| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 248921 | BB1L3N-T/JM | Transistore ibrido | NEC |
| 248922 | BB1L3N/JM | Transistore ibrido | NEC |
| 248923 | BB200 | Doppio diodo di capacitą variabile a bassa tensione | Philips |
| 248924 | BB201 | Doppio diodo di capacitą variabile a bassa tensione | Philips |
| 248925 | BB201 | Bassa tensione a capacitą variabile doppio diodo | NXP Semiconductors |
| 248926 | BB202 | Diodo variabile a bassa tensione di capacitą | Philips |
| 248927 | BB202 | Bassa tensione variabile capacitą del diodo | NXP Semiconductors |
| 248928 | BB204 | Diodi di capacitą variabile di VHF doppi | Philips |
| 248929 | BB204B | Diodi di capacitą variabile di VHF doppi | Philips |
| 248930 | BB204G | Diodi di capacitą variabile di VHF doppi | Philips |
| 248931 | BB207 | Diodo di capacitą variabile di FM doppio | Philips |
| 248932 | BB207 | Bassa tensione a capacitą variabile doppio diodo | NXP Semiconductors |
| 248933 | BB208-02 | Diodo variabile di capacitą di bassa tensione | Philips |
| 248934 | BB208-02 | Bb208-02; Bb208-03; Diodo variabile di capacitą di bassa tensione | Philips |
| 248935 | BB208-02 | Bassa tensione variabile capacitą del diodo | NXP Semiconductors |
| 248936 | BB208-03 | Diodo variabile di capacitą di bassa tensione | Philips |
| 248937 | BB208-03 | Bb208-02; Bb208-03; Diodo variabile di capacitą di bassa tensione | Philips |
| 248938 | BB208-03 | Bassa tensione variabile capacitą del diodo | NXP Semiconductors |
| 248939 | BB2110DI | RETI DEL TERMINALE DI DDR SDRAM. | BI Technologies |
| 248940 | BB212 | Diodo di capacitą variabile di doppio | Philips |
| 248941 | BB215 | Diodo variabile A FREQUENZA ULTRAELEVATA di capacitą | Philips |
| 248942 | BB221 | Diodi Del Sintonizzatore | Honey Technology |
| 248943 | BB221 | Diodo Planare Epitassiale Di Capacitą Del Silicone | Semtech |
| 248944 | BB222 | Diodi Del Sintonizzatore | Honey Technology |
| 248945 | BB222 | Diodo Planare Epitassiale Di Capacitą Del Silicone | Semtech |
| 248946 | BB25AH | Interruttori A pulsante Di B | NKK |
| 248947 | BB301 | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248948 | BB301C | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore di VHF rf di IC del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248949 | BB301C | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
| 248950 | BB301C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248951 | BB301M | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore di VHF rf di IC del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248952 | BB301M | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
| 248953 | BB301M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248954 | BB302C | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore di VHF rf di IC del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248955 | BB302C | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
| 248956 | BB302M | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore di VHF rf di IC del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248957 | BB302M | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
| 248958 | BB302M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248959 | BB303C | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
| 248960 | BB303M | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
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