| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 249481 | BC168B | Scopo 0.300W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 20V, 0.100A Ic, 180-460 hFE | Continental Device India Limited |
| 249482 | BC168C | Scopo 0.300W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 20V, 0.100A Ic, 380-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249483 | BC169 | TRANSISTORE EPITASSIALE PLANARE DEL SILICONE DI NPN | Micro Electronics |
| 249484 | BC169 | Scopo 0.300W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 20V, 0.050A Ic, 120-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249485 | BC169B | Scopo 0.300W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 20V, 0.050A Ic, 180-460 hFE | Continental Device India Limited |
| 249486 | BC169C | Scopo 0.300W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 20V, 0.050A Ic, 380-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249487 | BC171 | TRANSISTORE EPITASSIALE PLANARE DELL'ALTO DI GUADAGNO DI NPN SILICONE BASSO DI RUMORE | Micro Electronics |
| 249488 | BC171 | Scopo 0.350W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 0.100A Ic, 120-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249489 | BC171A | Scopo 0.350W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 0.100A Ic, 120-220 hFE | Continental Device India Limited |
| 249490 | BC171B | Scopo 0.350W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 0.100A Ic, 180-460 hFE | Continental Device India Limited |
| 249491 | BC172 | TRANSISTORE EPITASSIALE PLANARE DELL'ALTO DI GUADAGNO DI NPN SILICONE BASSO DI RUMORE | Micro Electronics |
| 249492 | BC172 | Scopo 0.350W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 0.100A Ic, 120-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249493 | BC172A | Scopo 0.350W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 0.100A Ic, 120-220 hFE | Continental Device India Limited |
| 249494 | BC172B | Scopo 0.350W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 0.100A Ic, 180-460 hFE | Continental Device India Limited |
| 249495 | BC172C | Scopo 0.350W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 0.100A Ic, 380-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249496 | BC173 | TRANSISTORE EPITASSIALE PLANARE DELL'ALTO DI GUADAGNO DI NPN SILICONE BASSO DI RUMORE | Micro Electronics |
| 249497 | BC174 | Scopo 0.350W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 65V, 0.100A Ic, 120-450 hFE | Continental Device India Limited |
| 249498 | BC174A | Scopo 0.350W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 65V, 0.100A Ic, 120-220 hFE | Continental Device India Limited |
| 249499 | BC174B | Scopo 0.350W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 65V, 0.100A Ic, 180-460 hFE | Continental Device India Limited |
| 249500 | BC177 | AMPLIFICATORI AUDIO PER TUTTI GLI USI PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE BASSO | ST Microelectronics |
| 249501 | BC177 | Tranzystor malej czestotliwosci malej mocy | Ultra CEMI |
| 249502 | BC177 | Tranzystor krzemowy malej mocy, malej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 249503 | BC177 | TRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI PNP | Micro Electronics |
| 249504 | BC177 | AMPLIFICATORI AUDIO PER TUTTI GLI USI PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE BASSO | SGS Thomson Microelectronics |
| 249505 | BC177 | TRANSISTORI DEL SILICONE DI PNP | Siemens |
| 249506 | BC177 | Transistore di uso generale di PNP | Philips |
| 249507 | BC177 | 0.600W Uso generale di PNP metallo puň transistor. 45V Vceo, nominale 0,200A Ic, 120-460 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249508 | BC177A | TRANSISTORI DEL SILICONE DI PNP | Siemens |
| 249509 | BC177A | Transistore di uso generale di PNP | Philips |
| 249510 | BC177A | 0.600W Uso generale di PNP metallo puň transistor. 45V Vceo, nominale 0,200A Ic, 120-220 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249511 | BC177B | AMPLIFICATORI AUDIO PER TUTTI GLI USI PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE BASSO | ST Microelectronics |
| 249512 | BC177B | TRANSISTORI DEL SILICONE DI PNP | Siemens |
| 249513 | BC177B | Transistore di uso generale di PNP | Philips |
| 249514 | BC177B | 0.600W Uso generale di PNP metallo puň transistor. 45V Vceo, nominale 0,200A Ic, 180-460 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249515 | BC177C | 0.600W Uso generale di PNP metallo puň transistor. 45V Vceo, nominale 0,200A Ic, 380-800 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249516 | BC178 | Tranzystor krzemowy malej mocy, malej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 249517 | BC178 | Tranzystor malej czestotliwosci malej mocy | Ultra CEMI |
| 249518 | BC178 | TRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI PNP | Micro Electronics |
| 249519 | BC178 | TRANSISTORI DEL SILICONE DI PNP | Siemens |
| 249520 | BC178 | 0.600W Uso generale di PNP metallo puň transistor. 25V Vceo, nominale 0,200A Ic, 120-800 hFE. | Continental Device India Limited |
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