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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
1021401PSMN063-150transistore di field-effect di modo di aumento della N-scanalaturaPhilips
1021402PSMN063-150Dtransistore di field-effect di modo di aumento della N-scanalaturaPhilips
1021403PSMN063-150DN-channel TrenchMOS SiliconMAX livello standard FETNXP Semiconductors
1021404PSMN069-100YSLFPAK N-channel 100 V 72,4 mW MOSFET di livello standardNXP Semiconductors
1021405PSMN070-200Btransistore di TrenchMOS(tm) della N-scanalaturaPhilips
1021406PSMN070-200BN-channel TrenchMOS SiliconMAX livello standard FETNXP Semiconductors
1021407PSMN070-200Ptransistore di TrenchMOS(tm) della N-scanalaturaPhilips
1021408PSMN070-200PN-channel TrenchMOS SiliconMAX livello standard FETNXP Semiconductors
1021409PSMN075-100MSEN-channel a 100 V 71 mW MOSFET livello standard in LFPAK33 progettato specificamente per applicazioni PoENXP Semiconductors
1021410PSMN085-150Ktransistore di field-effect di modo di aumento della N-scanalaturaPhilips
1021411PSMN085-150KN-channel TrenchMOS SiliconMAX livello standard FETNXP Semiconductors
1021412PSMN0R9-25YLCN-channel 25 V livello logico 0,99 mW MOSFET in LFPAK utilizzando la tecnologia NextPowerNXP Semiconductors
1021413PSMN0R9-30YLDN-canale 30 V, 0.87 mW livello logico MOSFET in LFPAK56 utilizzando NextPowerS3 TecnologiaNXP Semiconductors
1021414PSMN102-200YN-channel TrenchMOS SiliconMAX livello standard FETNXP Semiconductors
1021415PSMN130-200Dtransistore di TrenchMOS(tm) della N-scanalaturaPhilips
1021416PSMN130-200DN-channel TrenchMOS SiliconMAX livello standard FETNXP Semiconductors
1021417PSMN155-200K200 V, N-channel modalitŕ di miglioramento del transistore ad effetto di campoPhilips
1021418PSMN165-200Ktransistore di field-effect di modo di aumento della N-scanalaturaPhilips
1021419PSMN165-200KN-channel TrenchMOS SiliconMAX livello standard FETNXP Semiconductors



1021420PSMN1R0-30YLCN-canale 30 V livello logico 1,15 mW MOSFET in LFPAK utilizzando la tecnologia NextPowerNXP Semiconductors
1021421PSMN1R0-30YLDN-canale 30 V, 1,0 mW livello logico MOSFET in LFPAK56 utilizzando NextPowerS3 TecnologiaNXP Semiconductors
1021422PSMN1R1-25YLCN-channel 25 V livello logico 1,15 mW MOSFET in LFPAK utilizzando la tecnologia NextPowerNXP Semiconductors
1021423PSMN1R1-30ELN-canale 30 V livello logico 1.3 mW MOSFET in I2PAKNXP Semiconductors
1021424PSMN1R1-30PLN-canale 30 V livello logico 1.3 mW MOSFET in TO-220NXP Semiconductors
1021425PSMN1R1-40BSN-channel 40 V 1,3 mW MOSFET livello standard in D2PAKNXP Semiconductors
1021426PSMN1R2-25YLN-channel 25 V 1.2 Livello logico mW MOSFET in LFPAKNXP Semiconductors
1021427PSMN1R2-25YLCN-channel 25 V livello logico 1.3 mW MOSFET in LFPAK utilizzando la tecnologia NextPowerNXP Semiconductors
1021428PSMN1R2-30YLCN-canale 30 V 1.25mO livello logico MOSFET in LFPAK utilizzando la tecnologia NextPowerNXP Semiconductors
1021429PSMN1R2-30YLDN-canale 30 V, 1,2 mW livello logico MOSFET in LFPAK56 utilizzando NextPowerS3 TecnologiaNXP Semiconductors
1021430PSMN1R3-30YLN-canale 30 V livello logico 1.3 mW MOSFET in LFPAKNXP Semiconductors
1021431PSMN1R4-30YLDN-canale 30 V, 1,4 mW livello logico MOSFET in LFPAK56 utilizzando NextPowerS3 TecnologiaNXP Semiconductors
1021432PSMN1R4-40YLDN-channel 40 V 1.4 Livello logico mW MOSFET in LFPAK56 utilizzando la tecnologia NextPower-S3NXP Semiconductors
1021433PSMN1R5-25YLN-channel livello logico TrenchMOS FETNXP Semiconductors
1021434PSMN1R5-30BLEN-canale 30 V 1.5 Livello logico mW MOSFET in D2PAKNXP Semiconductors
1021435PSMN1R5-30YLN-canale 30 V 1.5 Livello logico mW MOSFET in LFPAKNXP Semiconductors
1021436PSMN1R5-30YLCN-canale 30 V 1.55mO livello logico MOSFET in LFPAK utilizzando la tecnologia NextPowerNXP Semiconductors
1021437PSMN1R5-40ESN-channel 40 V 1,6 mW MOSFET standard di livello in I2PAK.NXP Semiconductors
1021438PSMN1R5-40PSN-channel 40 V 1,6 mW MOSFET livello standard in TO220NXP Semiconductors
1021439PSMN1R6-30BLN-canale 30 V livello 1.9 logico mW MOSFET in D2PAKNXP Semiconductors
1021440PSMN1R6-30PLN-MOSFET a canale 30 V livello 1.7 logico mWNXP Semiconductors
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