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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
250081BC33740BUTransistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
250082BC33740TATransistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
250083BC337AScopo 0.625W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 0.800A Ic, 100-400 hFEContinental Device India Limited
250084BC337ANPN transistor di uso generalePhilips
250085BC337ABUTransistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
250086BC337BUTransistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
250087BC337RL1Plastica NPN Del Silicone Del TransistoreON Semiconductor
250088BC337TFTransistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
250089BC337TFRTransistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
250090BC337ZL1Plastica NPN Del Silicone Del TransistoreON Semiconductor
250091BC338Applicazioni dell'amplificatore e di commutazioneFairchild Semiconductor
250092BC338Transistore Per tutti gli usiKorea Electronics (KEC)
250093BC338Piccoli Transistori Del Segnale (NPN)Vishay
250094BC338Piccoli Transistori Del Segnale (NPN)General Semiconductor
250095BC338Transistore di Af Del Silicone di NPNInfineon
250096BC338Tranzystor malej czestotliwosci malej mocyUltra CEMI
250097BC338Transistore Planare Epitassiale Del Silicone di NPNHoney Technology
250098BC338TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE MEDI DI AF DEL SILICONE DI NPNMicro Electronics
250099BC338Transistori di AF del silicone di NPN (alta alta tensione bassa di saturazione del collector-emitter della corrente di collettore di guadagno corrente)Siemens



250100BC338Transistore Dell'AmplificatoreMotorola
250101BC338PlanarTransistors Silicone-EpitassialeDiotec Elektronische
250102BC338Transistore planare epitassiale del silicone di NPN per le applicazioni dell'amplificatore e di commutazioneSemtech
250103BC338Scopo 0.625W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 0.800A Ic, 100 - 600 hFEContinental Device India Limited
250104BC338Transistor. Di commutazione e le applicazioni ampplifier. Adatto per stagees AF-driver e stadi finali di potenza. VCES = 30V, Vceo = 25V, Vebo = 5V, Pc = 625mW, Ic = 800mA.USHA India LTD
250105BC338-16Transistori di AF del silicone di NPN (alta alta tensione bassa di saturazione del collector-emitter della corrente di collettore di guadagno corrente)Siemens
250106BC338-16Transistore Dell'AmplificatoreMotorola
250107BC338-16Transistori, Rf & AfVishay
250108BC338-16PlanarTransistors Silicone-EpitassialeDiotec Elektronische
250109BC338-16Silicone Di Transistors(NPN Dell'Amplificatore)ON Semiconductor
250110BC338-16Piccolo segnale Transistor (NPN)General Semiconductor
250111BC338-25Transistori di AF del silicone di NPN (alta alta tensione bassa di saturazione del collector-emitter della corrente di collettore di guadagno corrente)Siemens
250112BC338-25Transistore Dell'AmplificatoreMotorola
250113BC338-25Plastica NPN Del Silicone Del TransistoreON Semiconductor
250114BC338-25Transistori, Rf & AfVishay
250115BC338-25PlanarTransistors Silicone-EpitassialeDiotec Elektronische
250116BC338-25Scopo 0.625W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 0.800A Ic, 160-400 hFEContinental Device India Limited
250117BC338-25Piccolo segnale Transistor (NPN)General Semiconductor
250118BC338-25ZL1Plastica NPN Del Silicone Del TransistoreON Semiconductor
250119BC338-40Transistori di AF del silicone di NPN (alta alta tensione bassa di saturazione del collector-emitter della corrente di collettore di guadagno corrente)Siemens
250120BC338-40Transistore Dell'AmplificatoreMotorola
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