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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
252881BC869-16Transistore di alimentazione medio di PNPPhilips
252882BC869-16TRANSISTORE DI ALIMENTAZIONE MEDIO PLANARE DEL SILICONE DI SOT89 NPNZetex Semiconductors
252883BC869-1620 V, 2 A PNP transistor di potenza medioNXP Semiconductors
252884BC869-25Transistore di alimentazione medio di PNPPhilips
252885BC869-25TRANSISTORE DI ALIMENTAZIONE MEDIO PLANARE DEL SILICONE DI SOT89 NPNZetex Semiconductors
252886BC869-2520 V, 2 A PNP transistor di potenza medioNXP Semiconductors
252887BC86916ObsoletoZetex Semiconductors
252888BC86925ObsoletoZetex Semiconductors
252889BC875Transistori di NPN DarlingtonPhilips
252890BC875Transistori di Darlington del silicone di NPN (alta tensione bassa di saturazione del collector-emitter di guadagno correnteSiemens
252891BC876Transistori di Darlington del silicone di PNP (alta alta corrente di collettore di guadagno corrente)Siemens
252892BC877Transistori di Darlington del silicone di NPN (alta tensione bassa di saturazione del collector-emitter di guadagno correnteSiemens
252893BC878Transistori di Darlington del silicone di PNP (alta alta corrente di collettore di guadagno corrente)Siemens
252894BC878Transistore di PNP DarlingtonPhilips
252895BC879Transistori di NPN DarlingtonPhilips
252896BC879Transistori di Darlington del silicone di NPN (alta tensione bassa di saturazione del collector-emitter di guadagno correnteSiemens
252897BC880Transistori di Darlington del silicone di PNP (alta alta corrente di collettore di guadagno corrente)Siemens
252898BCA114ES6RMini formato degli elementi discreti a semiconduttoreSINYORK



252899BCA114ES6RMini formato degli elementi discreti a semiconduttoreSINYORK
252900BCA114EUS6RMini formato degli elementi discreti a semiconduttoreSINYORK
252901BCA114EUS6RMini formato degli elementi discreti a semiconduttoreSINYORK
252902BCA124ES6RMini formato degli elementi discreti a semiconduttoreSINYORK
252903BCA124ES6RMini formato degli elementi discreti a semiconduttoreSINYORK
252904BCA124EUS6RMini formato degli elementi discreti a semiconduttoreSINYORK
252905BCA124EUS6RMini formato degli elementi discreti a semiconduttoreSINYORK
252906BCAAAPCUN SUPPORTO DELLE CELLULE DEL AAAetc
252907BCAAAPCUN SUPPORTO DELLE CELLULE DEL AAAetc
252908BCAE07Tranzystor malej czestotliwosci malej mocy specjalnyUltra CEMI
252909BCAE07RTranzystor malej czestotliwosci malej mocy specjalnyUltra CEMI
252910BCAE08Tranzystor malej czestotliwosci malej mocy specjalnyUltra CEMI
252911BCAE08RTranzystor malej czestotliwosci malej mocy specjalnyUltra CEMI
252912BCAE09Tranzystor malej czestotliwosci malej mocy specjalnyUltra CEMI
252913BCAE09RTranzystor malej czestotliwosci malej mocy specjalnyUltra CEMI
252914BCAE77Tranzystor malej czestotliwosci malej mocy specjalnyUltra CEMI
252915BCAE77RTranzystor malej czestotliwosci malej mocy specjalnyUltra CEMI
252916BCAE78Tranzystor malej czestotliwosci malej mocy specjalnyUltra CEMI
252917BCAE78RTranzystor malej czestotliwosci malej mocy specjalnyUltra CEMI
252918BCAE79Tranzystor malej czestotliwosci malej mocy specjalnyUltra CEMI
252919BCAE79RTranzystor malej czestotliwosci malej mocy specjalnyUltra CEMI
252920BCAP07Tranzystor malej czestotliwosci malej mocy specjalnyUltra CEMI
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