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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
314321CLE230W880nm IRED, finestra piana To-46Clairex Technologies
314322CLE231880nm IRED, latta del metallo To-46Clairex Technologies
314323CLE231W880nm IRED, finestra piana To-46Clairex Technologies
314324CLE232880nm IRED, latta del metallo To-46Clairex Technologies
314325CLE232W880nm IRED, finestra piana To-46Clairex Technologies
314326CLE233880nm IRED, latta del metallo To-46Clairex Technologies
314327CLE234E2x2 880nm IRED, To-46 con la cupola a resina epossidicaClairex Technologies
314328CLE235880nm IRED, latta del metallo To-46Clairex Technologies
314329CLE300F850nm IRED, supporto di superficie, fascio largoClairex Technologies
314330CLE310F850nm IRED, supporto di superficie, fascio strettoClairex Technologies
314331CLE330E850nm IRED, To-46 con la cupola a resina epossidicaClairex Technologies
314332CLE330W850nm IRED, finestra piana To-46Clairex Technologies
314333CLE331fonte del punto di 850nm, latta del metallo To-46Clairex Technologies
314334CLE331Efonte del punto di 850nm, To-46 con la cupola a resina epossidicaClairex Technologies
314335CLE331P850nm IRED, fonte del punto, To-46 con l'obiettivo di plastica di collimazioneClairex Technologies
314336CLE335850nm IRED, latta del metallo To-46Clairex Technologies
314337CLE335P850nm IRED, To-46 con l'obiettivo di plastica di collimazioneClairex Technologies
314338CLE400FIRED/led (scelta delle lunghezze d'onda), supporto di superficie, fascio largoClairex Technologies
314339CLE435660nm LED, latta del metallo To-46Clairex Technologies



314340CLED155Diodo D'Emissione Infrarosso Dell'Arseniuro Di alluminioDel GallioClairex Technologies
314341CLED155FDiodo D'Emissione Infrarosso Dell'Arseniuro Di alluminioDel GallioClairex Technologies
314342CLED4003 V, 50 mA, arseniuro di gallio infrarossi emitting diodeClairex Technologies
314343CLED4053 V, 60 mA, arseniuro di gallio alluminio a raggi infrarossi emitting diodeClairex Technologies
314344CLF1G0035-100Banda larga RF di potenza GaN HEMTNXP Semiconductors
314345CLF1G0035-100PBanda larga RF di potenza GaN HEMTNXP Semiconductors
314346CLF1G0035-50Banda larga RF di potenza GaN HEMTNXP Semiconductors
314347CLF1G0035S-100Banda larga RF di potenza GaN HEMTNXP Semiconductors
314348CLF1G0035S-100PBanda larga RF di potenza GaN HEMTNXP Semiconductors
314349CLF1G0035S-50Banda larga RF di potenza GaN HEMTNXP Semiconductors
314350CLF1G0060-10Banda larga RF di potenza GaN HEMTNXP Semiconductors
314351CLF1G0060-30Banda larga RF di potenza GaN HEMTNXP Semiconductors
314352CLF1G0060S-10Banda larga RF di potenza GaN HEMTNXP Semiconductors
314353CLF1G0060S-30Banda larga RF di potenza GaN HEMTNXP Semiconductors
314354CLH01Diodo ad alta efficienza (HED)TOSHIBA
314355CLH05Diodo ad alta efficienza (HED)TOSHIBA
314356CLI200INTERRUTTORI OTTICIClairex Technologies
314357CLI210INTERRUTTORI OTTICIClairex Technologies
314358CLI220INTERRUTTORI OTTICIClairex Technologies
314359CLI230INTERRUTTORI OTTICIClairex Technologies
314360CLI250interruttore scanalato Secondario-miniatura, hsg della plastica di larghezza della scanalatura di 2mmClairex Technologies
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