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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
1281561UPA622TTTRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della N-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281562UPA622TT-E1FET del MOS del tipo di aumento della N-scanalaturaNEC
1281563UPA622TT-E1-ATRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della N-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281564UPA622TT-E2FET del MOS del tipo di aumento della N-scanalaturaNEC
1281565UPA622TT-E2-ATRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della N-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281566UPA650FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalaturaNEC
1281567UPA650TTTRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281568UPA650TT-E1FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalaturaNEC
1281569UPA650TT-E2FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalaturaNEC
1281570UPA651FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalaturaNEC
1281571UPA651TTTRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281572UPA651TT-E1FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalaturaNEC
1281573UPA651TT-E2FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalaturaNEC
1281574UPA652FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalaturaNEC
1281575UPA652TTTRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281576UPA652TT-E1FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalaturaNEC
1281577UPA652TT-E2FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalaturaNEC
1281578UPA653FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalaturaNEC
1281579UPA653TTTRANSISTORE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della P-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC



1281580UPA653TT-E1FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalaturaNEC
1281581UPA653TT-E2FET del MOS del tipo di aumento della P-scanalaturaNEC
1281582UPA672ALLINEAMENTO del Fet del MOS Della N-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281583UPA672TALLINEAMENTO del Fet del MOS Della N-scanalatura PER LA COMMUTAZIONENEC
1281584UPA675TFET del MOS del tipo di aumento della N-scanalaturaNEC
1281585UPA675T-T1FET del MOS del tipo di aumento della N-scanalaturaNEC
1281586UPA675T-T2FET del MOS del tipo di aumento della N-scanalaturaNEC
1281587UPA677TBFet del MOS di aumento della N-Scanalatura per l'interruttore del caricoNEC
1281588UPA678TBFet del MOS di aumento della P-Scanalatura per l'interruttore del caricoNEC
1281589UPA679TBFet del MOS di aumento di N/P-Channel per l'interruttore del caricoNEC
1281590UPA80Allineamento del transistore del siliconeNEC
1281591UPA800TTRANSISTORE EPITASSIALE PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE del SILICONE BASSO dell'cAmplificatore Ad alta frequenza NPN CON MUFFA degli ELEMENTI Di Built-in 2 La MININEC
1281592UPA800T-T1TRANSISTORE EPITASSIALE PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE del SILICONE BASSO dell'cAmplificatore Ad alta frequenza NPN CON MUFFA degli ELEMENTI Di Built-in 2 La MININEC
1281593UPA800T-T1BPiccolo MM ad alta frequenza gamma doppio transistor 6-pinNEC
1281594UPA800TFTRANSISTORE DI FREQUENZA DEL SILICONE DI NPNNEC
1281595UPA801IL TRANSISTORE EPITASSIALE del SILICONE di NPN CON il built-in 2 la x 2SC5006 Piano-conduce il Sottile-tipo MINIMOLD ULTRA ECCELLENTE dei 6-perniNEC
1281596UPA801TIL TRANSISTORE EPITASSIALE del SILICONE di NPN CON il built-in 2 la x 2SC5006 Piano-conduce il Sottile-tipo MINIMOLD ULTRA ECCELLENTE dei 6-perniNEC
1281597UPA801T-T16-pin piccola MM ad alta frequenza doppia transistorNEC
1281598UPA801TCIL TRANSISTORE EPITASSIALE del SILICONE di NPN CON il built-in 2 la x 2SC5006 Piano-conduce il Sottile-tipo MINIMOLD ULTRA ECCELLENTE dei 6-perniNEC
1281599UPA801TC-T1IL TRANSISTORE EPITASSIALE del SILICONE di NPN CON il built-in 2 la x 2SC5006 Piano-conduce il Sottile-tipo MINIMOLD ULTRA ECCELLENTE dei 6-perniNEC
1281600UPA801TFNPN silicio transistore ad alta frequenza.NEC
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