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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
396241EFFH20Colpetto ConcentrMicrosemi
396242EFG71891GENERATORE DI DTMF PER I DATI ESADECIMALI CODIFICATI BINARIST Microelectronics
396243EFG71891PDGENERATORE DI DTMF PER I DATI ESADECIMALI CODIFICATI BINARIST Microelectronics
396244EFG71891PDV (cc): -0.5 a + 3.3V; V (a): -0.3 a + 0.3V; Generatore DTMF per la codifica binaria dei dati esadecimaliSGS Thomson Microelectronics
396245EFG71899GENERATORE DI DTMF PER I DATI ESADECIMALI CODIFICATI BINARIST Microelectronics
396246EFG71899PDGENERATORE DI DTMF PER I DATI ESADECIMALI CODIFICATI BINARIST Microelectronics
396247EFG7189PDV (cc): -0.5 a + 3.3V; V (a): -0.3 a + 0.3V; Generatore DTMF per la codifica binaria dei dati esadecimaliSGS Thomson Microelectronics
396248EFJ2803FILTRO DI EMI 3AM.S. Kennedy Corp.
396249EFJ2803EFILTRO DI EMI 3AM.S. Kennedy Corp.
396250EFJ2803HFILTRO DI EMI 3AM.S. Kennedy Corp.
396251EFJ2803KFILTRO DI EMI 3AM.S. Kennedy Corp.
396252EFL700A39Ricaricabile al litio allo stato solido batteria a film sottile - EnFilm ™ST Microelectronics
396253EFL700A39-RLRicaricabile al litio allo stato solido batteria a film sottile - EnFilm ™ST Microelectronics
396254EFLH16Colpetto ConcentrMicrosemi
396255EFLH20Colpetto ConcentrMicrosemi
396256EFM-1900Miscelatori 1850 - Del Supporto Della Superficie Di E-Serie Megahertz 1980Tyco Electronics
396257EFM-19001850-1980 MHz, montaggio superficiale mixerMA-Com
396258EFM101DIODI VELOCI DI RECUPERO SMA DI ÇALeshan Radio Company
396259EFM101IL VETRO DI SUPERFICIE del SUPPORTO HA PASSIVATO IL RADDRIZZATORE AL SILICIO VELOCE ECCELLENTE (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 50 - 400 volt 1,0 ampère)Rectron Semiconductor
396260EFM102DIODI VELOCI DI RECUPERO SMA DI ÇALeshan Radio Company



396261EFM102IL VETRO DI SUPERFICIE del SUPPORTO HA PASSIVATO IL RADDRIZZATORE AL SILICIO VELOCE ECCELLENTE (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 50 - 400 volt 1,0 ampère)Rectron Semiconductor
396262EFM103DIODI VELOCI DI RECUPERO SMA DI ÇALeshan Radio Company
396263EFM103IL VETRO DI SUPERFICIE del SUPPORTO HA PASSIVATO IL RADDRIZZATORE AL SILICIO VELOCE ECCELLENTE (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 50 - 400 volt 1,0 ampère)Rectron Semiconductor
396264EFM104DIODI VELOCI DI RECUPERO SMA DI ÇALeshan Radio Company
396265EFM104IL VETRO DI SUPERFICIE del SUPPORTO HA PASSIVATO IL RADDRIZZATORE AL SILICIO VELOCE ECCELLENTE (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 50 - 400 volt 1,0 ampère)Rectron Semiconductor
396266EFM105DIODI VELOCI DI RECUPERO SMA DI ÇALeshan Radio Company
396267EFM105IL VETRO DI SUPERFICIE del SUPPORTO HA PASSIVATO IL RADDRIZZATORE AL SILICIO VELOCE ECCELLENTE (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 50 - 400 volt 1,0 ampère)Rectron Semiconductor
396268EFM106DIODI VELOCI DI RECUPERO SMA DI ÇALeshan Radio Company
396269EFM106IL VETRO DI SUPERFICIE del SUPPORTO HA PASSIVATO IL RADDRIZZATORE AL SILICIO VELOCE ECCELLENTE (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 50 - 400 volt 1,0 ampère)Rectron Semiconductor
396270EFM201IL VETRO DI SUPERFICIE del SUPPORTO HA PASSIVATO IL RADDRIZZATORE AL SILICIO VELOCE ECCELLENTE (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 50 - 400 volt 2,0 ampère)Rectron Semiconductor
396271EFM202IL VETRO DI SUPERFICIE del SUPPORTO HA PASSIVATO IL RADDRIZZATORE AL SILICIO VELOCE ECCELLENTE (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 50 - 400 volt 2,0 ampère)Rectron Semiconductor
396272EFM203IL VETRO DI SUPERFICIE del SUPPORTO HA PASSIVATO IL RADDRIZZATORE AL SILICIO VELOCE ECCELLENTE (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 50 - 400 volt 2,0 ampère)Rectron Semiconductor
396273EFM204IL VETRO DI SUPERFICIE del SUPPORTO HA PASSIVATO IL RADDRIZZATORE AL SILICIO VELOCE ECCELLENTE (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 50 - 400 volt 2,0 ampère)Rectron Semiconductor
396274EFM205IL VETRO DI SUPERFICIE del SUPPORTO HA PASSIVATO IL RADDRIZZATORE AL SILICIO VELOCE ECCELLENTE (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 50 - 400 volt 2,0 ampère)Rectron Semiconductor
396275EFM206IL VETRO DI SUPERFICIE del SUPPORTO HA PASSIVATO IL RADDRIZZATORE AL SILICIO VELOCE ECCELLENTE (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 50 - 400 volt 2,0 ampère)Rectron Semiconductor
396276EFM301IL VETRO DI SUPERFICIE del SUPPORTO HA PASSIVATO IL RADDRIZZATORE AL SILICIO VELOCE ECCELLENTE (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 50 - 400 volt 3,0 ampère)Rectron Semiconductor
396277EFM302IL VETRO DI SUPERFICIE del SUPPORTO HA PASSIVATO IL RADDRIZZATORE AL SILICIO VELOCE ECCELLENTE (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 50 - 400 volt 3,0 ampère)Rectron Semiconductor
396278EFM303IL VETRO DI SUPERFICIE del SUPPORTO HA PASSIVATO IL RADDRIZZATORE AL SILICIO VELOCE ECCELLENTE (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 50 - 400 volt 3,0 ampère)Rectron Semiconductor
396279EFM304IL VETRO DI SUPERFICIE del SUPPORTO HA PASSIVATO IL RADDRIZZATORE AL SILICIO VELOCE ECCELLENTE (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 50 - 400 volt 3,0 ampère)Rectron Semiconductor
396280EFM305IL VETRO DI SUPERFICIE del SUPPORTO HA PASSIVATO IL RADDRIZZATORE AL SILICIO VELOCE ECCELLENTE (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 50 - 400 volt 3,0 ampère)Rectron Semiconductor
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