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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
1164401STD70N10F4N-channel 100 V, 0.015 Ohm, 60 A, STripFET (TM) DeepGATE (TM) MOSFET di potenza in DPAKST Microelectronics
1164402STD70N6F3N-channel 60 V, 8,0 mOhm, 70 A DPAKST Microelectronics
1164403STD70NH02LN-scanalatura 24V - 0.006òhm - 60A - Mosfet Di ALIMENTAZIONE Di DPAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1164404STD70NH02L-1N-scanalatura 24V - 0.006òhm - 60A - Mosfet Di ALIMENTAZIONE Di DPAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1164405STD70NH02LT4N-scanalatura 24V - 0.006òhm - 60A - Mosfet Di ALIMENTAZIONE Di DPAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1164406STD70NS04ZLN-channel, 40V DPAK, MOSFET di potenzaST Microelectronics
1164407STD75N3LLH6N-canale 30 V, 0,0042 Ohm, 75 A, DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET di potenzaST Microelectronics
1164408STD790ATRANSISTORE CORRENTE MEDIO DI BASSA TENSIONE PNP DI RENDIMENTO ELEVATOST Microelectronics
1164409STD790AT4TRANSISTORE CORRENTE MEDIO DI BASSA TENSIONE PNP DI RENDIMENTO ELEVATOST Microelectronics
1164410STD7ANM60NN-channel 600 V, 5 A, 0,84 Ohm tip., MDmesh (TM) II Potenza MOSFET in package DPAKST Microelectronics
1164411STD7N52DK3N-channel 525 V, 0,95 Ohm tip., 6 A SuperFREDmesh (TM) 3 MOSFET di potenza in package DPAKST Microelectronics
1164412STD7N52K3N-channel 525 V, 0,72 Ohm, 6 A, DPAK SuperMESH3 (TM) MOSFET di potenzaST Microelectronics
1164413STD7N60M2N-channel 600 V, 0,86 Ohm tip., 5 A MDmesh II Plus (TM) a bassa potenza Qg MOSFET in package DPAKST Microelectronics
1164414STD7N65M2N-channel 650 V, 0,96 Ohm tip., 5 A MDmesh M2 potenza MOSFET in un pacchetto DPAKST Microelectronics
1164415STD7N80K5N-channel a 800 V, 0,95 Ohm tip., 6 A Zener protetto SuperMESH (TM) MOSFET 5 Potenza in package DPAKST Microelectronics
1164416STD7NB20Mosfet di OHM 7A DPAK/ipak POWERMESH Della N-scanalatura 200V 0,3ST Microelectronics
1164417STD7NB20N - Mosfet Di PowerMESH di MODO di AUMENTO della MANICASGS Thomson Microelectronics
1164418STD7NB20-1Mosfet di OHM 7A DPAK/ipak POWERMESH Della N-scanalatura 200V 0,3ST Microelectronics
1164419STD7NB20T4Mosfet di OHM 7A DPAK/ipak POWERMESH Della N-scanalatura 200V 0,3ST Microelectronics



1164420STD7NK40Mosfet Zener-Protetto TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK di N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A SuperMESH.?werST Microelectronics
1164421STD7NK40Mosfet Zener-Protetto TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK di N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A SuperMESH.?werST Microelectronics
1164422STD7NK40Mosfet Zener-Protetto TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK di N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A SuperMESH.?werST Microelectronics
1164423STD7NK40ZN-scanalatura 400V - 0,85 OHM - Mosfet di ALIMENTAZIONE Zener-protetto To-220/to-220fp/dpak/ipak Di 5. SUPERMESHST Microelectronics
1164424STD7NK40Z-1N-scanalatura 400V - 0,85 OHM - Mosfet di ALIMENTAZIONE Zener-protetto To-220/to-220fp/dpak/ipak Di 5. SUPERMESHST Microelectronics
1164425STD7NK40ZT4N-scanalatura 400V - 0,85 OHM - Mosfet di ALIMENTAZIONE Zener-protetto To-220/to-220fp/dpak/ipak Di 5. SUPERMESHST Microelectronics
1164426STD7NM60NN-channel 600 V, 5 A, 0,84 Ohm MDmesh (TM) II Potenza MOSFET in package DPAKST Microelectronics
1164427STD7NM64NN-channel 640 V, 5 A, 0.88 Ohm tip. MDmesh (TM) II Potenza MOSFET in un pacchetto DPAKST Microelectronics
1164428STD7NM80N-channel a 800 V, 0,95 Ohm, 6,5 A MDmesh (TM) MOSFET di potenza in package DPAKST Microelectronics
1164429STD7NM80-1N-channel a 800 V, 0,95 Ohm, 6,5 A MDmesh (TM) MOSFET di potenza in package IPAKST Microelectronics
1164430STD7NS20N-scanalatura 200V - 0,35 OHM - 7A - Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA di DPAK/ipakST Microelectronics
1164431STD7NS20N - MANICA 200V - 0,35 Ohm - 7A - Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA di DPAKSGS Thomson Microelectronics
1164432STD7NS20-1N-scanalatura 200V - 0,35 OHM - 7A - Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA di DPAK/ipakST Microelectronics
1164433STD7NS20T4N-scanalatura 200V - 0,35 OHM - 7A - Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA di DPAK/ipakST Microelectronics
1164434STD80Introduzione Della Biblioteca Delle Cellule Standard Dai 0,5 Micron STD80Samsung Electronic
1164435STD80Indice Della Biblioteca Delle Cellule Standard Dai 0,5 Micron STD80Samsung Electronic
1164436STD80Caratteristiche Della Biblioteca Delle Cellule Standard Dai 0,5 Micron STD80Samsung Electronic
1164437STD80N10F7N-channel 100 V, 0,0085 Ohm tip., 70 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET di potenza in package DPAKST Microelectronics
1164438STD80N4F6Automotive-grade a canale N 40 V, 5,5 mOhm tip., 80 A, STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET di potenza in package DPAKST Microelectronics
1164439STD80N6F6Automotive-grade a canale N 60 V, 4,4 mOhm tip., 80 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET di potenza in un package DPAKST Microelectronics
1164440STD815CP40Coppia di transistori complementari in un unico pacchettoST Microelectronics
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