No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
249001 | BB419 | Diodo variabile di capacitą del silicone (per le applicazioni dei circuiti sintonizzate VHF) | Siemens |
249002 | BB41931 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPČRE - 1.5 AMPČRE | etc |
249003 | BB439 | Varactordiodes - diodo variabile di capacitą del silicone per le applicazioni dei circuiti sintonizzate VHF | Infineon |
249004 | BB439 | Diodo variabile di capacitą del silicone (per la cifra elevata sintonizzata VHF di applicazioni dei circuiti di merito) | Siemens |
249005 | BB501 | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore di IC UHF/vhf rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
249006 | BB501C | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
249007 | BB501C | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
249008 | BB501C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
249009 | BB501M | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
249010 | BB501M | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
249011 | BB501M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
249012 | BB502 | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore di IC UHF/vhf rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
249013 | BB502C | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
249014 | BB502C | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
249015 | BB502C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
249016 | BB502M | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
249017 | BB502M | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
249018 | BB502M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
249019 | BB503 | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore di IC UHF/vhf rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
249020 | BB503C | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
249021 | BB503C | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
249022 | BB503C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
249023 | BB503M | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
249024 | BB503M | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
249025 | BB503M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
249026 | BB504C | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
249027 | BB504C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
249028 | BB504M | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
249029 | BB504M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
249030 | BB505C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
249031 | BB505M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
249032 | BB512 | Diodo variabile di capacitą del silicone (per la gamma di sintonia specificata applicazioni di sintonia di 1 ¦ 8 V) | Siemens |
249033 | BB515 | Diodo variabile di capacitą del silicone (per resistenza bassa di serie di grande rapporto di capacitą dei sintonizzatori di VHF e di frequenza ultraelevata TV/vtr) | Siemens |
249034 | BB535 | Varactordiodes - diodo variabile di capacitą del silicone per i sintonizzatori di TV/tr e di frequenza ultraelevata | Infineon |
249035 | BB535 | Diodo variabile di capacitą del silicone (per rapporto di capacitą dei sintonizzatori di TV/tr e di frequenza ultraelevata grande, serie bassa di resistenza) | Siemens |
249036 | BB535 | Diodo Variabile Di Capacitą Del Silicone | Leshan Radio Company |
249037 | BB545 | Varactordiodes - diodo di sintonia del silicone per i sintonizzatori di VHF e di frequenza ultraelevata TV | Infineon |
249038 | BB545 | Diodo di sintonia del silicone (per la sintonizzazione rapporto di capacitą dei sintonizzatori di VHF e di frequenza ultraelevata TV grande, serie bassa di resistenza) | Siemens |
249039 | BB555 | Varactordiodes - diodo di sintonia del silicone per i sintonizzatori A FREQUENZA ULTRAELEVATA della TV | Infineon |
249040 | BB555 | Diodo di sintonia del silicone (per induttanza bassa di serie di alto rapporto di capacitą dei Frequenza-TV-sintonizzatori) | Siemens |
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