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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
12SA1235ATransistor PNP 200mW SMD, note maximale: -50V VCEO, -200mA Ic, 150 à 500 hFE. Améliorer 2SA1235Isahaya Electronics Corporation
22SA1282POUR LA PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPEÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATIONIsahaya Electronics Corporation
32SA1282POUR LA PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPEÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATIONIsahaya Electronics Corporation
42SA1282APOUR LA PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPEÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATIONIsahaya Electronics Corporation
52SA1282APOUR LA PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPEÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATIONIsahaya Electronics Corporation
62SA1283SILICIUM PNP 2SA1283Isahaya Electronics Corporation
72SA1283SILICIUM PNP 2SA1283Isahaya Electronics Corporation
82SA1284900mW plomb transistor PNP cadre, note maximale: -100V VCEO, -500mA Ic, 55-300 hFE. 2SC3244 complémentaireIsahaya Electronics Corporation
92SA1285POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION DE PRE-DRIVEIsahaya Electronics Corporation
102SA1285POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION DE PRE-DRIVEIsahaya Electronics Corporation
112SA1285APOUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION DE PRE-DRIVEIsahaya Electronics Corporation
122SA1285APOUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION DE PRE-DRIVEIsahaya Electronics Corporation
132SA1286PETIT TYPE MOTEUR, TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATIOND'ENTRAÎNEMENT DE PLONGEURIsahaya Electronics Corporation
142SA1286PETIT TYPE MOTEUR, TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATIOND'ENTRAÎNEMENT DE PLONGEURIsahaya Electronics Corporation
152SA1287POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION D'ALIMENTATION D'ÉNERGIE D'ENTRAÎNEMENT DE RELAISIsahaya Electronics Corporation
162SA1287POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION D'ALIMENTATION D'ÉNERGIE D'ENTRAÎNEMENT DE RELAISIsahaya Electronics Corporation
172SA1363Transistor PNP 500mW SMD, note maximale: -16V VCEO, -2A Ic, 150 à 800 hFE. 2SC3443 complémentaireIsahaya Electronics Corporation
182SA1364TRANSISTOR DU SILICIUM PNPIsahaya Electronics Corporation
192SA1364TRANSISTOR DU SILICIUM PNPIsahaya Electronics Corporation
202SA1365POUR LE TYPE ÉPITAXIAL HAUT COURANT DU SILICIUM PNP D'APPLICATIOND'ENTRAÎNEMENTIsahaya Electronics Corporation
212SA1365POUR LE TYPE ÉPITAXIAL HAUT COURANT DU SILICIUM PNP D'APPLICATIOND'ENTRAÎNEMENTIsahaya Electronics Corporation
222SA1366Transistor PNP 150mW SMD, note maximale: -50V VCEO, -400mA Ic, 90-500 hFE. 2SC3441 complémentaireIsahaya Electronics Corporation
232SA13682SA1368Isahaya Electronics Corporation
242SA13682SA1368Isahaya Electronics Corporation
252SA1369POUR LE PETIT TYPE MOTEUR, TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNPD'APPLICATION D'ENTRAÎNEMENT DE PLONGEURIsahaya Electronics Corporation
262SA1369POUR LE PETIT TYPE MOTEUR, TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNPD'APPLICATION D'ENTRAÎNEMENT DE PLONGEURIsahaya Electronics Corporation



272SA1398900mW plomb transistor PNP cadre, note maximale: -20V VCEO, -700mA Ic, 150 à 800 hFE. 2SC3580 complémentaireIsahaya Electronics Corporation
282SA1399TRANSISTOR DU SILICIUM PNPIsahaya Electronics Corporation
292SA1399TRANSISTOR DU SILICIUM PNPIsahaya Electronics Corporation
302SA1530APOUR DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNPD'APPLICATIONIsahaya Electronics Corporation
312SA1530APOUR DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNPD'APPLICATIONIsahaya Electronics Corporation
322SA1602POUR DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNPD'APPLICATION (MINI TYPE SUPERBE)Isahaya Electronics Corporation
332SA1602POUR DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNPD'APPLICATION (MINI TYPE SUPERBE)Isahaya Electronics Corporation
342SA1928LE SILICIUM PNP CONJUGUENT TRANSISTORIsahaya Electronics Corporation
352SA1928LE SILICIUM PNP CONJUGUENT TRANSISTORIsahaya Electronics Corporation
362SA1944POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION D'ALIMENTATION D'ÉNERGIE D'ENTRAÎNEMENT DE RELAISIsahaya Electronics Corporation
372SA1944POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION D'ALIMENTATION D'ÉNERGIE D'ENTRAÎNEMENT DE RELAISIsahaya Electronics Corporation
382SA1945POUR LE TYPE ÉPITAXIAL COURANT ÉLEVÉ TOUT USAGE DU SILICIUM PNP D'APPLICATION D'ENTRAÎNEMENTIsahaya Electronics Corporation
392SA1945POUR LE TYPE ÉPITAXIAL COURANT ÉLEVÉ TOUT USAGE DU SILICIUM PNP D'APPLICATION D'ENTRAÎNEMENTIsahaya Electronics Corporation
402SA1946Transistor PNP 500mW SMD, note maximale: -20V VCEO, -700mA Ic, 150 à 800 hFE. 2SC5212 complémentaireIsahaya Electronics Corporation
412SA1947POUR LA PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPEÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATIONIsahaya Electronics Corporation
422SA1947POUR LA PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPEÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATIONIsahaya Electronics Corporation
432SA1948TRANSISTOR DE SMALL-SIGNALIsahaya Electronics Corporation
442SA1948TRANSISTOR DE SMALL-SIGNALIsahaya Electronics Corporation
452SA1989Pour De basse fréquence Amplifiez Le Type Épitaxial Uitra Nini Superbe Du Silicium PNP D'ApplicationIsahaya Electronics Corporation
462SA1989Pour De basse fréquence Amplifiez Le Type Épitaxial Uitra Nini Superbe Du Silicium PNP D'ApplicationIsahaya Electronics Corporation
472SA1993POUR DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION MICROIsahaya Electronics Corporation
482SA1993POUR DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION MICROIsahaya Electronics Corporation
492SA1995450mW plomb transistor PNP cadre, note maximale: -50V VCEO, -100mA Ic, 120-560 hFE.Isahaya Electronics Corporation
502SA1998600mW plomb transistor PNP cadre, note maximale: -20V VCEO, -2A Ic, 150 à 500 hFE.Isahaya Electronics Corporation

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