| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 249001 | BB419 | Diodo variabile di capacitą del silicone (per le applicazioni dei circuiti sintonizzate VHF) | Siemens |
| 249002 | BB41931 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPČRE - 1.5 AMPČRE | etc |
| 249003 | BB439 | Varactordiodes - diodo variabile di capacitą del silicone per le applicazioni dei circuiti sintonizzate VHF | Infineon |
| 249004 | BB439 | Diodo variabile di capacitą del silicone (per la cifra elevata sintonizzata VHF di applicazioni dei circuiti di merito) | Siemens |
| 249005 | BB501 | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore di IC UHF/vhf rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249006 | BB501C | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249007 | BB501C | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
| 249008 | BB501C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249009 | BB501M | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249010 | BB501M | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
| 249011 | BB501M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249012 | BB502 | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore di IC UHF/vhf rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249013 | BB502C | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249014 | BB502C | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
| 249015 | BB502C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249016 | BB502M | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
| 249017 | BB502M | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249018 | BB502M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249019 | BB503 | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore di IC UHF/vhf rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249020 | BB503C | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
| 249021 | BB503C | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249022 | BB503C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249023 | BB503M | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
| 249024 | BB503M | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249025 | BB503M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249026 | BB504C | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
| 249027 | BB504C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249028 | BB504M | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
| 249029 | BB504M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249030 | BB505C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249031 | BB505M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249032 | BB512 | Diodo variabile di capacitą del silicone (per la gamma di sintonia specificata applicazioni di sintonia di 1 ¦ 8 V) | Siemens |
| 249033 | BB515 | Diodo variabile di capacitą del silicone (per resistenza bassa di serie di grande rapporto di capacitą dei sintonizzatori di VHF e di frequenza ultraelevata TV/vtr) | Siemens |
| 249034 | BB535 | Varactordiodes - diodo variabile di capacitą del silicone per i sintonizzatori di TV/tr e di frequenza ultraelevata | Infineon |
| 249035 | BB535 | Diodo variabile di capacitą del silicone (per rapporto di capacitą dei sintonizzatori di TV/tr e di frequenza ultraelevata grande, serie bassa di resistenza) | Siemens |
| 249036 | BB535 | Diodo Variabile Di Capacitą Del Silicone | Leshan Radio Company |
| 249037 | BB545 | Varactordiodes - diodo di sintonia del silicone per i sintonizzatori di VHF e di frequenza ultraelevata TV | Infineon |
| 249038 | BB545 | Diodo di sintonia del silicone (per la sintonizzazione rapporto di capacitą dei sintonizzatori di VHF e di frequenza ultraelevata TV grande, serie bassa di resistenza) | Siemens |
| 249039 | BB555 | Varactordiodes - diodo di sintonia del silicone per i sintonizzatori A FREQUENZA ULTRAELEVATA della TV | Infineon |
| 249040 | BB555 | Diodo di sintonia del silicone (per induttanza bassa di serie di alto rapporto di capacitą dei Frequenza-TV-sintonizzatori) | Siemens |
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