No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
396561 | EGP30K | Raddrizzatori Veloci (Vetro Passivato) | Fairchild Semiconductor |
396562 | EGP30K | ALTO RADDRIZZATORE EFFICIENTE SINTERIZZATO DELLA GIUNZIONE PASSIVATO VETRO | Zowie Technology Corporation |
396563 | EGP30K | raddrizzatori efficienti passivati vetro di 3,0 ampère gli alti 50 - 800 volt | Micro Commercial Components |
396564 | EGP30K | Raddrizzatore: Standard | Taiwan Semiconductor |
396565 | EGP30K | raddrizzatori efficienti passivati vetro di 3,0 ampère gli alti 50 - 800 volt | MCC |
396566 | EGP30M | ALTO RADDRIZZATORE EFFICIENTE SINTERIZZATO DELLA GIUNZIONE PASSIVATO VETRO | Zowie Technology Corporation |
396567 | EGP30M | Raddrizzatore: Standard | Taiwan Semiconductor |
396568 | EGP50 | RADDRIZZATORE EFFICIENTE VELOCE PASSIVATO VETRO | General Semiconductor |
396569 | EGP50A | Raddrizzatore Di Ultrafast Passivato Vetro, Corrente Di andata 5,0 A | Vishay |
396570 | EGP50A | RADDRIZZATORE EFFICIENTE VELOCE PASSIVATO VETRO | General Semiconductor |
396571 | EGP50B | Raddrizzatore Di Ultrafast Passivato Vetro, Corrente Di andata 5,0 A | Vishay |
396572 | EGP50B | RADDRIZZATORE EFFICIENTE VELOCE PASSIVATO VETRO | General Semiconductor |
396573 | EGP50C | Raddrizzatore Di Ultrafast Passivato Vetro, Corrente Di andata 5,0 A | Vishay |
396574 | EGP50C | RADDRIZZATORE EFFICIENTE VELOCE PASSIVATO VETRO | General Semiconductor |
396575 | EGP50D | Raddrizzatore Di Ultrafast Passivato Vetro, Corrente Di andata 5,0 A | Vishay |
396576 | EGP50D | RADDRIZZATORE EFFICIENTE VELOCE PASSIVATO VETRO | General Semiconductor |
396577 | EGP50F | Raddrizzatore Di Ultrafast Passivato Vetro, Corrente Di andata 5,0 A | Vishay |
396578 | EGP50F | RADDRIZZATORE EFFICIENTE VELOCE PASSIVATO VETRO | General Semiconductor |
396579 | EGP50G | Raddrizzatore Di Ultrafast Passivato Vetro, Corrente Di andata 5,0 A | Vishay |
396580 | EGP50G | RADDRIZZATORE EFFICIENTE VELOCE PASSIVATO VETRO | General Semiconductor |
396581 | EGS/W/N | L'affidabilità di Military/Established, Mil-r-39007 Qual., il tipo RWR, il livello della R, resistenza solvibile di raduni di Mil-std-202 (metodo 215), 100% alimenta la stabilizzazione e la prova di selezione | Vishay |
396582 | EH 1 | Diodi Di Raddrizzatore Di Veloce-Recupero | Sanken |
396583 | EH 1A | Diodi di raddrizzatore di Veloce-Recupero (600 a 1000V) | Sanken |
396584 | EH 1Z | Diodi Di Raddrizzatore Di Veloce-Recupero | Sanken |
396585 | EH10002Z1 | Un Ponticello Di 3 Fasi | Microsemi |
396586 | EH10002ZI | 3 MODULI DEL PONTICELLO DI FASE | Microsemi |
396587 | EH10004Z1 | Un Ponticello Di 3 Fasi | Microsemi |
396588 | EH10004ZI | 3 MODULI DEL PONTICELLO DI FASE | Microsemi |
396589 | EH10006Z1 | Un Ponticello Di 3 Fasi | Microsemi |
396590 | EH10006ZI | 3 MODULI DEL PONTICELLO DI FASE | Microsemi |
396591 | EH10008Z1 | Un Ponticello Di 3 Fasi | Microsemi |
396592 | EH10008ZI | 3 MODULI DEL PONTICELLO DI FASE | Microsemi |
396593 | EH10010Z1 | Un Ponticello Di 3 Fasi | Microsemi |
396594 | EH10010ZI | 3 MODULI DEL PONTICELLO DI FASE | Microsemi |
396595 | EH10012Z1 | Un Ponticello Di 3 Fasi | Microsemi |
396596 | EH10012ZI | 3 MODULI DEL PONTICELLO DI FASE | Microsemi |
396597 | EH10B1 | Assemblee Incapsulate 12 Ampère | Microsemi |
396598 | EH10Z1 | Assemblee Incapsulate 12 Ampère | Microsemi |
396599 | EH12B1 | Assemblee Incapsulate 12 Ampère | Microsemi |
396600 | EH12Z1 | Assemblee Incapsulate 12 Ampère | Microsemi |
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