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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
1281201UPA1808GR-9JG-E1Fet del MOS di aumento della Manica di NNEC
1281202UPA1808GR-9JG-E2Fet del MOS di aumento della Manica di NNEC
1281203UPA1809Fet del MOS di aumento della Manica di NNEC
1281204UPA1809GR-9JGTRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della N-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281205UPA1809GR-9JG-E1Fet del MOS di aumento della Manica di NNEC
1281206UPA1809GR-9JG-E2Fet del MOS di aumento della Manica di NNEC
1281207UPA1810TRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281208UPA1810GR-9JGTRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281209UPA1811TRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281210UPA1811GR-9JGTRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281211UPA1812TRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281212UPA1812GR-9JGTRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281213UPA1813TRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281214UPA1813GR-9JGTRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281215UPA1813GR-9JG-E1PCH tipo MOS FET valorizzazioneNEC
1281216UPA1813GR-9JG-E2PCH tipo MOS FET valorizzazioneNEC
1281217UPA1814TRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281218UPA1814GR-9JGTRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC



1281219UPA1814GR-9JG-E1Fet del MOS del tipo di aumento di PchNEC
1281220UPA1814GR-9JG-E2Fet del MOS del tipo di aumento di PchNEC
1281221UPA1815TRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281222UPA1815GR-9JGTRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281223UPA1815GR-9JG-E1Fet del MOS del tipo di aumento di PchNEC
1281224UPA1815GR-9JG-E2Fet del MOS del tipo di aumento di PchNEC
1281225UPA1816Fet del MOS di aumento di PchNEC
1281226UPA1816GR-9JGTRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281227UPA1816GR-9JG-E1Fet del MOS di aumento di PchNEC
1281228UPA1816GR-9JG-E2Fet del MOS di aumento di PchNEC
1281229UPA1817Fet del MOS di aumento di PchNEC
1281230UPA1817GR-9JGTRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281231UPA1817GR-9JG-E1Fet del MOS di aumento di PchNEC
1281232UPA1817GR-9JG-E2Fet del MOS di aumento di PchNEC
1281233UPA1818Fet del MOS di aumento di PchNEC
1281234UPA1818GR-9JGTRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281235UPA1818GR-9JG-E1Fet del MOS di aumento di PchNEC
1281236UPA1818GR-9JG-E2Fet del MOS di aumento di PchNEC
1281237UPA1819Fet del MOS di aumento di PchNEC
1281238UPA1819GR-9JGTRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281239UPA1819GR-9JG-E1Fet del MOS di aumento di PchNEC
1281240UPA1819GR-9JG-E2Fet del MOS di aumento di PchNEC
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