No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
274561 | BUP400 | IGBT (valanga libera di andata di differenza de potenziale di alto di commutazione di velocitą latch-up corrente basso basso della coda valutata) | Siemens |
274562 | BUP400-D | IGBT Duopack (IGBT con Antiparallel... | Infineon |
274563 | BUP400D | IGBT con il diodo di Antiparallel (latch-up corrente di andata di differenza de potenziale dell'alta di commutazione coda bassa bassa di velocitą liberamente compreso il diodo veloce della libero-rotella) | Siemens |
274564 | BUP401 | Transistore di IGBT | Infineon |
274565 | BUP401 | IGBT (valanga libera di andata di differenza de potenziale di alto di commutazione di velocitą latch-up corrente basso basso della coda valutata) | Siemens |
274566 | BUP402 | Transistore di IGBT | Infineon |
274567 | BUP402 | IGBT (valanga libera di andata di differenza de potenziale di alto di commutazione di velocitą latch-up corrente basso basso della coda valutata) | Siemens |
274568 | BUP403 | Transistore di IGBT | Infineon |
274569 | BUP403 | IGBT (valanga libera di andata di differenza de potenziale di alto di commutazione di velocitą latch-up corrente basso basso della coda valutata) | Siemens |
274570 | BUP406 | Tranzystor duzej mocy wysokonapieciowy | Ultra CEMI |
274571 | BUP407 | Tranzystor duzej mocy wysokonapieciowy | Ultra CEMI |
274572 | BUP410 | IGBT (la valanga libera di andata di differenza de potenziale di alto di commutazione di velocitą latch-up corrente basso basso della coda ha valutato | Siemens |
274573 | BUP410D | IGBT con il diodo di Antiparallel (latch-up corrente di andata di differenza de potenziale dell'alta di commutazione coda bassa bassa di velocitą liberamente compreso il diodo veloce della libero-rotella) | Siemens |
274574 | BUP49 | Dispositivo bipolare di NPN in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO3. | SemeLAB |
274575 | BUP49 | Dispositivo bipolare di NPN in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO3. | SemeLAB |
274576 | BUP50A | TRANSISTORE Di ALTA ALIMENTAZIONE MOLTO VELOCE Multi-epitassiale di COMMUTAZIONE di NPN | SemeLAB |
274577 | BUP52 | Dispositivo bipolare di NPN in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO3. | SemeLAB |
274578 | BUP52 | Dispositivo bipolare di NPN in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO3. | SemeLAB |
274579 | BUP53 | Dispositivo bipolare di NPN in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO3. | SemeLAB |
274580 | BUP53 | Dispositivo bipolare di NPN in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO3. | SemeLAB |
274581 | BUP54 | TRANSISTORE Multi-epitassiale di NPN | SemeLAB |
274582 | BUP56 | TRANSISTORE Multi-epitassiale di NPN | SemeLAB |
274583 | BUP602-D | IGBT Duopack (IGBT con Antiparallel... | Infineon |
274584 | BUP602D | IGBT con il diodo di Antiparallel (latch-up corrente di andata di differenza de potenziale dell'alta di commutazione coda bassa bassa di velocitą liberamente compreso il diodo veloce della libero-rotella) | Siemens |
274585 | BUP603-D | IGBT Duopack (IGBT con Antiparallel... | Infineon |
274586 | BUP603D | IGBT con il diodo di Antiparallel (latch-up corrente di andata di differenza de potenziale dell'alta di commutazione coda bassa bassa di velocitą liberamente compreso il diodo veloce della libero-rotella) | Siemens |
274587 | BUP604 | Transistore di IGBT | Infineon |
274588 | BUP604 | IGBT (valanga libera di andata di differenza de potenziale di alto di commutazione di velocitą latch-up corrente basso basso della coda valutata) | Siemens |
274589 | BUPD1520 | TRANSISTORE DEL SILICONE DI NPN CON IL DIODO INTEGRATO | Power Innovations |
274590 | BUR20 | Dispositivo bipolare di NPN in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO3. | SemeLAB |
274591 | BUR20 | Dispositivo bipolare di NPN in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO3. | SemeLAB |
274592 | BUR21 | Dispositivo bipolare di NPN in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO3 | SemeLAB |
274593 | BUR24 | Dispositivo Bipolare di NPN | SemeLAB |
274594 | BUR50 | Dispositivo Bipolare di NPN | SemeLAB |
274595 | BUR50S | Dispositivo bipolare di NPN in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO3. | SemeLAB |
274596 | BUR50S | Dispositivo bipolare di NPN in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO3. | SemeLAB |
274597 | BUR51 | ALTO TRANSISTORE DEL SILICONE DELLA CORRENTE NPN | ST Microelectronics |
274598 | BUR51 | ALTO TRANSISTORE DEL SILICONE DELLA CORRENTE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
274599 | BUR52 | ALTO TRANSISTORE DEL SILICONE DELLA CORRENTE NPN | ST Microelectronics |
274600 | BUR52 | ALTO TRANSISTORE DEL SILICONE DELLA CORRENTE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
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