| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 1057841 | RN1104F | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
| 1057842 | RN1104FT | Commutazione del tipo del silicone NPN del transistore (processo) del PCT (transistore incorporato del resistore diagonale), applicazioni epitassiali del circuito dell'invertitore, del circuito di interfaccia e dei circuiti del driver. | TOSHIBA |
| 1057843 | RN1104MFV | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057844 | RN1105 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
| 1057845 | RN1105ACT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057846 | RN1105CT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057847 | RN1105F | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
| 1057848 | RN1105FT | Commutazione del tipo del silicone NPN del transistore (processo) del PCT (transistore incorporato del resistore diagonale), applicazioni epitassiali del circuito dell'invertitore, del circuito di interfaccia e dei circuiti del driver. | TOSHIBA |
| 1057849 | RN1105MFV | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057850 | RN1106 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
| 1057851 | RN1106ACT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057852 | RN1106CT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057853 | RN1106F | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
| 1057854 | RN1106FT | Commutazione del tipo del silicone NPN del transistore (processo) del PCT (transistore incorporato del resistore diagonale), applicazioni epitassiali del circuito dell'invertitore, del circuito di interfaccia e dei circuiti del driver. | TOSHIBA |
| 1057855 | RN1106MFV | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057856 | RN1107 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
| 1057857 | RN1107ACT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057858 | RN1107CT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057859 | RN1107F | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
| 1057860 | RN1107FT | Commutazione del tipo del silicone NPN del transistore (processo) del PCT (transistore incorporato del resistore diagonale), applicazioni epitassiali del circuito dell'invertitore, del circuito di interfaccia e dei circuiti del driver. | TOSHIBA |
| 1057861 | RN1107MFV | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057862 | RN1108 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
| 1057863 | RN1108ACT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057864 | RN1108CT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057865 | RN1108F | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
| 1057866 | RN1108FT | Commutazione del tipo del silicone NPN del transistore (processo) del PCT (transistore incorporato del resistore diagonale), applicazioni epitassiali del circuito dell'invertitore, del circuito di interfaccia e dei circuiti del driver. | TOSHIBA |
| 1057867 | RN1108MFV | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057868 | RN1109 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
| 1057869 | RN1109ACT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057870 | RN1109CT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057871 | RN1109F | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
| 1057872 | RN1109FT | Commutazione del tipo del silicone NPN del transistore (processo) del PCT (transistore incorporato del resistore diagonale), applicazioni epitassiali del circuito dell'invertitore, del circuito di interfaccia e dei circuiti del driver. | TOSHIBA |
| 1057873 | RN1109MFV | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057874 | RN1110 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
| 1057875 | RN1110CT | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057876 | RN1110F | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
| 1057877 | RN1110FT | Commutazione del tipo del silicone NPN del transistore (processo) del PCT (transistore incorporato del resistore diagonale), applicazioni epitassiali del circuito dell'invertitore, del circuito di interfaccia e dei circuiti del driver. | TOSHIBA |
| 1057878 | RN1110MFV | Resistenza di polarizzazione incorporato transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057879 | RN1111 | Commutazione Del Tipo Del Silicone NPN Del Transistore (Processo del PCT), Applicazioni Epitassiali Del Circuito Dell'Invertitore, Del Circuito Di Interfaccia E Dei Circuiti Del Driver | TOSHIBA |
| 1057880 | RN1111 | RETE TRASPORTATA DEL RESISTORE | California Micro Devices Corp |
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