No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
255921 | BD138-6 | TRANSISTORI DEL SILICONE DI PNP | Siemens |
255922 | BD138-6 | 12.500W di commutazione PNP Transistor plastica piombo. Vceo 60V, 1.500A Ic, 40-100 hFE. Complementare BD137-6 | Continental Device India Limited |
255923 | BD13810S | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
255924 | BD13810STU | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
255925 | BD13816S | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
255926 | BD13816STU | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
255927 | BD1386S | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
255928 | BD1386STU | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
255929 | BD139 | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
255930 | BD139 | TRANSISTORI DEL SILICONE DI NPN | ST Microelectronics |
255931 | BD139 | Tranzystor malej czestotliwosci duzej mocy | Ultra CEMI |
255932 | BD139 | TRANSISTORI DEL SILICONE DI NPN | SGS Thomson Microelectronics |
255933 | BD139 | TRANSISTORI DEL SILICONE DI NPN | SGS Thomson Microelectronics |
255934 | BD139 | TRANSISTORI DEL SILICONE DI NPN | Siemens |
255935 | BD139 | Transistori di alimentazione di NPN | Philips |
255936 | BD139 | Transistore Medio Di plastica Del Silicone NPN Di Alimentazione | Motorola |
255937 | BD139 | Uso generale Al piombo Del Transistore Di Alimentazione | Central Semiconductor |
255938 | BD139 | Alimentazione 1.Ä 80V NPN | ON Semiconductor |
255939 | BD139 | 12.500W commutazione NPN transistor di plastica piombo. Vceo 80V, 1.500A Ic, 40 - 250 hFE. BD140 complementare | Continental Device India Limited |
255940 | BD139-10 | TRANSISTORI DEL SILICONE DI NPN | Siemens |
255941 | BD139-10 | Transistori di alimentazione di NPN | Philips |
255942 | BD139-10 | TRANSISTORI DEL SILICONE DI NPN | ST Microelectronics |
255943 | BD139-10 | 12.500W commutazione NPN transistor di plastica piombo. Vceo 80V, 1.500A Ic, 63-160 hFE. BD140-10 complementare | Continental Device India Limited |
255944 | BD139-16 | Transistori di alimentazione di NPN | Philips |
255945 | BD139-16 | TRANSISTORI DEL SILICONE DI NPN | ST Microelectronics |
255946 | BD139-16 | 12.500W commutazione NPN transistor di plastica piombo. Vceo 80V, 1.500A Ic, 100-250 hFE. BD140-16 complementare | Continental Device India Limited |
255947 | BD139-25 | 12.500W commutazione NPN transistor di plastica piombo. Vceo 80V, 1.500A Ic, 160-400 hFE. BD140-25 complementare | Continental Device India Limited |
255948 | BD139-6 | TRANSISTORI DEL SILICONE DI NPN | Siemens |
255949 | BD139-6 | 12.500W commutazione NPN transistor di plastica piombo. Vceo 80V, 1.500A Ic, 40-100 hFE. Complementare BD140-6 | Continental Device India Limited |
255950 | BD13910S | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
255951 | BD13910STU | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
255952 | BD13916S | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
255953 | BD13916STU | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
255954 | BD1396S | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
255955 | BD1396STU | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
255956 | BD140 | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
255957 | BD140 | TRANSISTORI DEL SILICONE DI PNP | ST Microelectronics |
255958 | BD140 | Tranzystor malej czestotliwosci duzej mocy | Ultra CEMI |
255959 | BD140 | TRANSISTORI DEL SILICONE DI PNP | SGS Thomson Microelectronics |
255960 | BD140 | TRANSISTORI DEL SILICONE DI PNP | SGS Thomson Microelectronics |
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