| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 418641 | FMB3906_NL | Amplificatore Di Uso generale Del Multi-Circuito integrato di PNP | Fairchild Semiconductor |
| 418642 | FMB3946 | Amplificatore Di Uso generale di PNP & di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 418643 | FMB5551 | Amplificatore Di Uso generale di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 418644 | FMB5551_NL | Amplificatore Di Uso generale di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 418645 | FMB857B | 256Mb F-muoiono La Specifica di DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 418646 | FMB857B | 256Mb F-muoiono La Specifica di DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 418647 | FMB857B | 256Mb F-muoiono La Specifica di DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 418648 | FMBA06 | Amplificatore Di Uso generale Del Multi-Circuito integrato di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 418649 | FMBA0656 | Pacchetto Di superficie Del Supporto Di SuperSOT- 6 Doppi Complementari Del Transistore di PNP & di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 418650 | FMBA14 | Transistore Di Darlington Del Multi-Circuito integrato di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 418651 | FMBA56 | Amplificatore Di Uso generale Del Multi-Circuito integrato di PNP | Fairchild Semiconductor |
| 418652 | FMBB4148 | 200 DIODI PLANARI EPITASSIALI di Mw | etc |
| 418653 | FMBB4148 | 200 DIODI PLANARI EPITASSIALI di Mw | etc |
| 418654 | FMBB4148 | 200 DIODI PLANARI EPITASSIALI di Mw | etc |
| 418655 | FMBL1G200US60 | IGBT | Fairchild Semiconductor |
| 418656 | FMBL1G300US60 | IGBT | Fairchild Semiconductor |
| 418657 | FMBM5401 | Amplificatore Di Uso generale di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 418658 | FMBM5401_SB74001 | Amplificatore Di Uso generale di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 418659 | FMBM5551 | Amplificatore Di Uso generale di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 418660 | FMBM5551_SB16001 | Amplificatore Di Uso generale di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 418661 | FMBS2383 | NPN epitassiale del silicone del transistore | Fairchild Semiconductor |
| 418662 | FMBS5401 | Amplificatore Di Uso generale di PNP | Fairchild Semiconductor |
| 418663 | FMBS549 | Transistore Basso Di Saturazione di PNP | Fairchild Semiconductor |
| 418664 | FMBS5551 | Amplificatore Di Uso generale di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 418665 | FMBSA06 | Amplificatore Di Uso generale di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 418666 | FMBSA56 | Amplificatore Di Uso generale di PNP | Fairchild Semiconductor |
| 418667 | FMBT3904 | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI NPN | Formosa MS |
| 418668 | FMBT3906 | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI PNP | Formosa MS |
| 418669 | FMC-26U | Diodi di raddrizzatore di Ultra-Veloce-Recupero (600 a 1000V) | Sanken |
| 418670 | FMC-26UA | Diodi di raddrizzatore di Ultra-Veloce-Recupero (1200V ed eccedenza) | Sanken |
| 418671 | FMC-28U | Diodi di raddrizzatore di Ultra-Veloce-Recupero (600 a 1000V) | Sanken |
| 418672 | FMC-28UA | Diodi di raddrizzatore di Ultra-Veloce-Recupero (1200V ed eccedenza) | Sanken |
| 418673 | FMC-G28S | Diodi di raddrizzatore di Ultra-Veloce-Recupero (600 a 1000V) | Sanken |
| 418674 | FMC-G28SL | Diodi di raddrizzatore di Ultra-Veloce-Recupero (600 a 1000V) | Sanken |
| 418675 | FMC1819C6-02 | Moduli Di GaAs Di Alimentazione Della K-Fascia | Fujitsu Microelectronics |
| 418676 | FMC1819LN-02 | Moduli Di GaAs Di Alimentazione Della K-Fascia | Fujitsu Microelectronics |
| 418677 | FMC1819P1-01 | Moduli Di GaAs Di Alimentazione Della K-Fascia | Fujitsu Microelectronics |
| 418678 | FMC2 | Planari Epitassiali Si raddoppiano Mini-Modellano Il Transistore Del Silicone di PNP/NPN | ROHM |
| 418679 | FMC2 | Planari Epitassiali Si raddoppiano Mini-Modellano Il Transistore Del Silicone di PNP/NPN | ROHM |
| 418680 | FMC2122C6-03 | Moduli Di GaAs Di Alimentazione Di K-Marca Di Ku | Fujitsu Microelectronics |
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