| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 258921 | BF173 | TRANSISTORE EPITASSIALE PLANARE DEL SILICONE DI NPN | Micro Electronics |
| 258922 | BF173 | 0.200W General Purpose NPN metallo può transistor. Vceo 25V, 0.030A Ic, 15 hFE. | Continental Device India Limited |
| 258923 | BF178 | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
| 258924 | BF180 | Tranzystor krzemowy malej mocy, wielkiej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 258925 | BF180 | Tranzystor wielkiej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 258926 | BF181 | Tranzystor wielkiej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 258927 | BF181 | Tranzystor krzemowy malej mocy, wielkiej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 258928 | BF182 | Tranzystor krzemowy malej mocy, wielkiej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 258929 | BF182 | Tranzystor wielkiej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 258930 | BF182 | 0.150W General Purpose NPN metallo può transistor. Vceo 20V, 0.020A Ic, 10 hFE. | Continental Device India Limited |
| 258931 | BF183 | Tranzystor krzemowy malej mocy, wielkiej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 258932 | BF183 | Tranzystor wielkiej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 258933 | BF194 | Tranzystor krzemowy malej mocy, wielkiej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 258934 | BF194 | Tranzystor wielkiej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 258935 | BF195 | Tranzystor wielkiej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 258936 | BF195 | Tranzystor krzemowy malej mocy, wielkiej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 258937 | BF196 | Tranzystor krzemowy malej mocy, wielkiej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 258938 | BF196 | Tranzystor wielkiej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 258939 | BF197 | Tranzystor krzemowy malej mocy, wielkiej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 258940 | BF197 | Tranzystor wielkiej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 258941 | BF198 | Transistore Del Silicone Rf di NPN | Siemens |
| 258942 | BF199 | Transistore medio di frequenza di NPN | Philips |
| 258943 | BF199 | TRANSISTORE EPITASSIALE PLANARE DEL SILICONE DI NPN | Micro Electronics |
| 258944 | BF199 | Transistore di Rf | Motorola |
| 258945 | BF199 | Transistore Di Frequenza Radiofonica di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 258946 | BF199 | 0.350W RF NPN Transistor. Vceo 25V, 0.100A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 258947 | BF200 | Tranzystor krzemowy malej mocy, wielkiej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 258948 | BF200 | Tranzystor wielkiej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 258949 | BF200 | 0.150W General Purpose NPN metallo può transistor. Vceo 20V, 0.020A Ic, 15-40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 258950 | BF2000 | Tetrodo del Mosfet Della Manica Del Silicone N | Siemens |
| 258951 | BF2000W | Tetrodo del MOSFET della Manica del silicone N (il transistore della Corto-scanalatura con l'alto fattore di qualità di S/c per input a basso rumore e guadagn-controllato organizza fino a 1 gigahertz) | Siemens |
| 258952 | BF2030 | Rf-rf-mosfet - integrato semi influenzando rete, VDS=5v, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 258953 | BF2030 | Tetrodo del MOSFET della N-Scanalatura del silicone (per rumore basso, l'input controllato di alto guadagno organizza fino a tensione 5V di funzionamento del 1GHz) | Siemens |
| 258954 | BF2030R | Rf-rf-mosfet - integrato semi influenzando rete, VDS=5v, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 258955 | BF2030W | Rf-rf-mosfet - integrato semi influenzando rete, VDS=5v, gfs=31mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 258956 | BF2030W | Tetrodo del MOSFET della N-Scanalatura del silicone (per rumore basso, l'input controllato di alto guadagno organizza fino a tensione 5V di funzionamento del 1GHz) | Siemens |
| 258957 | BF2040 | Rf-rf-mosfet - integrato semi influenzando rete, VDS=5v, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 258958 | BF2040 | Tetrodo del MOSFET della N-Scanalatura del silicone (per rumore basso, l'input controllato di alto guadagno organizza fino a tensione 5V di funzionamento del 1GHz) | Siemens |
| 258959 | BF2040R | Rf-rf-mosfet - integrato semi influenzando rete, VDS=5v, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
| 258960 | BF2040W | Rf-rf-mosfet - integrato semi influenzando rete, VDS=5v, gfs=41mS, Gp=23dB, F=1.5dB | Infineon |
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