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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
256041BD17810STUTransistore Epitassiale Del Silicone di PNPFairchild Semiconductor
256042BD179Transistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
256043BD179TRANSISTORE DEL SILICONE DI NPNST Microelectronics
256044BD179TRANSISTORE DEL SILICONE DI NPNSGS Thomson Microelectronics
256045BD179Transistore Medio Di plastica Del Silicone NPNP Di AlimentazioneMotorola
256046BD179Uso generale Al piombo Del Transistore Di AlimentazioneCentral Semiconductor
256047BD179Transistore Medio Di plastica Del Silicone NPN Di AlimentazioneON Semiconductor
256048BD17930.000W commutazione NPN transistor di plastica piombo. Vceo 80V, 3.000A Ic, 40 hFE.Continental Device India Limited
256049BD179-10Transistore Medio Di plastica Del Silicone NPNP Di AlimentazioneMotorola
256050BD179-10SILICONE DEI TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE NPNON Semiconductor
256051BD179-1030.000W commutazione NPN transistor di plastica piombo. Vceo 80V, 3.000A Ic, 63-160 hFE.Continental Device India Limited
256052BD179-630.000W commutazione NPN transistor di plastica piombo. Vceo 80V, 3.000A Ic, 40-100 hFE.Continental Device India Limited
256053BD179-DTransistore Medio Di plastica Del Silicone NPN Di AlimentazioneON Semiconductor
256054BD17910STUTransistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
256055BD180Transistore Epitassiale Del Silicone di PNPFairchild Semiconductor
256056BD180Transistore Medio Di plastica Del Silicone PNP Di AlimentazioneMotorola
256057BD180Uso generale Al piombo Del Transistore Di AlimentazioneCentral Semiconductor
256058BD180Alimentazione Á 80V PNPON Semiconductor
256059BD18030.000W di commutazione PNP Transistor plastica piombo. Vceo 80V, 3.000A Ic, 40 hFE.Continental Device India Limited



256060BD180-1030.000W di commutazione PNP Transistor plastica piombo. Vceo 80V, 3.000A Ic, 63-160 hFE.Continental Device India Limited
256061BD180-630.000W di commutazione PNP Transistor plastica piombo. Vceo 80V, 3.000A Ic, 40-100 hFE.Continental Device India Limited
256062BD180-DTransistore Medio Di plastica Del Silicone PNP Di AlimentazioneON Semiconductor
256063BD18010STUTransistore Epitassiale Del Silicone di PNPFairchild Semiconductor
256064BD181TRANSISTORI del SILICONE Ad alta potenza NPNGeneral Semiconductor
256065BD181Silicone NPN transistor ad alta potenza. 55V, 117W.General Electric Solid State
256066BD182ALIMENTAZIONE LINERAR DEL TRANSISTORE DEL SILICONE DI NPN ED APPLICAZIONI DI COMMUTAZIONEComset Semiconductors
256067BD182ALIMENTAZIONE LINERAR DEL TRANSISTORE DEL SILICONE DI NPN ED APPLICAZIONI DI COMMUTAZIONEComset Semiconductors
256068BD182Silicone NPN transistor ad alta potenza. 70V, 117W.General Electric Solid State
256069BD183ALIMENTAZIONE LINERAR DEL TRANSISTORE DEL SILICONE DI NPN ED APPLICAZIONI DI COMMUTAZIONEComset Semiconductors
256070BD183ALIMENTAZIONE LINERAR DEL TRANSISTORE DEL SILICONE DI NPN ED APPLICAZIONI DI COMMUTAZIONEComset Semiconductors
256071BD183Silicone NPN transistor ad alta potenza. 85V, 117W.General Electric Solid State
256072BD185Transistore NPN di potenza al silicio. 4 A, 30 V, 40 W.Motorola
256073BD186TRANSISTORE MEDIO DI PLASTICA DEL SILICONE PNP DI ALIMENTAZIONEMotorola
256074BD187Transistore NPN di potenza al silicio. 4 A, 45 V, 40 W.Motorola
256075BD188TRANSISTORE MEDIO DI PLASTICA DEL SILICONE PNP DI ALIMENTAZIONEMotorola
256076BD189Transistore NPN di potenza al silicio. 4 A, 60 V, 40 W.Motorola
256077BD190TRANSISTORE MEDIO DI PLASTICA DEL SILICONE PNP DI ALIMENTAZIONEMotorola
256078BD201SILICONE BASSO EPITASSIALE NPN E TRANSISTORI DI PNP VERSAWATTGeneral Semiconductor
256079BD20160.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 8.000A Ic, 30 hFE. BD202 complementareContinental Device India Limited
256080BD201Epitassiale a base di silicio transistor NPN VERSAWATT. 60V, 60W.General Electric Solid State
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