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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
300521CD2383RScopo 0.700W generale NPN transistor di plastica piombo. 160V Vceo, 1.000A Ic, 60-120 hFEContinental Device India Limited
300522CD2383YScopo 0.700W generale NPN transistor di plastica piombo. 160V Vceo, 1.000A Ic, 160-320 hFEContinental Device India Limited
300523CD240602Moduli Doppi Del Diodo Di Recupero Veloce 20 Volt Amperes/600-1200Powerex Power Semiconductors
300524CD240610Moduli Doppi Del Diodo Di Recupero Veloce 100 Volt Amperes/600-1200Powerex Power Semiconductors
300525CD240650Moduli Doppi Del Diodo Di Recupero Veloce 50 Volt Amperes/600-1200Powerex Power Semiconductors
300526CD241202Moduli Doppi Del Diodo Di Recupero Veloce 20 Volt Amperes/600-1200Powerex Power Semiconductors
300527CD241210Moduli Doppi Del Diodo Di Recupero Veloce 100 Volt Amperes/600-1200Powerex Power Semiconductors
300528CD241250Moduli Doppi Del Diodo Di Recupero Veloce 50 Volt Amperes/600-1200Powerex Power Semiconductors
300529CD2810CIRCUITI INTEGRATI DEL DIODO DI BARRIERA DELLO SCHOTTKY PER L'CApplicazione PER TUTTI GLI USICompensated Devices Incorporated
300530CD3001Transistore Epitassiale Planare Del Silicone di NPNContinental Device India Limited
300531CD3016BUNA POSSIBILITĄ DI 1 WATT CON L'CAbbassamento ADEGUATO DI CALORECompensated Devices Incorporated
300532CD3017BUNA POSSIBILITĄ DI 1 WATT CON L'CAbbassamento ADEGUATO DI CALORECompensated Devices Incorporated
300533CD3018BUNA POSSIBILITĄ DI 1 WATT CON L'CAbbassamento ADEGUATO DI CALORECompensated Devices Incorporated
300534CD3019BUNA POSSIBILITĄ DI 1 WATT CON L'CAbbassamento ADEGUATO DI CALORECompensated Devices Incorporated
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