| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 1004201 | PMBD7000 | Doppio diodo di commutazione ad alta velocitŕ | NXP Semiconductors |
| 1004202 | PMBD7100 | Doppio diodo di alta velocitŕ | Philips |
| 1004203 | PMBD7100 | Doppio diodo ad alta velocitŕ | NXP Semiconductors |
| 1004204 | PMBD914 | Alto diodo di velocitŕ | Philips |
| 1004205 | PMBD914 | Diodo di commutazione ad alta velocitŕ singola | NXP Semiconductors |
| 1004206 | PMBF107 | transistore verticale D-MOS di modo di aumento della N-scanalatura | Philips |
| 1004207 | PMBF170 | transistore di field-effect di modo di aumento della N-scanalatura | Philips |
| 1004208 | PMBF4391 | FETs Della N-scanalatura | Philips |
| 1004209 | PMBF4391 | FET a canale N | NXP Semiconductors |
| 1004210 | PMBF4392 | FETs Della N-scanalatura | Philips |
| 1004211 | PMBF4392 | FET a canale N | NXP Semiconductors |
| 1004212 | PMBF4393 | FETs Della N-scanalatura | Philips |
| 1004213 | PMBF4393 | FET a canale N | NXP Semiconductors |
| 1004214 | PMBF4416 | transistore di field-effect della N-scanalatura | Philips |
| 1004215 | PMBF4416A | transistore di field-effect della N-scanalatura | Philips |
| 1004216 | PMBF5484 | transistori di field-effect della N-scanalatura | Philips |
| 1004217 | PMBF5485 | transistori di field-effect della N-scanalatura | Philips |
| 1004218 | PMBF5486 | transistori di field-effect della N-scanalatura | Philips |
| 1004219 | PMBFJ108 | fETs della giunzione della N-scanalatura | Philips |
| 1004220 | PMBFJ108 | FET a canale N | NXP Semiconductors |
| 1004221 | PMBFJ109 | fETs della giunzione della N-scanalatura | Philips |
| 1004222 | PMBFJ109 | FET a canale N | NXP Semiconductors |
| 1004223 | PMBFJ110 | fETs della giunzione della N-scanalatura | Philips |
| 1004224 | PMBFJ110 | FET a canale N | NXP Semiconductors |
| 1004225 | PMBFJ111 | fETs della giunzione della N-scanalatura | Philips |
| 1004226 | PMBFJ111 | FET a canale N | NXP Semiconductors |
| 1004227 | PMBFJ112 | fETs della giunzione della N-scanalatura | Philips |
| 1004228 | PMBFJ112 | FET a canale N | NXP Semiconductors |
| 1004229 | PMBFJ113 | fETs della giunzione della N-scanalatura | Philips |
| 1004230 | PMBFJ113 | FET a canale N | NXP Semiconductors |
| 1004231 | PMBFJ174 | transistori di field-effect del silicone della P-scanalatura | Philips |
| 1004232 | PMBFJ174 | FET a canale P | NXP Semiconductors |
| 1004233 | PMBFJ175 | transistori di field-effect del silicone della P-scanalatura | Philips |
| 1004234 | PMBFJ175 | FET a canale P | NXP Semiconductors |
| 1004235 | PMBFJ176 | transistori di field-effect del silicone della P-scanalatura | Philips |
| 1004236 | PMBFJ176 | FET a canale P | NXP Semiconductors |
| 1004237 | PMBFJ177 | transistori di field-effect del silicone della P-scanalatura | Philips |
| 1004238 | PMBFJ177 | FET a canale P | NXP Semiconductors |
| 1004239 | PMBFJ210 | transistori di field-effect della N-scanalatura | Philips |
| 1004240 | PMBFJ211 | transistori di field-effect della N-scanalatura | Philips |
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