| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 26321 | 1N5539A | 0,4 W, a bassa tensione diodo valanga. Tensione Zener nominale 19,0 V. Corrente di prova 1.0 mAcc. + -10% Di tolleranza. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26322 | 1N5539B | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26323 | 1N5539B | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26324 | 1N5539B | CARATTERISTICHE D'INVERSIONE BASSE DI PERDITA | Compensated Devices Incorporated |
| 26325 | 1N5539B | 0,4 W, a bassa tensione diodo valanga. Tensione Zener nominale 19,0 V. Corrente di prova 1.0 mAcc. + -5% Di tolleranza. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26326 | 1N5539B-1 | CARATTERISTICHE D'INVERSIONE BASSE DI PERDITA | Compensated Devices Incorporated |
| 26327 | 1N5539B-1 | Bassa Tensione Avalanche Zener | Microsemi |
| 26328 | 1N5539BUR-1 | Bassa Tensione Avalanche Zener | Microsemi |
| 26329 | 1N5539C | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26330 | 1N5539C | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26331 | 1N5539D | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26332 | 1N5539D | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26333 | 1N5540 | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26334 | 1N5540 | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26335 | 1N5540 | RENDIMENTO ELEVATO DEI DIODI ZENER DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE: RUMORE BASSO, PERDITA BASSA | Knox Semiconductor Inc |
| 26336 | 1N5540A | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26337 | 1N5540A | 0,4 W, a bassa tensione diodo valanga. Tensione Zener nominale 20,0 V. Corrente di prova 1.0 mAcc. + -10% Di tolleranza. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26338 | 1N5540B | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26339 | 1N5540B | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26340 | 1N5540B | CARATTERISTICHE D'INVERSIONE BASSE DI PERDITA | Compensated Devices Incorporated |
| 26341 | 1N5540B | 0,4 W, a bassa tensione diodo valanga. Tensione Zener nominale 20,0 V. Corrente di prova 1.0 mAcc. + -5% Di tolleranza. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26342 | 1N5540B-1 | CARATTERISTICHE D'INVERSIONE BASSE DI PERDITA | Compensated Devices Incorporated |
| 26343 | 1N5540B-1 | Bassa Tensione Avalanche Zener | Microsemi |
| 26344 | 1N5540BUR-1 | Bassa Tensione Avalanche Zener | Microsemi |
| 26345 | 1N5540C | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26346 | 1N5540C | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26347 | 1N5540D | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26348 | 1N5540D | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26349 | 1N5541 | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26350 | 1N5541 | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26351 | 1N5541 | RENDIMENTO ELEVATO DEI DIODI ZENER DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE: RUMORE BASSO, PERDITA BASSA | Knox Semiconductor Inc |
| 26352 | 1N5541A | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26353 | 1N5541A | 0,4 W, a bassa tensione diodo valanga. Tensione Zener nominale 22,0 V. Corrente di prova 1.0 mAcc. + -10% Di tolleranza. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26354 | 1N5541B | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26355 | 1N5541B | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26356 | 1N5541B | CARATTERISTICHE D'INVERSIONE BASSE DI PERDITA | Compensated Devices Incorporated |
| 26357 | 1N5541B | Uso generale Al piombo Del Diodo Zener | Central Semiconductor |
| 26358 | 1N5541B | 0,4 W, a bassa tensione diodo valanga. Tensione Zener nominale 22,0 V. Corrente di prova 1.0 mAcc. + -5% Di tolleranza. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26359 | 1N5541B-1 | CARATTERISTICHE D'INVERSIONE BASSE DI PERDITA | Compensated Devices Incorporated |
| 26360 | 1N5541B-1 | Bassa Tensione Avalanche Zener | Microsemi |
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