No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
1004721 | PMEM4020PD | Modulo di PNP transistor/Schottky-diode | Philips |
1004722 | PMEM4020PD | PMEM4020PD; Modulo di PNP transistor/Schottky-diode | Philips |
1004723 | PMEM4030NS | Modulo di raddrizzatore di NPN transistor/Schottky | Philips |
1004724 | PMEM4030PS | Modulo di raddrizzatore di PNP transistor/Schottky | Philips |
1004725 | PMF170XP | 20 V, 1 A Trench MOSFET a canale P | NXP Semiconductors |
1004726 | PMF250XN | 30 V, 0,9 A Trench MOSFET a canale N | NXP Semiconductors |
1004727 | PMF280UN | FET del livello ultra basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
1004728 | PMF280UN | FET del livello ultra basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
1004729 | PMF280UN | PMF280UN; FET del livello ultra basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
1004730 | PMF280UN | TrenchMOS N-channel ultra basso livello FET | NXP Semiconductors |
1004731 | PMF290XN | FET del livello estremamente basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
1004732 | PMF290XN | FET del livello estremamente basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
1004733 | PMF290XN | PMF290XN; FET del livello estremamente basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
1004734 | PMF290XN | TrenchMOS N-channel livello estremamente basso FET | NXP Semiconductors |
1004735 | PMF370XN | FET del livello estremamente basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
1004736 | PMF370XN | FET del livello estremamente basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
1004737 | PMF370XN | PMF370XN; FET del livello estremamente basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
1004738 | PMF370XN | TrenchMOS N-channel livello estremamente basso FET | NXP Semiconductors |
1004739 | PMF3800SN | FET standard del livello di TrenchMOS(tm) della N-scanalatura | Philips |
1004740 | PMF3800SN | FET standard del livello di TrenchMOS(tm) della N-scanalatura | Philips |
1004741 | PMF3800SN | PMF3800SN; FET standard del livello di TrenchMOS(tm) della N-scanalatura | Philips |
1004742 | PMF400UN | FET del livello ultra basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
1004743 | PMF400UN | FET del livello ultra basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
1004744 | PMF400UN | PMF400UN; FET del livello ultra basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
1004745 | PMF400UN | TrenchMOS N-channel ultra basso livello FET | NXP Semiconductors |
1004746 | PMF77XN | 30 V, MOSFET singolo Trench a canale N | NXP Semiconductors |
1004747 | PMF780SN | FET standard del livello di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
1004748 | PMF780SN | FET standard del livello di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
1004749 | PMF780SN | PMF780SN; FET standard del livello di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
1004750 | PMF780SN | TrenchMOS N-channel FET livello standard | NXP Semiconductors |
1004751 | PMF87EN | 30 V, MOSFET singolo Trench a canale N | NXP Semiconductors |
1004752 | PMFPB6532UP | 20 V, 3,5 A combinazione / 320 mV VF P-MOSFET a canale-Schottky | NXP Semiconductors |
1004753 | PMFPB6545UP | 20 V, 3,5 A combinazione / 440 mV VF P-MOSFET a canale-Schottky | NXP Semiconductors |
1004754 | PMFPB8032XP | 20 V, 3,7 A combinazione / 320 mV VF P-MOSFET a canale-Schottky | NXP Semiconductors |
1004755 | PMFPB8040XP | 20 V, 3,7 A combinazione / 440 mV VF P-MOSFET a canale-Schottky | NXP Semiconductors |
1004756 | PMG370XN | FET del livello estremamente basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
1004757 | PMG370XN | FET del livello estremamente basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
1004758 | PMG370XN | PMG370XN; FET del livello estremamente basso di uTrenchmos della N-scanalatura (tm) | Philips |
1004759 | PMG370XN | TrenchMOS N-channel livello estremamente basso FET | NXP Semiconductors |
1004760 | PMG45UN | 20 V, MOSFET singolo Trench a canale N | NXP Semiconductors |
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