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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
1166001STH16NA40FIVECCHIO PRODOTTO: NON ADATTO A NUOVO Progett-inST Microelectronics
1166002STH16NA40FIN - MANICA 400V - 0.21W - 1Ã - TRANSISTORI del MOS di ALIMENTAZIONE To-247/isowatt218SGS Thomson Microelectronics
1166003STH16NA40FIVECCHIO PRODOTTO: NON ADATTO A NUOVO Progett-inSGS Thomson Microelectronics
1166004STH180N10F3-2N-channel 100 V, 3,9 mOhm, 180 A STripFET MOSFET di potenza (TM) III H2PAK-2ST Microelectronics
1166005STH180N10F3-6N-channel 100 V, 3,9 mOhm, 180 A, H2PAK-6 STripFET (TM) III MOSFET di potenzaST Microelectronics
1166006STH185N10F3-2Automotive-grade a canale N 100 V, 3,9 mOhm tip., 180 A STripFET MOSFET di potenza (TM) III pacchetto H2PAK-2ST Microelectronics
1166007STH18NB40Mosfet di OHM 18. To-247/isowatt218 POWERMESH Della N-scanalatura 400V 0,19ST Microelectronics
1166008STH18NB40FIMosfet di OHM 18. To-247/isowatt218 POWERMESH Della N-scanalatura 400V 0,19ST Microelectronics
1166009STH18NB40FIN-scanalatura 400V - 0.19W - Mosfet Di 18. To-247/isowatt218 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1166010STH18NB40FIMosfet di OHM 18. To-247/isowatt218 POWERMESH Della N-scanalatura 400V 0,19SGS Thomson Microelectronics
1166011STH210N75F6-2N-channel 75 V, 0,0027 Ohm tip., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET di potenza in H2PAK-2 pacchettoST Microelectronics
1166012STH240N10F7-2N-channel 100 V, 0.002 tip., 180 A MOSFET STripFET F7 Potenza Ohm in un pacchetto H2PAK-2ST Microelectronics
1166013STH240N10F7-6N-channel 100 V, 0.002 tip., 180 A MOSFET STripFET F7 Potenza Ohm in un pacchetto H2PAK-6ST Microelectronics
1166014STH240N75F3-2N-channel 75 V, 2,6 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Potenza MOSFET in H2PAK-2 pacchettoST Microelectronics
1166015STH240N75F3-6N-channel 75 V, 2,6 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Potenza MOSFET in H2PAK-6 packageST Microelectronics
1166016STH245N75F3-6Automotive-grade a canale N 75 V, 2,6 mOhm tip., 180 A STripFET F3 potenza MOSFET in H2PAK-6 packageST Microelectronics
1166017STH250N55F3-6N-channel 55 V, 2,2 mOhm, 180 A, H2PAK, STripFET III MOSFET di potenzaST Microelectronics
1166018STH260N6F6-2N-channel 60 V, 1,7 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET di potenza in H2PAK-2 pacchettoST Microelectronics
1166019STH260N6F6-6N-channel 60 V, 1,7 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET di potenza in H2PAK-6 packageST Microelectronics



1166020STH270N4F3-2N-channel 40 V, 1,4 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Potenza MOSFET in H2PAK-2 pacchettoST Microelectronics
1166021STH270N4F3-6N-channel 40 V, 1,4 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) III Potenza MOSFET in H2PAK-6 packageST Microelectronics
1166022STH270N8F7-2N-channel 80 V, 1,7 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET di potenza in H2PAK-2 pacchettoST Microelectronics
1166023STH270N8F7-6N-channel 80 V, 1,7 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET di potenza in H2PAK-6 packageST Microelectronics
1166024STH300NH02L-6N-channel 24 V, 0,95 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) MOSFET di potenza in un pacchetto H2PAK-6ST Microelectronics
1166025STH310N10F7-2N-channel 100 V, 1,9 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET di potenza in H2PAK-2 pacchettoST Microelectronics
1166026STH310N10F7-6N-channel 100 V, 1,9 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET di potenza in H2PAK-6 packageST Microelectronics
1166027STH315N10F7-2100 V, 2.1 tip., 180 A F7 MOSFET Automotive-grade N-channel mOhm STripFETST Microelectronics
1166028STH315N10F7-6100 V, 2.1 tip., 180 A F7 MOSFET Automotive-grade N-channel mOhm STripFETST Microelectronics
1166029STH320N4F6-2N-channel 40 V, 1,1 mOhm tip., 200 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET di potenza in H2PAK-2 pacchettoST Microelectronics
1166030STH320N4F6-6N-channel 40 V, 1,1 mOhm tip., 200 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET di potenza in H2PAK-6 packageST Microelectronics
1166031STH33N20TRANSISTORE DEL MOS DI ALIMENTAZIONE DI MODO DI AUMENTODI N-CHANNELST Microelectronics
1166032STH33N20TRANSISTORE DEL MOS DI ALIMENTAZIONE DI MODO DI AUMENTODI N-CHANNELST Microelectronics
1166033STH33N20FITRANSISTORE DEL MOS DI ALIMENTAZIONE DI MODO DI AUMENTODI N-CHANNELST Microelectronics
1166034STH33N20FITRANSISTORE DEL MOS DI ALIMENTAZIONE DI MODO DI AUMENTODI N-CHANNELST Microelectronics
1166035STH360N4F6-2N-channel 40 V, 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET di potenza in H2PAK-2 pacchettoST Microelectronics
1166036STH3N150-2N-channel 1500 V, 6 Ohm tip., 2,5 A PowerMESH (TM) MOSFET di potenza in H2PAK-2 pacchettoST Microelectronics
1166037STH400N4F6-2Automotive-grade a canale N 40 V, 0,85 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET di potenza in package H2PAK-2ST Microelectronics
1166038STH400N4F6-6Automotive-grade a canale N 40 V, 0,85 mOhm tip., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET di potenza in H2PAK-6 packageST Microelectronics
1166039STH4N90TRANSISTORE DEL MOS DI ALIMENTAZIONE DI MODO DI AUMENTODI N-CHANNELST Microelectronics
1166040STH4N90TRANSISTORE DEL MOS DI ALIMENTAZIONE DI MODO DI AUMENTODI N-CHANNELST Microelectronics
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