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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
1165521STGB10H60DFCancello Trench campo-stop IGBT, serie H 600 V, 10 A ad alta velocitŕST Microelectronics
1165522STGB10N60LN-scanalatura 10A - LIVELLO IGBT di LOGICA Di 600V D 2 PAKSGS Thomson Microelectronics
1165523STGB10NB37LZLa N-scanalatura HA PREMUTO 10A - D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBTST Microelectronics
1165524STGB10NB37LZLa N-scanalatura HA PREMUTO 10A D 2 PAK PowerMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBTSGS Thomson Microelectronics
1165525STGB10NB37LZLa N-scanalatura HA PREMUTO 10A - D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBTSGS Thomson Microelectronics
1165526STGB10NB37LZT4La N-scanalatura HA PREMUTO 10A - D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBTST Microelectronics
1165527STGB10NB40LZLa N-scanalatura HA PREMUTO 20A D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBTST Microelectronics
1165528STGB10NB40LZT4La N-scanalatura HA PREMUTO 20A D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBTST Microelectronics
1165529STGB10NB60SN-scanalatura 10A 600V To-220/tp-220fp/dpak PowerMESH"IGBTST Microelectronics
1165530STGB10NB60ST4N-scanalatura 10A 600V To-220/tp-220fp/dpak PowerMESH"IGBTST Microelectronics
1165531STGB10NC60HDMolto veloce della serie "H"ST Microelectronics
1165532STGB10NC60HDT4Molto veloce della serie "H"ST Microelectronics
1165533STGB10NC60KD10 A, 600 V corto circuito IGBT robustoST Microelectronics
1165534STGB10NC60KDT410 A, 600 V corto circuito IGBT robustoST Microelectronics
1165535STGB12NB60KDN-scanalatura 1Ĺ - PROVA POWERMESH IGBT del CIRCUITO CORTO Di 600V To-220/d2pakST Microelectronics
1165536STGB12NB60KDT4N-scanalatura 1Ĺ - PROVA POWERMESH IGBT del CIRCUITO CORTO Di 600V To-220/d2pakST Microelectronics
1165537STGB14NC60KD14 A, 600 V corto circuito IGBT robustoST Microelectronics
1165538STGB14NC60KDT414 A, 600 V corto circuito IGBT robustoST Microelectronics
1165539STGB15H60DFCancello Trench campo-stop IGBT, serie H 600 V, 15 A ad alta velocitŕST Microelectronics



1165540STGB18N40LZEAS 180 mJ - 390 V - IGBT bloccato internamenteST Microelectronics
1165541STGB18N40LZ-1EAS 180 mJ - 390 V - IGBT bloccato internamenteST Microelectronics
1165542STGB18N40LZT4EAS 180 mJ - 390 V - IGBT bloccato internamenteST Microelectronics
1165543STGB19NC60H19 A - 600 V - IGBT molto veloceST Microelectronics
1165544STGB19NC60HD19 A, 600 V, IGBT molto veloce con ultraveloce diodoST Microelectronics
1165545STGB19NC60HDT419 A, 600 V, IGBT molto veloce con ultraveloce diodoST Microelectronics
1165546STGB19NC60HT419 A - 600 V - IGBT molto veloceST Microelectronics
1165547STGB19NC60KDcorto circuito IGBT robustoST Microelectronics
1165548STGB19NC60KDT4corto circuito IGBT robustoST Microelectronics
1165549STGB20H60DF600 V, 20 A ad alta velocitŕ cancello trench campo-stop IGBTST Microelectronics
1165550STGB20N40LZAutomotive-grade 390 V bloccato internamente IGBT ESCIS 300 mJST Microelectronics
1165551STGB20NB32LZLa N-scanalatura HA PREMUTO 20A - D2PAK/i2pak POWERMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBTST Microelectronics
1165552STGB20NB32LZLa N-scanalatura HA PREMUTO 20A D 2 PAK PowerMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBTSGS Thomson Microelectronics
1165553STGB20NB32LZ-1La N-scanalatura HA PREMUTO 20A - D2PAK/i2pak POWERMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBTST Microelectronics
1165554STGB20NB32LZT4La N-scanalatura HA PREMUTO 20A - D2PAK/i2pak POWERMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBTST Microelectronics
1165555STGB20NB37LZLa N-scanalatura HA PREMUTO 20A - D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBTST Microelectronics
1165556STGB20NB37LZLa N-scanalatura HA PREMUTO 20A D 2 PAK PowerMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBTSGS Thomson Microelectronics
1165557STGB20NB37LZT4La N-scanalatura HA PREMUTO 20A - D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBTST Microelectronics
1165558STGB20NB41LZLa N-scanalatura HA PREMUTO 20A - D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBTST Microelectronics
1165559STGB20NB41LZT4La N-scanalatura HA PREMUTO 20A - D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBTST Microelectronics
1165560STGB20NC60V30 A, 600 V, IGBT molto veloceST Microelectronics
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