| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 417641 | FM120 | Tipo epitassiale del planer del silicone | Formosa MS |
| 417642 | FM120 | RADDRIZZATORE DI SUPERFICIE della BARRIERA dello SCHOTTKY del SUPPORTO (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 20 - 100 volt 1,0 ampčre) | Rectron Semiconductor |
| 417643 | FM120-M | Tipo epitassiale del planer del silicone | Formosa MS |
| 417644 | FM120L | RADDRIZZATORE DI SUPERFICIE della BARRIERA dello SCHOTTKY del SUPPORTO (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 20 - 40 volt 1,0 ampčre) | Rectron Semiconductor |
| 417645 | FM120M | RADDRIZZATORE DI SUPERFICIE della BARRIERA dello SCHOTTKY del SUPPORTO (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 20 - 40 volt 1,0 ampčre) | Rectron Semiconductor |
| 417646 | FM1233A | Circuito Del Soprintendente Dei 3-Perni C | Fairchild Semiconductor |
| 417647 | FM1233ABA | 3.08V, Circuito Bidirezionale Basso Attivo Del Generatore Di Risistemazione Di Precisione | Fairchild Semiconductor |
| 417648 | FM1233ABAS3X | 3.08V, Circuito Bidirezionale Basso Attivo Del Generatore Di Risistemazione Di Precisione | Fairchild Semiconductor |
| 417649 | FM1233AC | Circuito del soprintendente del µC dei 3-Perni | Fairchild Semiconductor |
| 417650 | FM1233ACS3X | 2.88V, Circuito Bidirezionale Basso Attivo Del Generatore Di Risistemazione Di Precisione | Fairchild Semiconductor |
| 417651 | FM1233AD | Circuito del soprintendente del µC dei 3-Perni | Fairchild Semiconductor |
| 417652 | FM1233ADS3X | 2.72V, Circuito Bidirezionale Basso Attivo Del Generatore Di Risistemazione Di Precisione | Fairchild Semiconductor |
| 417653 | FM1233B | Circuito Del Soprintendente Dei 3-Perni C | Fairchild Semiconductor |
| 417654 | FM1233BD | Circuito del soprintendente del µC dei 3-Perni | Fairchild Semiconductor |
| 417655 | FM1233BDS3X | 4.38V, Circuito Bidirezionale Basso Attivo Del Generatore Di Risistemazione Di Precisione | Fairchild Semiconductor |
| 417656 | FM1233BE | Circuito del soprintendente del µC dei 3-Perni | Fairchild Semiconductor |
| 417657 | FM1233BES3X | 4.12V, Circuito Bidirezionale Basso Attivo Del Generatore Di Risistemazione Di Precisione | Fairchild Semiconductor |
| 417658 | FM1233BF | Circuito del soprintendente del µC dei 3-Perni | Fairchild Semiconductor |
| 417659 | FM1233BFS3X | 4.62V, Circuito Bidirezionale Basso Attivo Del Generatore Di Risistemazione Di Precisione | Fairchild Semiconductor |
| 417660 | FM1233D | Circuito Del Soprintendente Dei 3-Perni C | Fairchild Semiconductor |
| 417661 | FM1233DD | Circuito del soprintendente del µC dei 3-Perni | Fairchild Semiconductor |
| 417662 | FM1233DDS3X | 4.38V, Circuito Basso Attivo Del Generatore Di Risistemazione Di Precisione | Fairchild Semiconductor |
| 417663 | FM1233DE | Circuito del soprintendente del µC dei 3-Perni | Fairchild Semiconductor |
| 417664 | FM1233DES3X | 4.12V, Circuito Basso Attivo Del Generatore Di Risistemazione Di Precisione | Fairchild Semiconductor |
| 417665 | FM1233DF | Circuito del soprintendente del µC dei 3-Perni | Fairchild Semiconductor |
| 417666 | FM1233DFS3X | 4.62V, Circuito Basso Attivo Del Generatore Di Risistemazione Di Precisione | Fairchild Semiconductor |
| 417667 | FM1233E | Circuito Del Soprintendente Dei 3-Perni C | Fairchild Semiconductor |
| 417668 | FM1233EC | Circuito del soprintendente del µC dei 3-Perni | Fairchild Semiconductor |
| 417669 | FM1233ECS3X | 2.88V, Circuito Basso Attivo Del Generatore Di Risistemazione Di Precisione | Fairchild Semiconductor |
| 417670 | FM1233ED | Circuito del soprintendente del µC dei 3-Perni | Fairchild Semiconductor |
| 417671 | FM1233EDS3X | 2.72V, Circuito Basso Attivo Del Generatore Di Risistemazione Di Precisione | Fairchild Semiconductor |
| 417672 | FM1236 | Video desktop & sistema radiofonico m., N del modulo di FM | Philips |
| 417673 | FM1246 | Video desktop & sistema radiofonico CCIR I del modulo di FM | Philips |
| 417674 | FM130 | Tipo epitassiale del planer del silicone | Formosa MS |
| 417675 | FM130-M | Tipo epitassiale del planer del silicone | Formosa MS |
| 417676 | FM1301-7R | Convertitori Di CC-CC Di 50 Watt | Power-One |
| 417677 | FM140 | Tipo epitassiale del planer del silicone | Formosa MS |
| 417678 | FM140-M | Tipo epitassiale del planer del silicone | Formosa MS |
| 417679 | FM140L | RADDRIZZATORE DI SUPERFICIE della BARRIERA dello SCHOTTKY del SUPPORTO (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 20 - 40 volt 1,0 ampčre) | Rectron Semiconductor |
| 417680 | FM140M | RADDRIZZATORE DI SUPERFICIE della BARRIERA dello SCHOTTKY del SUPPORTO (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 20 - 40 volt 1,0 ampčre) | Rectron Semiconductor |
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