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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
1026081PTB78560A30-W, 24-V/48-V di ingresso del convertitore DC / DC con Sequencing Auto-TrackTexas Instruments
1026082PTB78560B30-W, 24-V/48-V di ingresso del convertitore DC / DC con Sequencing Auto-TrackTexas Instruments
1026083PTB78560C30-W, 24-V/48-V di ingresso del convertitore DC / DC con Sequencing Auto-TrackTexas Instruments
1026084PTC4001TTransistore di alimentazione di microonda di NPNPhilips
1026085PTD08A020W20A, 4.75V a 14V, non isolata, modulo PowerTrain digitaleTexas Instruments
1026086PTD08A210WSingolo 10-A Output, 4.75V a 14V in ingresso, non isolata, modulo PowerTrain digitaleTexas Instruments
1026087PTEA40412050-W, 48-V Input, 12-V di uscita, isolato DC / DC ConverterTexas Instruments
1026088PTFIl coefficente industriale e molto basso di tensione e di rumore, il piccolo pacchetto, il laser 100% si č sviluppato a spirale, caratteristiche ad alta frequenza molto buone, prova di accettazione disponibile, puň sostituire le bobine diVishay
1026089PTF080101TRANSISTORE DI EFFETTO DI CAMPO DI ALIMENTAZIONE DI LDMOS RF 10CW/860-960mhzInfineon
1026090PTF080101STRANSISTORE DI EFFETTO DI CAMPO DI ALIMENTAZIONE DI LDMOS RF 10CW/860-960mhzInfineon
1026091PTF080451Transistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 45 Con 869-960 MegahertzInfineon
1026092PTF080451ETransistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 45 Con 869-960 MegahertzInfineon
1026093PTF080601Transistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 60 Con 860-960 MegahertzInfineon
1026094PTF080601ATransistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 60 Con 860-960 MegahertzInfineon
1026095PTF080601ETransistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 60 Con 860-960 MegahertzInfineon
1026096PTF080601FTransistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 60 Con 860-960 MegahertzInfineon
1026097PTF080901Transistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 90 Con 869-960 MegahertzInfineon
1026098PTF080901ETransistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 90 Con 869-960 MegahertzInfineon
1026099PTF080901FTransistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione di LDMOS Rf 90 Con 869-960 MegahertzInfineon



1026100PTF1000735 Watt, 1,0 Transistore Di Effetto Di Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026101PTF1000985 Watt, 1,0 Transistore Di Effetto Di Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026102PTF1001550 Watt, Transistore Di Effetto Di Campo Di 300-960 Megahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026103PTF1001970 Watt, Transistore Di Effetto Di Campo Di 860-960 Megahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026104PTF10020125 Watt, Transistore Di Effetto Di Campo Di 860-960 Megahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026105PTF1002130 Watt, 1,4-1,6 Transistore Di Effetto Di Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026106PTF1003150 Watt, 1,0 Transistore Di Effetto Di Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026107PTF1003685 Watt, Transistore Di Effetto Di Campo Di 860-960 Megahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026108PTF1004312 Watt, 1,9-2,0 Transistore Di Effetto Di Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026109PTF1004530 Watt, 1,60-1,65 Transistore Di Effetto Di Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026110PTF1004830 Watt, 2,1-2,2 Gigahertz, Transistore Di Effetto Di Campo Di W-cdma GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026111PTF1005235 Watt, 1,0 Transistore Di Effetto Di Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026112PTF1005312 Watt, 2,0 Transistore Di Effetto Di Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026113PTF1006530 Watt, 1,93-1,99 Transistore Di Effetto Di Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026114PTF10100165 Watt, Transistore Di Effetto Di Campo Di 860-900 Megahertz LDMOSEricsson Microelectronics
1026115PTF101075 Watt, 2,0 Transistore Di Effetto Di Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026116PTF101116 Watt, 1,5 Transistore Di Effetto Di Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026117PTF1011260 Watt, 1,8-2,0 Transistore Di Effetto Di Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026118PTF1011912 Watt, 2,1-2,2 Transistore Di Effetto Di Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026119PTF10120120 Watt, 1,8-2,0 Transistore Di Effetto Di Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
1026120PTF1012250 Watt di WCDMA, 2,1-2,2 Transistore Di Effetto Di Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
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