No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
1085401 | SDM20U40 | Diodi Dello Schottky | Diodes |
1085402 | SDM20U40-7 | MONTAGGIO SUPERFICIALE Diodo a barriera Schottky | Diodes |
1085403 | SDM2U20CSP | Discreti - Raddrizzatori (0,5A e superiori) - Schottky / SBR Raddrizzatori | Diodes |
1085404 | SDM2U30CSP | Discreti - Raddrizzatori (0,5A e superiori) - Schottky / SBR Raddrizzatori | Diodes |
1085405 | SDM2U30CSP-7 | Discreti - Raddrizzatori (0,5A e superiori) - Schottky / SBR Raddrizzatori | Diodes |
1085406 | SDM300 | Raddrizzatore Di Alimentazione Del Silicone | Microsemi |
1085407 | SDM30002 | Raddrizzatore standard (trr più di 500ns) | Microsemi |
1085408 | SDM30004 | Raddrizzatore standard (trr più di 500ns) | Microsemi |
1085409 | SDM30006 | Raddrizzatore standard (trr più di 500ns) | Microsemi |
1085410 | SDM30008 | Raddrizzatore standard (trr più di 500ns) | Microsemi |
1085411 | SDM30010 | Raddrizzatore standard (trr più di 500ns) | Microsemi |
1085412 | SDM30012 | Raddrizzatore standard (trr più di 500ns) | Microsemi |
1085413 | SDM30014 | Raddrizzatore standard (trr più di 500ns) | Microsemi |
1085414 | SDM30016 | Raddrizzatore standard (trr più di 500ns) | Microsemi |
1085415 | SDM40E20LA | DOPPIO SUPPORTO DI SUPERFICIE Diodo a barriera Schottky | Diodes |
1085416 | SDM40E20LA-7 | DOPPIO SUPPORTO DI SUPERFICIE Diodo a barriera Schottky | Diodes |
1085417 | SDM40E20LC | DOPPIO SUPPORTO DI SUPERFICIE Diodo a barriera Schottky | Diodes |
1085418 | SDM40E20LC-7 | DOPPIO SUPPORTO DI SUPERFICIE Diodo a barriera Schottky | Diodes |
1085419 | SDM40E20LS | Diodi Dello Schottky | Diodes |
1085420 | SDM40E20LS-7 | DIODO DI BARRIERA DI SUPERFICIE DOPPIO DELLO SCHOTTKY DEL SUPPORTO | Diodes |
1085421 | SDM40E20LS-7-F | DOPPIO SUPPORTO DI SUPERFICIE Diodo a barriera Schottky | Diodes |
1085422 | SDM4410 | 30V; 10A; N-channel mode enchanced transistor ad effetto di campo | SamHop Microelectronics Corp. |
1085423 | SDM4800 | 30V; 9A; N-channel mode enchanced transistor ad effetto di campo | SamHop Microelectronics Corp. |
1085424 | SDM4952 | Si raddoppia la P - Manica il transistore del ffect dello ield E di modo F di nhancement di E | SamHop Microelectronics Corp. |
1085425 | SDM4953 | -30V; -4.9A; a doppio canale P campo modalità enchanced transistor ad effetto di | SamHop Microelectronics Corp. |
1085426 | SDM6912 | 30V; 7A; a doppio canale P effetto transistor Enchancement moda | SamHop Microelectronics Corp. |
1085427 | SDM6CC | SIX elemento comune - CATHODE SCHOTTKY ARRAY | Diodes |
1085428 | SDM6CC-7 | SIX elemento comune - CATHODE SCHOTTKY ARRAY | Diodes |
1085429 | SDM8401 | 30V; 6A; 2.0W; dual mode campo enchanced transistor ad effetto (N e P - canale) | SamHop Microelectronics Corp. |
1085430 | SDM862 | 16 Singoli Ended/8 SISTEMI di AQUISIZIONE di DATI Differenziali Dell'Input 12-bit | Burr Brown |
1085431 | SDM862, SDM863, SDM872, SDM873 | PRODOTTO INTERROTTO. Più non suggerito per il nuovo disegno. | Burr Brown |
1085432 | SDM862A | 16 Singoli Ended/8 SISTEMI di AQUISIZIONE di DATI Differenziali Dell'Input 12-bit | Burr Brown |
1085433 | SDM862B | 16 Singoli Ended/8 SISTEMI di AQUISIZIONE di DATI Differenziali Dell'Input 12-bit | Burr Brown |
1085434 | SDM862J | 16 Singoli Ended/8 SISTEMI di AQUISIZIONE di DATI Differenziali Dell'Input 12-bit | Burr Brown |
1085435 | SDM862K | 16 Singoli Ended/8 SISTEMI di AQUISIZIONE di DATI Differenziali Dell'Input 12-bit | Burr Brown |
1085436 | SDM862R | 16 Singoli Ended/8 SISTEMI di AQUISIZIONE di DATI Differenziali Dell'Input 12-bit | Burr Brown |
1085437 | SDM862S | 16 Singoli Ended/8 SISTEMI di AQUISIZIONE di DATI Differenziali Dell'Input 12-bit | Burr Brown |
1085438 | SDM863 | 16 Singoli Ended/8 SISTEMI di AQUISIZIONE di DATI Differenziali Dell'Input 12-bit | Burr Brown |
1085439 | SDM863A | 16 Singoli Ended/8 SISTEMI di AQUISIZIONE di DATI Differenziali Dell'Input 12-bit | Burr Brown |
1085440 | SDM863B | 16 Singoli Ended/8 SISTEMI di AQUISIZIONE di DATI Differenziali Dell'Input 12-bit | Burr Brown |
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