No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
248961 | BB304A | Diodo variabile di capacità del silicone (per il circuito integrato monolitico dei sintonizzatori di FM con il catodo comune per l'inseguimento perfetto di entrambi i diodi) | Siemens |
248962 | BB304C | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore di IC UHF/vhf rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
248963 | BB304C | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
248964 | BB304C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
248965 | BB304M | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore di IC UHF/vhf rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
248966 | BB304M | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
248967 | BB304M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
248968 | BB305C | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore di IC UHF/vhf rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
248969 | BB305C | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
248970 | BB305C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
248971 | BB305M | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore di IC UHF/vhf rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
248972 | BB305M | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
248973 | BB305M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
248974 | BB329 | Diodi Del Sintonizzatore | Honey Technology |
248975 | BB329 | Diodo Planare Epitassiale Di Capacità Del Silicone | Semtech |
248976 | BB3553 | Amplificatori Molto Veloci Dell'Amplificatore | MAXIM - Dallas Semiconductor |
248977 | BB3553AM | Amplificatori Molto Veloci Dell'Amplificatore | MAXIM - Dallas Semiconductor |
248978 | BB3554 | AMPLIFICATORE OPERATIVO A LARGA BANDA DI FST-SETTLING | MAXIM - Dallas Semiconductor |
248979 | BB3554AM | Wideband CheDeposita Amplificatore Operativo | MAXIM - Dallas Semiconductor |
248980 | BB3554BM | Wideband CheDeposita Amplificatore Operativo | MAXIM - Dallas Semiconductor |
248981 | BB3554SM | Wideband CheDeposita Amplificatore Operativo | MAXIM - Dallas Semiconductor |
248982 | BB36931 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
248983 | BB36933 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
248984 | BB369S | Diodi Del Sintonizzatore | General Semiconductor |
248985 | BB37931E | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
248986 | BB37933 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
248987 | BB38931 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
248988 | BB38933 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
248989 | BB39931 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
248990 | BB39933 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
248991 | BB402M | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore di VHF rf di IC del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
248992 | BB403 | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore di IC UHF/vhf rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
248993 | BB403M | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore di IC VHF/uhf rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
248994 | BB404 | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore di IC UHF/vhf rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
248995 | BB404M | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore di IC UHF/vhf rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
248996 | BB405 | Diodo variabile A FREQUENZA ULTRAELEVATA di capacità | Philips |
248997 | BB405B | Diodo variabile A FREQUENZA ULTRAELEVATA di capacità | Philips |
248998 | BB405M | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore di IC UHF/vhf rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
248999 | BB40931 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
249000 | BB417 | Diodo variabile A FREQUENZA ULTRAELEVATA di capacità | Philips |
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