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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
401721EN29LV800JT-70T8 Megabit (1024K x 8-bit / 512 K x 16 bit) Memoria Flach. Boot memoria flash settore, CMOS 3,0 volt soltanto. 70ns velocitŕ. Settore superiore.Eon Silicon Solution
401722EN29LV800JT-70TI8 Megabit (1024K x 8-bit / 512 K x 16 bit) Memoria Flach. Boot memoria flash settore, CMOS 3,0 volt soltanto. 70ns velocitŕ. Settore superiore.Eon Silicon Solution
401723EN29LV800JT-90T8 Megabit (1024K x 8-bit / 512 K x 16 bit) Memoria Flach. Boot memoria flash settore, CMOS 3,0 volt soltanto. 90ns velocitŕ. Settore superiore.Eon Silicon Solution
401724EN29LV800JT-90TI8 Megabit (1024K x 8-bit / 512 K x 16 bit) Memoria Flach. Boot memoria flash settore, CMOS 3,0 volt soltanto. 90ns velocitŕ. Settore superiore.Eon Silicon Solution
401725EN29LV800T70RSmemoria istantanea dell'istantaneo del settore del caricamento del sistema di memoria di 8 megabit (1024K x 8-bit/512K x a 16 bit), CMOS 3,0 Volt-soltantoEon Silicon Solution
401726EN29LV800T70RSImemoria istantanea dell'istantaneo del settore del caricamento del sistema di memoria di 8 megabit (1024K x 8-bit/512K x a 16 bit), CMOS 3,0 Volt-soltantoEon Silicon Solution
401727EN29LV800T70RSIPmemoria istantanea dell'istantaneo del settore del caricamento del sistema di memoria di 8 megabit (1024K x 8-bit/512K x a 16 bit), CMOS 3,0 Volt-soltantoEon Silicon Solution
401728EN29LV800T70RSPmemoria istantanea dell'istantaneo del settore del caricamento del sistema di memoria di 8 megabit (1024K x 8-bit/512K x a 16 bit), CMOS 3,0 Volt-soltantoEon Silicon Solution
401729EN29LV800T70RTmemoria istantanea dell'istantaneo del settore del caricamento del sistema di memoria di 8 megabit (1024K x 8-bit/512K x a 16 bit), CMOS 3,0 Volt-soltantoEon Silicon Solution
401730EN29LV800T70RTImemoria istantanea dell'istantaneo del settore del caricamento del sistema di memoria di 8 megabit (1024K x 8-bit/512K x a 16 bit), CMOS 3,0 Volt-soltantoEon Silicon Solution
401731EN29LV800T70RTIPmemoria istantanea dell'istantaneo del settore del caricamento del sistema di memoria di 8 megabit (1024K x 8-bit/512K x a 16 bit), CMOS 3,0 Volt-soltantoEon Silicon Solution
401732EN29LV800T70RTPmemoria istantanea dell'istantaneo del settore del caricamento del sistema di memoria di 8 megabit (1024K x 8-bit/512K x a 16 bit), CMOS 3,0 Volt-soltantoEon Silicon Solution
401733EN29LV800T90Smemoria istantanea dell'istantaneo del settore del caricamento del sistema di memoria di 8 megabit (1024K x 8-bit/512K x a 16 bit), CMOS 3,0 Volt-soltantoEon Silicon Solution
401734EN29LV800T90SImemoria istantanea dell'istantaneo del settore del caricamento del sistema di memoria di 8 megabit (1024K x 8-bit/512K x a 16 bit), CMOS 3,0 Volt-soltantoEon Silicon Solution
401735EN29LV800T90SIPmemoria istantanea dell'istantaneo del settore del caricamento del sistema di memoria di 8 megabit (1024K x 8-bit/512K x a 16 bit), CMOS 3,0 Volt-soltantoEon Silicon Solution
401736EN29LV800T90SPmemoria istantanea dell'istantaneo del settore del caricamento del sistema di memoria di 8 megabit (1024K x 8-bit/512K x a 16 bit), CMOS 3,0 Volt-soltantoEon Silicon Solution
401737EN29LV800T90Tmemoria istantanea dell'istantaneo del settore del caricamento del sistema di memoria di 8 megabit (1024K x 8-bit/512K x a 16 bit), CMOS 3,0 Volt-soltantoEon Silicon Solution



401738EN29LV800T90TImemoria istantanea dell'istantaneo del settore del caricamento del sistema di memoria di 8 megabit (1024K x 8-bit/512K x a 16 bit), CMOS 3,0 Volt-soltantoEon Silicon Solution
401739EN29LV800T90TIPmemoria istantanea dell'istantaneo del settore del caricamento del sistema di memoria di 8 megabit (1024K x 8-bit/512K x a 16 bit), CMOS 3,0 Volt-soltantoEon Silicon Solution
401740EN29LV800T90TPmemoria istantanea dell'istantaneo del settore del caricamento del sistema di memoria di 8 megabit (1024K x 8-bit/512K x a 16 bit), CMOS 3,0 Volt-soltantoEon Silicon Solution
401741EN3025Transistor bipolare,-50V,-1A, Basso VCE (sat), PNP singolo NMPON Semiconductor
401742EN3026Transistor bipolare,-50V,-2A, Basso VCE (sat), PNP singolo NMPON Semiconductor
401743EN3088PIN Diode, 50V, 50mA, rs = 5 Ohm (tip), Dual CPON Semiconductor
401744EN3093Bipolar Transistor, (-) 50V, (-) 3A, Basso VCE (sat), (PNP) NPN singolo NMPON Semiconductor
401745EN3094Bipolar Transistor, (-) 100V, (-) 1A, Basso VCE (sat), (PNP) NPN singolo NMPON Semiconductor
401746EN3096Bipolar Transistor, (-) 100V, (-) 2A, a bassa VCE (sat), (PNP) NPN singolo NMPON Semiconductor
401747EN3235Bipolar Transistor, 20V, 5A, Basso VCE (sat), NPN singolo NMPON Semiconductor
401748EN3240Diodo Schottky barriera, 5V, 30mA, 0.69pF, Dual CPON Semiconductor
401749EN3309Power Amplifier 5W con pochissime parti esterne per Car AudioON Semiconductor
401750EN3578Bipolar Transistor, (-) 160V, (-) 1,5, a bassa VCE (sat), (PNP) NPN singolo NMPON Semiconductor
401751EN3582Bipolar Transistor,-180V,-160A, Basso VCE (sat) PNP singolo NMPON Semiconductor
401752EN3906PIN Diode, 50V, 50mA, rs = 5 Ohm (tip), Dual MCPON Semiconductor
401753EN4401PIN Diode, 50V, 50mA, rs = max 4,5 Ohm, Dual MCPON Semiconductor
401754EN4403PIN Diode, 50V, 50mA, rs = max 4,5 Ohm, Dual CPON Semiconductor
401755EN4423N-channnel Doppio cancello MOSFET, 15V, 30mA, PG = 21dB, NF = 1.1dB, CP4ON Semiconductor
401756EN4510PIN Diode, 50V, 50mA, rs = 2,5 Ohm (tip), singolo MCPON Semiconductor
401757EN4511PIN Diode, 50V, 50mA, rs = 2,5 Ohm (tip), Dual MCPON Semiconductor
401758EN4514PIN Diode, 50V, 50mA, rs = 2,5 Ohm (tip), Dual CPON Semiconductor
401759EN4715Front end FM ad alte prestazioni per autoradioON Semiconductor
401760EN4839JFET a canale N, 15V, da 6 a 32mA, 38mS, CPON Semiconductor
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