| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 268361 | BSP 365 | Alti Interruttori Laterali Economici | Infineon |
| 268362 | BSP 450 | Alti Interruttori Laterali Economici | Infineon |
| 268363 | BSP 452 | Alti Interruttori Laterali Economici | Infineon |
| 268364 | BSP 550 | Alti Interruttori Laterali Economici | Infineon |
| 268365 | BSP 742-R | Alti Interruttori Laterali Economici | Infineon |
| 268366 | BSP 742-RI | Alti Interruttori Laterali Economici | Infineon |
| 268367 | BSP 742-T | Alti Interruttori Laterali Economici | Infineon |
| 268368 | BSP 752-R | Alti Interruttori Laterali Economici | Infineon |
| 268369 | BSP 752-T | Alti Interruttori Laterali Economici | Infineon |
| 268370 | BSP 76 | Interruttore Laterale Basso Protetto | Infineon |
| 268371 | BSP 762-T | Alti Interruttori Laterali Economici | Infineon |
| 268372 | BSP 77 | Interruttore Laterale Basso Protetto | Infineon |
| 268373 | BSP 772-T | Alti Interruttori Laterali Economici | Infineon |
| 268374 | BSP 78 | Interruttore Laterale Basso Protetto | Infineon |
| 268375 | BSP030 | transistore di field-effect di modo di aumento della N-scanalatura | Philips |
| 268376 | BSP030 | TrenchMOS N-channel livello intermedio FET | NXP Semiconductors |
| 268377 | BSP090 | transistore verticale D-MOS di modo di aumento della P-scanalatura | Philips |
| 268378 | BSP100 | transistore di TrenchMOS(tm) di modo di aumento della N-scanalatura | Philips |
| 268379 | BSP100 | TrenchMOS N-channel livello intermedio FET | NXP Semiconductors |
| 268380 | BSP106 | transistore verticale D-MOS di modo di aumento della N-scanalatura | Philips |
| 268381 | BSP107 | transistore verticale D-MOS di modo di aumento della N-scanalatura | Philips |
| 268382 | BSP108 | transistore verticale D-MOS di modo di aumento della N-scanalatura | Philips |
| 268383 | BSP110 | transistore di field-effect di modo di aumento della N-scanalatura | Philips |
| 268384 | BSP110 | TrenchMOS N-channel livello intermedio FET | NXP Semiconductors |
| 268385 | BSP120 | transistore verticale D-MOS di modo di aumento della N-scanalatura | Philips |
| 268386 | BSP121 | transistore verticale D-MOS di modo di aumento della N-scanalatura | Philips |
| 268387 | BSP122 | transistore verticale D-MOS di modo di aumento della N-scanalatura | Philips |
| 268388 | BSP122 | N-canale verticale D-MOS FET livello logico | NXP Semiconductors |
| 268389 | BSP123 | MOSFETs Di Bassa Tensione - Mosfet Small-Signal, 100V, Sot-223, RDSon=6 Ohm, 0.37A, LL | Infineon |
| 268390 | BSP123 | Transistore small-Signal di SIPMOS (livello di logica di modo di aumento della scanalatura di N) | Siemens |
| 268391 | BSP125 | Transistore small-Signal di SIPMOS (modo di aumento della scanalatura di N) | Siemens |
| 268392 | BSP125 | Alimentazione-Transistore di SIPMOS | Infineon |
| 268393 | BSP126 | transistore verticale D-MOS di modo di aumento della N-scanalatura | Philips |
| 268394 | BSP126 | N-canale verticale D-MOS FET livello logico | NXP Semiconductors |
| 268395 | BSP127 | transistore verticale D-MOS di modo di aumento della N-scanalatura | Philips |
| 268396 | BSP128 | transistore verticale D-MOS di modo di aumento della N-scanalatura | Philips |
| 268397 | BSP129 | MOSFETs Di Bassa Tensione - Mosfet Di Svuotamento, 240V, Sot-223, RDSon = Õhm, 0.0Ä, LL | Infineon |
| 268398 | BSP129 | Transistore small-Signal di SIPMOS (resistenza dinamica di modo di svuotamento della scanalatura di N alta) | Siemens |
| 268399 | BSP130 | transistore verticale D-MOS di modo di aumento della N-scanalatura | Philips |
| 268400 | BSP130 | N-canale verticale D-MOS FET livello logico | NXP Semiconductors |
| | | |
