistor du silicium rf de PNP | Infineon |
| 1057 | BF660W | Transistor du silicium rf de PNP | Infineon |
| 1058 | BF720 | Transistor De Haute tension De Silicium de NPN | Infineon |
| 1059 | BF721 | Transistor De Haute tension De Silicium de PNP | Infineon |
| 1060 | BF722 | Transistor De Haute tension De Silicium de NPN | Infineon |
| 1061 | BF723 | Transistor De Haute tension De Silicium de PNP | Infineon |
| 1062 | BF770A | Rf-Bipolaire - pour SI amplificateurs dans des tuners TV-reposés et pour des modulateurs de magnétoscope | Infineon |
| 1063 | BF771 | Rf-Bipolaire - pour des modulateurs et des amplificateurs dans des tuners de TV et de magnétoscope | Infineon |
| 1064 | BF771W | Rf-Bipolaire - pour des modulateurs et des amplificateurs dans des tuners de TV et de magnétoscope | Infineon |
| 1065 | BF772 | Rf-Bipolaire - pour l'application dans des tuners TV-reposés | Infineon |
| 1066 | BF775 | Rf-Bipolaire - particulièrement approprié aux tuners TV-Reposés et À FRÉQUENCE ULTRA-haute | Infineon |
| 1067 | BF775A | Transistor du silicium rf de NPN particulièrement... | Infineon |
| 1068 | BF775W | Transistor du silicium rf de NPN particulièrement... | Infineon |
| 1069 | BF799 | Transistor du silicium rf de NPN pour linéaire... | Infineon |
| 1070 | BF799 | Rf-Bipolaire - pour l'application à bande large linéaire d'amplificateur jusqu'à 500 mégahertz et en tant que SCIE filtrent le conducteur dans des tuners de TV | Infineon |
| 1071 | BF799W | Rf-Bipolaire - pour l'application à bande large linéaire d'amplificateur jusqu'à 500 mégahertz et en tant que SCIE filtrent le conducteur dans des tuners de TV | Infineon |
| 1072 | BF840 | Transistor du silicium rf de NPN pour le terrain communal... | Infineon |
| 1073 | BF841 | Transistor du silicium rf de NPN pour le terrain communal... | Infineon |
| 1074 | BF987 | Triode de Transistor MOSFET De N-Canal De Silicium | Infineon |
| 1075 | BF998 | Rf-transistor MOSFET - VDS=8v, gfs=24mS, Gps=28dB, F=1dB | Infineon |
| 1076 | BF998R | Rf-transistor MOSFET - VDS=8v, gfs=24mS, Gps=28dB, F=1dB | Infineon |
| 1077 | BF998W | Tétrode de Transistor MOSFET De N-Canal De Silicium | Infineon |
| 1078 | BF999 | Triode de Transistor MOSFET De N-Canal De Silicium | Infineon |
| 1079 | BF999 | Rf-transistor MOSFET - VDS=15v, gfs=16mS, Gp=25dB, F=1dB | Infineon |
| 1080 | BFG135A | Rf-Bipolaire - pour l'amplificateur à bande large de bas-déformation met en scène jusqu'à 2GHz, amplificateurs de puissance dans des systèmes de DECT et de PCN | Infineon |
| 1081 | BFG19 | Transistor Du Silicium Rf de NPN | Infineon |
| 1082 | BFG193 | Transistor du silicium rf de NPN pour le bas NOI... | Infineon |
| 1083 | BFG193 | Rf-Bipolaire - pour le bas bruit, les amplificateurs à gain élevé jusqu'à 2 gigahertz et les amplificateurs à bande large linéaires | Infineon |
| 1084 | BFG194 | Transistor du silicium rf de PNP pour de bas dis... | Infineon |
| 1085 | BFG196 | Rf-Bipolaire - pour le bas bruit, amplificateurs à bande large de basse déformation dans les systèmes sans fil jusqu'à 1,5 gigahertz | Infineon |
| 1086 | BFG19S | Rf-Bipolaire - pour le bas bruit, amplificateurs à bande large de basse déformation dans les systèmes sans fil jusqu'à 1,5 gigahertz | Infineon |
| 1087 | BFG235 | Rf-Bipolaire - pour les étapes à bande large d'amplificateur de rendement de bas-déformation dans les systèmes sans fil jusqu'à 2 gigahertz | Infineon |
| 1088 | BFN16 | Transistor à haute tension f de silicium de NPN... | Infineon |
| 1089 | BFN16 | Transistors À haute tension - Transistor De Haute tension de SOT89 NPN | Infineon |
| 1090 | BFN17 | Transistor à haute tension f de silicium de PNP... | Infineon |
| 1091 | BFN18 | Transistors À haute tension - Transistor De Haute tension de SOT89 NPN | Infineon |
| 1092 | BFN18 | Transistor à haute tension f de silicium de NPN... | Infineon |
| 1093 | BFN19 | Transistors À haute tension - Transistor De Haute tension de SOT89 PNP | Infineon |
| 1094 | BFN19 | Transistor à haute tension f de silicium de PNP... | Infineon |
| 1095 | BFN24 | Transistor à haute tension f de silicium de NPN... | Infineon |
| 1096 | BFN24 | Transistors À haute tension - Transistor De Haute tension de SOT23 NPN | Infineon |
| 1097 | BFN25 | Transistor à haute tension f de silicium de PNP... | Infineon |
| 1098 | BFN26 | Transistor à haute tension f de silicium de NPN... | Infineon |
| 1099 | BFN26 | Transistors À haute tension - Transistor De Haute tension de SOT23 NPN | Infineon |
| 1100 | BFN27 | Transistor à haute tension f de silicium de PNP... | Infineon |
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