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No.	Nome della parte	Descrizione	Fabbricatore
1082401	SD1107BD	100 V, 4 ohm, valorizzazione modalità a canale N D-MOS FET di potenza	Topaz Semiconductor
1082402	SD1107CHP	100 V, 4 ohm, valorizzazione modalità a canale N D-MOS FET di potenza	Topaz Semiconductor
1082403	SD1107DD	100 V, 4 ohm, valorizzazione modalità a canale N D-MOS FET di potenza	Topaz Semiconductor
1082404	SD1107HD	100 V, 4 ohm, valorizzazione modalità a canale N D-MOS FET di potenza	Topaz Semiconductor
1082405	SD1107N	100 V, 4 ohm, valorizzazione modalità a canale N D-MOS FET di potenza	Topaz Semiconductor
1082406	SD110OC04C	Standard diodo di recupero	International Rectifier
1082407	SD110OC04L	Standard diodo di recupero	International Rectifier
1082408	SD110OC08C	Standard diodo di recupero	International Rectifier
1082409	SD110OC08L	Standard diodo di recupero	International Rectifier
1082410	SD110OC12C	Standard diodo di recupero	International Rectifier
1082411	SD110OC12L	Standard diodo di recupero	International Rectifier
1082412	SD110OC16C	Standard diodo di recupero	International Rectifier
1082413	SD110OC16L	Standard diodo di recupero	International Rectifier
1082414	SD110OC20C	Standard diodo di recupero	International Rectifier
1082415	SD110OC20L	Standard diodo di recupero	International Rectifier
1082416	SD110OC25C	Standard diodo di recupero	International Rectifier
1082417	SD110OC25L	Standard diodo di recupero	International Rectifier
1082418	SD110OC30C	Standard diodo di recupero	International Rectifier
1082419	SD110OC30L	Standard diodo di recupero	International Rectifier

1082420	SD110OC32C	Standard diodo di recupero	International Rectifier
1082421	SD110OC32L	Standard diodo di recupero	International Rectifier
1082422	SD1112BD	200 V, 7 ohm, valorizzazione modalità a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenza	Topaz Semiconductor
1082423	SD1112CHP	200 V, 7 ohm, valorizzazione modalità a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenza	Topaz Semiconductor
1082424	SD1112DD	200 V, 7 ohm, valorizzazione modalità a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenza	Topaz Semiconductor
1082425	SD1112HD	200 V, 7 ohm, valorizzazione modalità a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenza	Topaz Semiconductor
1082426	SD1113BD	200 V, 10 ohm, valorizzazione modalità a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenza	Topaz Semiconductor
1082427	SD1113CHP	200 V, 10 ohm, valorizzazione modalità a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenza	Topaz Semiconductor
1082428	SD1113DD	200 V, 10 ohm, valorizzazione modalità a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenza	Topaz Semiconductor
1082429	SD1113HD	200 V, 10 ohm, valorizzazione modalità a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenza	Topaz Semiconductor
1082430	SD1117BD	60 V, 2,5 ohm, valorizzazione modalità a canale N D-MOS FET di potenza	Topaz Semiconductor
1082431	SD1117CHP	60 V, 2,5 ohm, valorizzazione modalità a canale N D-MOS FET di potenza	Topaz Semiconductor
1082432	SD1117DD	60 V, 2,5 ohm, valorizzazione modalità a canale N D-MOS FET di potenza	Topaz Semiconductor
1082433	SD1117HD	60 V, 2,5 ohm, valorizzazione modalità a canale N D-MOS FET di potenza	Topaz Semiconductor
1082434	SD1117N	60 V, 2,5 ohm, valorizzazione modalità a canale N D-MOS FET di potenza	Topaz Semiconductor
1082435	SD1122BD	200 V, 10 ohm, valorizzazione modalità a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenza	Topaz Semiconductor
1082436	SD1122CHP	200 V, 10 ohm, valorizzazione modalità a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenza	Topaz Semiconductor
1082437	SD1127	RF NPN Transistor	Microsemi
1082438	SD1127BD	60 V, 4 ohm, a canale N enhancement-mode verticale D-MOS FET ultra bassa dispersione	Topaz Semiconductor
1082439	SD1127CHP	60 V, 4 ohm, a canale N enhancement-mode verticale D-MOS FET ultra bassa dispersione	Topaz Semiconductor
1082440	SD1134	UHF APPLICAZIONI MOBILI RF & Microonde TRANSISTORI	SGS Thomson Microelectronics

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