| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 1164481 | STD95NH02LT4 | N-scanalatura 24V - 0,0039 Ohm - Mosfet ULTRA BASSO Di STripFET della CARICA del CANCELLO Di 80A DPAK | ST Microelectronics |
| 1164482 | STD96N3LLH6 | N-canale 30 V, 0,0037 Ohm tip., 80 A, in DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET di potenza | ST Microelectronics |
| 1164483 | STD9N10 | VECCHIO PRODOTTO: NON ADATTO A NUOVO Progett-in | ST Microelectronics |
| 1164484 | STD9N10 | VECCHIO PRODOTTO: NON ADATTO A NUOVO Progett-in | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164485 | STD9N10 | N - TRANSISTORE Del MOS Di ALIMENTAZIONE Di MODO Di AUMENTO Della MANICA | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164486 | STD9N10-1 | N-scanalatura 100V - 0,23 & - TRANSISTORE del Mosfet Di 9A DPAK/ipak | ST Microelectronics |
| 1164487 | STD9N10L | VECCHIO PRODOTTO: NON ADATTO A NUOVO Progett-in | ST Microelectronics |
| 1164488 | STD9N10L | VECCHIO PRODOTTO: NON ADATTO A NUOVO Progett-in | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164489 | STD9N10L | N - MANICA 100V - 0.2Òhm - TRANSISTORE Del MOS Di ALIMENTAZIONE Di 9A IPAK/dpak | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164490 | STD9N40M2 | N-channel a 400 V, 0,65 Ohm tip., 6 A MDmesh II Plus (TM) a bassa potenza Qg MOSFET in package DPAK | ST Microelectronics |
| 1164491 | STD9N60M2 | N-channel 600 V, 0,72 Ohm tip., 5,5 A MDmesh II Plus (TM) a bassa potenza Qg MOSFET in package DPAK | ST Microelectronics |
| 1164492 | STD9N65M2 | N-channel 650 V, 0,79 Ohm tip., 5 A MDmesh M2 Potenza MOSFET in package DPAK | ST Microelectronics |
| 1164493 | STD9NM40N | N-channel a 400 V, 0,73 Ohm tip., 5.6 A MDmesh (TM) II Potenza MOSFET in un pacchetto DPAK | ST Microelectronics |
| 1164494 | STD9NM50N | N-channel 500 V, 0,73 Ohm, 5 A MDmesh (TM) II Potenza MOSFET in DPAK | ST Microelectronics |
| 1164495 | STD9NM60N | N-channel 600 V, 0,63 Ohm, 6,5 A MDmesh (TM) MOSFET DPAK II | ST Microelectronics |
| 1164496 | STDD15 | DIODO DI RILEVAZIONE BASSO DI CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164497 | STDD15-04W | DIODO DI RILEVAZIONE BASSO DI CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164498 | STDD15-04WFILM | DIODO DI RILEVAZIONE BASSO DI CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164499 | STDD15-05W | DIODO DI RILEVAZIONE BASSO DI CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164500 | STDD15-05WFILM | DIODO DI RILEVAZIONE BASSO DI CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164501 | STDD15-07P | DIODO DI RILEVAZIONE BASSO DI CAPACITÀ | ST Microelectronics |
| 1164502 | STDD15-07P6 | DIODO DI RILEVAZIONE BASSO DI CAPACITÀ | ST Microelectronics |
| 1164503 | STDD15-07S | DIODO DI RILEVAZIONE BASSO DI CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164504 | STDD15-07SFILM | DIODO DI RILEVAZIONE BASSO DI CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164505 | STDELIV | LE INFORMAZIONI D'ORDINAMENTO PER IL PACCHETTO E LA CONSEGNA | ST Microelectronics |
| 1164506 | STDELIV | LE INFORMAZIONI D'ORDINAMENTO PER DEL PACCHETTO E CONSEGNA | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164507 | STDH150 ASIC | Cellule di I/o | Samsung Electronic |
| 1164508 | STDH150 ASIC | Cellule del IP di I/o | Samsung Electronic |
| 1164509 | STDH150 ASIC | Fermi Primitivi | Samsung Electronic |
| 1164510 | STDH150 ASIC | Memorie Ad alta densità | Samsung Electronic |
| 1164511 | STDH150 ASIC | Flip/Flops Primitivo | Samsung Electronic |
| 1164512 | STDH150 ASIC | Cellule Primitive Di Logica | Samsung Electronic |
| 1164513 | STDH150 ASIC | Fanouts Massimo | Samsung Electronic |
| 1164514 | STDH150 ASIC | Descrizione Primitiva | Samsung Electronic |
| 1164515 | STDH150 ASIC | Miscellanee Primitive | Samsung Electronic |
| 1164516 | STDH150 ASIC | Cellule Dell'Ingreso/uscita | Samsung Electronic |
| 1164517 | STDH150 ASIC | Caratteristiche | Samsung Electronic |
| 1164518 | STDH150 ASIC | Introduzione | Samsung Electronic |
| 1164519 | STDH150 ASIC | Opuscolo STDH150 | Samsung Electronic |
| 1164520 | STDH150 ASIC | Possibilità Del Pacchetto | Samsung Electronic |
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