| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 385321 | DS_K6F2016U4E | RAM piena di elettricitŕ statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 128K x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 385322 | DS_K6F3216T6M | RAM piena di elettricitŕ statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta x16 di 2M e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 385323 | DS_K6F4016U6G | RAM piena di elettricitŕ statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta 256Kx16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 385324 | DS_K6F8016U6B | RAM piena di elettricitŕ statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 512K x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 385325 | DS_K6F8016U6C | RAM piena di elettricitŕ statica di CMOS di alimentazione bassa eccellente della punta di 512K x16 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 385326 | DS_K6X8008C2B | RAM di elettricitŕ statica di CMOS di alimentazione bassa della punta 1Mx8 e di bassa tensione | Samsung Electronic |
| 385327 | DS_K6X8008TBN | CMOS SRAM | Samsung Electronic |
| 385328 | DS_K6X8016C3B | 64Kx36 & 64Kx32-Bit Burst Canalizzato Sincrono SRAM | Samsung Electronic |
| 385329 | DS_K7A803600B | 256Kx36 | Samsung Electronic |
| 385330 | DS_K7B803625B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Burst Sincrono SRAM | Samsung Electronic |
| 385331 | DS_K7M323625M | 1Mx36 & 2Mx18 Flu-Attraverso NtRAM | Samsung Electronic |
| 385332 | DS_K7M803625B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Attraversano NtRAM | Samsung Electronic |
| 385333 | DS_K7N163601A | 512Kx36 & 1Mx18 Hanno canalizzato NtRAM | Samsung Electronic |
| 385334 | DS_K7N323601M | 1Mx36 & 2Mx18-Bit Hanno canalizzato NtRAM | Samsung Electronic |
| 385335 | DS_K7N803601B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Hanno canalizzato NtRAM | Samsung Electronic |
| 385336 | DS_K7N803645B | 256Kx36 & 512Kx18-Bit Hanno canalizzato NtRAMTM | Samsung Electronic |
| 385337 | DS_K7R323682M | ÇMx36 & 2CMx18 & 4CMx9 QDRTM II B2 SRAM | Samsung Electronic |
| 385338 | DS_K9F1208U0M | una memoria istantanea dei 64M x 8 bit NAND | Samsung Electronic |
| 385339 | DS_K9K1208U0A | una memoria istantanea dei 64M x 8 bit NAND | Samsung Electronic |
| 385340 | DS_M366S2953MTS | PC133/PC100 DIMM Non tamponato | Samsung Electronic |
| 385341 | DS_M368L3223DTL | MODULO DI 256MB DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 385342 | DS_M390S2858CT1 | SDRAM DIMM | Samsung Electronic |
| 385343 | DS_S1A0291X01 | PB/rec PRE AMPČRE PER LA PIATTAFORMA 2 | Samsung Electronic |
| 385344 | DS_S1D2502A01 | IL VIDEO AMPČRE HA FUSO IL PROCESSOR DI OSD PER I VIDEO | Samsung Electronic |
| 385345 | DS_S1M8662A | RX IF/bba CON IL GPS | Samsung Electronic |
| 385346 | DS_S1M8837 | Rf/integer-n Frazionario-n SE PLL DOPPIO | Samsung Electronic |
| 385347 | DS_S1T2410B01 | circuito integrato bipolare progettato come rimontaggio della flangia del telefono | Samsung Electronic |
| 385348 | DS_S1T2410B02 | circuito integrato bipolare progettato come rimontaggio della flangia del telefono | Samsung Electronic |
| 385349 | DS_S1T8515A01 | FM SE RICEVENTE PER IL PAGER DELLA FLESSIONE | Samsung Electronic |
| 385350 | DS_S1T8528X01 | ENHANCED-1 IC DEL CIRCUITO INTEGRATO CT0 RF | Samsung Electronic |
| 385351 | DS_S5D0127X01 | VIDEO MULTISTANDARD DECODER/scaler | Samsung Electronic |
| 385352 | DS_S5L1462B | Playback di DVD e del CD | Samsung Electronic |
| 385353 | DS_S5T8702 | DECODIFICATORE ALFANUMERICO II DI FEEX | Samsung Electronic |
| 385354 | DS_S8S3122X16 | 256K x 16 SDRAM | Samsung Electronic |
| 385355 | DS_SCENIC_C620 | Piccolo PC Di Fattore Della Forma del PC Verde SCENICO C620 | Fujitsu Microelectronics |
| 385356 | DT-25-B01X-XX | Barriera Style/DT-25-B01X-XX | etc |
| 385357 | DT-7401-1 | DATI & TRASMISSIONE DELL'OROLOGIO | etc |
| 385358 | DT-7401-3 | DATI & TRASMISSIONE DELL'OROLOGIO | etc |
| 385359 | DT-7401-7 | DATI & TRASMISSIONE DELL'OROLOGIO | etc |
| 385360 | DT-7401-9 | DATI & TRASMISSIONE DELL'OROLOGIO | etc |
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