| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 331881 | CSD401Y | 25.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 150V Vceo, 2.000A Ic, 120-240 hFE. CSB546Y complementare | Continental Device India Limited |
| 331882 | CSD43301Q5M | NexFET ™ intelligente raddrizzatore sincrono | Texas Instruments |
| 331883 | CSD471A | Scopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 1.000A Ic, 70-400 hFE | Continental Device India Limited |
| 331884 | CSD471AG | Scopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 1.000A Ic, 200-400 hFE | Continental Device India Limited |
| 331885 | CSD471AO | Scopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 1.000A Ic, 70-140 hFE | Continental Device India Limited |
| 331886 | CSD471AY | Scopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 1.000A Ic, 120-240 hFE | Continental Device India Limited |
| 331887 | CSD471G | Scopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 1.000A Ic, 200-400 hFE | Continental Device India Limited |
| 331888 | CSD471O | Scopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 1.000A Ic, 70-140 hFE | Continental Device India Limited |
| 331889 | CSD471Y | Scopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 1.000A Ic, 120-240 hFE | Continental Device India Limited |
| 331890 | CSD545 | 0.600W a bassa frequenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 1.000A Ic, 60-560 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331891 | CSD545D | 0.600W a bassa frequenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 1.000A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331892 | CSD545E | 0.600W a bassa frequenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 1.000A Ic, 100-200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331893 | CSD545F | 0.600W a bassa frequenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 1.000A Ic, 160-320 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331894 | CSD545G | 0.600W a bassa frequenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 1.000A Ic, 280-560 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331895 | CSD611 | 2.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 110V Vceo, 6.000A Ic, 2.000-20.000 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331896 | CSD655 | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Continental Device India Limited |
| 331897 | CSD655 | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Continental Device India Limited |
| 331898 | CSD655D | Scopo 0.500W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 15V, 0.700A Ic, 250-500 hFE | Continental Device India Limited |
| 331899 | CSD655E | Scopo 0.500W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 15V, 0.700A Ic, 300 - 800 hFE | Continental Device India Limited |
| 331900 | CSD655F | Scopo 0.500W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 15V, 0.700A Ic, 600-1200 hFE | Continental Device India Limited |
| 331901 | CSD667 | Scopo 0.900W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 80V, 1.000A Ic, 60-320 hFE | Continental Device India Limited |
| 331902 | CSD667A | Scopo 0.900W generale NPN transistor di plastica piombo. 100V Vceo, 1.000A Ic, 60-200 hFE | Continental Device India Limited |
| 331903 | CSD667AB | Scopo 0.900W generale NPN transistor di plastica piombo. 100V Vceo, 1.000A Ic, 60-120 hFE | Continental Device India Limited |
| 331904 | CSD667AC | Scopo 0.900W generale NPN transistor di plastica piombo. 100V Vceo, 1.000A Ic, 100-200 hFE | Continental Device India Limited |
| 331905 | CSD667B | Scopo 0.900W generale NPN transistor di plastica piombo. 100V Vceo, 1.000A Ic, 60-120 hFE | Continental Device India Limited |
| 331906 | CSD667C | Scopo 0.900W generale NPN transistor di plastica piombo. 100V Vceo, 1.000A Ic, 100-200 hFE | Continental Device India Limited |
| 331907 | CSD667D | Scopo 0.900W generale NPN transistor di plastica piombo. 100V Vceo, 1.000A Ic, 160-320 hFE | Continental Device India Limited |
| 331908 | CSD669 | 20.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 120V Vceo, 1.500A Ic, 60-320 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331909 | CSD669A | 20.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 160V Vceo, 1.500A Ic, 60-200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331910 | CSD669AB | 20.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 160V Vceo, 1.500A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331911 | CSD669AC | 20.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 160V Vceo, 1.500A Ic, 100-200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331912 | CSD669B | 20.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 120V Vceo, 1.500A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331913 | CSD669C | 20.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 120V Vceo, 1.500A Ic, 100-200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331914 | CSD669D | 20.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 120V Vceo, 1.500A Ic, 160-320 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331915 | CSD75204W15 | NexFET ™ MOSFET dual P-Channel Power | Texas Instruments |
| 331916 | CSD75205W1015 | NexFET ™ MOSFET dual P-Channel Power | Texas Instruments |
| 331917 | CSD75207W15 | NexFET ™ MOSFET dual P-Channel Power | Texas Instruments |
| 331918 | CSD75211W1723 | NexFET ™ MOSFET dual P-Channel Power | Texas Instruments |
| 331919 | CSD794 | 10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 3.000A Ic, 60-320 hFE. Complementare CSB744 | Continental Device India Limited |
| 331920 | CSD794A | 10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 60-320 hFE. CSB744A complementare | Continental Device India Limited |
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