| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 25961 | 1N5518B | 0,4 W, a bassa tensione diodo valanga. Tensione Zener nominale 3,3 V Corrente di prova 20 mAcc. + -5% Di tolleranza. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25962 | 1N5518B (DO35) | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 25963 | 1N5518B-1 | CARATTERISTICHE D'INVERSIONE BASSE DI PERDITA | Compensated Devices Incorporated |
| 25964 | 1N5518B-1 | Bassa Tensione Avalanche Zener | Microsemi |
| 25965 | 1N5518BUR-1 | Bassa Tensione Avalanche Zener | Microsemi |
| 25966 | 1N5518C | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 25967 | 1N5518C | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 25968 | 1N5518D | Uso generale Al piombo Del Diodo Zener | Central Semiconductor |
| 25969 | 1N5518D | 0,4 W, a bassa tensione diodo valanga. Tensione Zener nominale 3,3 V Corrente di prova 20 mAcc. + -1% Di tolleranza. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25970 | 1N5519 | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 25971 | 1N5519 | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 25972 | 1N5519 | RENDIMENTO ELEVATO DEI DIODI ZENER DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE: RUMORE BASSO, PERDITA BASSA | Knox Semiconductor Inc |
| 25973 | 1N5519A | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 25974 | 1N5519A | 0,4 W, a bassa tensione diodo valanga. Tensione Zener nominale 3,6 V Corrente di prova 20 mAcc. + -10% Di tolleranza. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25975 | 1N5519B | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 25976 | 1N5519B | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 25977 | 1N5519B | CARATTERISTICHE D'INVERSIONE BASSE DI PERDITA | Compensated Devices Incorporated |
| 25978 | 1N5519B | 0,4 W, a bassa tensione diodo valanga. Tensione Zener nominale 3,6 V Corrente di prova 20 mAcc. + -5% Di tolleranza. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25979 | 1N5519B (DO35) | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 25980 | 1N5519B-1 | CARATTERISTICHE D'INVERSIONE BASSE DI PERDITA | Compensated Devices Incorporated |
| 25981 | 1N5519B-1 | Bassa Tensione Avalanche Zener | Microsemi |
| 25982 | 1N5519BUR-1 | Bassa Tensione Avalanche Zener | Microsemi |
| 25983 | 1N5519C | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 25984 | 1N5519C | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 25985 | 1N5519D | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 25986 | 1N5519D | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 25987 | 1N5520 | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 25988 | 1N5520 | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 25989 | 1N5520 | RENDIMENTO ELEVATO DEI DIODI ZENER DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE: RUMORE BASSO, PERDITA BASSA | Knox Semiconductor Inc |
| 25990 | 1N5520A | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 25991 | 1N5520A | 0,4 W, a bassa tensione diodo valanga. Tensione Zener nominale di 3,9 V. Corrente di prova 20 mAcc. + -10% Di tolleranza. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25992 | 1N5520B | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 25993 | 1N5520B | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 25994 | 1N5520B | CARATTERISTICHE D'INVERSIONE BASSE DI PERDITA | Compensated Devices Incorporated |
| 25995 | 1N5520B | Uso generale Al piombo Del Diodo Zener | Central Semiconductor |
| 25996 | 1N5520B | 0,4 W, a bassa tensione diodo valanga. Tensione Zener nominale di 3,9 V. Corrente di prova 20 mAcc. + -5% Di tolleranza. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25997 | 1N5520B (DO35) | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 25998 | 1N5520B-1 | CARATTERISTICHE D'INVERSIONE BASSE DI PERDITA | Compensated Devices Incorporated |
| 25999 | 1N5520B-1 | Bassa Tensione Avalanche Zener | Microsemi |
| 26000 | 1N5520BUR-1 | Bassa Tensione Avalanche Zener | Microsemi |
| | | |
