No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
419961 | FODM8801 | OptoHiT TM Series, ad alta temperatura Fototransistore Optocoupler in Half-Pitch Mini-Flat 4-Pin Package | Fairchild Semiconductor |
419962 | FODM8801A | OptoHiT Series, ad alta temperatura Fototransistore | Fairchild Semiconductor |
419963 | FODM8801B | OptoHiT Series, ad alta temperatura Fototransistore | Fairchild Semiconductor |
419964 | FODM8801C | OptoHiT Series, ad alta temperatura Fototransistore | Fairchild Semiconductor |
419965 | FOIL - HERMETIC RESISTOR NETWORK | Reti ermetiche del resistore, caratteristiche dei pacchetti disponibili | Vishay |
419966 | FOOTPRINT-SOD80C | Orma della cartolina del PC | Philips |
419967 | FOR261F-1 | V (cc): + 6V; monolitica in fibra ottica TTL ricevitore. Per le comunicazioni di dati, modem ottico, controllo della macchina industriale, controllo di periferiche / comunicazione | National Semiconductor |
419968 | FOR261F-2 | V (cc): + 6V; monolitica in fibra ottica TTL ricevitore. Per le comunicazioni di dati, modem ottico, controllo della macchina industriale, controllo di periferiche / comunicazione | National Semiconductor |
419969 | FOR361B | Ricevente Fiber-Optic | National Semiconductor |
419970 | FOR361B-1 | V (cc): + 6V; fibra ottica ricevente. Per le comunicazioni di dati, modem ottico, controllo della macchina industriale, controllo di periferiche / comunicazioni, etc. | National Semiconductor |
419971 | FOR361B-2 | V (cc): + 6V; fibra ottica ricevente. Per le comunicazioni di dati, modem ottico, controllo della macchina industriale, controllo di periferiche / comunicazioni, etc. | National Semiconductor |
419972 | FP | Il Formato Industriale, Ignifugo, Piccolo, Il Basso costo, Caratteristiche Eccezionali Di Frequenza, Placcate, Latta-Conduce I Cavi Di Rivestimento Della Saldatura | Vishay |
419973 | FP-14DA | Invertitori Di Schmitt-innesco Del Hex | Hitachi Semiconductor |
419974 | FP-14DA | Invertitori Di Schmitt-innesco Del Hex | Hitachi Semiconductor |
419975 | FP-14DN | Invertitori Di Schmitt-innesco Del Hex | Hitachi Semiconductor |
419976 | FP-14DN | Invertitori Di Schmitt-innesco Del Hex | Hitachi Semiconductor |
419977 | FP1 | transistore epitassiale del silicone del resistore PNP del su-circuito integrato per la commutazione di metą di-velocitą | NEC |
419978 | FP1 | transistore epitassiale del silicone del resistore PNP del su-circuito integrato per la commutazione di metą di-velocitą | NEC |
419979 | FP1/2P, 1P, 2P, 3P, 69P | Sostenere protettivo, caratteristiche sostenenti di impulso del lampo con funzionalitą del resistore, caratteristica di fusione pił tagliente che la serie di prodotti ignifuga standard (fusibile), protegge dai rischi elettrici | Vishay |
419980 | FP100 | RENDIMENTO ELEVATO PHEMT | Filtronic |
419981 | FP100F | 10000 V raddrizzatore pila 2,2 A corrente diretta, a 150 ns tempo di recupero | Voltage Multipliers |
419982 | FP100S | 10000 V raddrizzatore pila 2,2 A di corrente in avanti, 3000 ns tempo di recupero | Voltage Multipliers |
419983 | FP101 | Transistore Planare Epitassiale Del Silicone di PNP/Applicazioni Composite Del Convertitore Di CC-CC Del Diodo Di Barriera Dello Schottky | SANYO |
419984 | FP102 | Transistore Planare Epitassiale Del Silicone di PNP/Applicazioni Composite Del Convertitore Di CC-CC Del Diodo Di Barriera Dello Schottky | SANYO |
419985 | FP103 | Applicazioni Planari Epitassiali Del Convertitore Del Diodo Di Barriera Dello Schottky Del Transistore Del Silicone di PNP DC/dc | SANYO |
419986 | FP104 | Applicazioni Planari Epitassiali Del Convertitore Di CC-CC Del Diodo Di Barriera Del Transistore SBD:Schottky Del Silicone di TR:pnp | SANYO |
419987 | FP105 | Applicazioni Planari Epitassiali Del Convertitore Di CC-CC Del Diodo Di Barriera Del Transistore SBD:Schottky Del Silicone di TR:pnp | SANYO |
419988 | FP106 | Applicazioni Planari Epitassiali Del Convertitore Di CC-CC Del Diodo Di Barriera Del Transistore SBD:Schottky Del Silicone di TR:pnp | SANYO |
419989 | FP107 | Applicazioni Planari Epitassiali Del Convertitore Di CC-CC Del Diodo Di Barriera Del Transistore SBD:Schottky Del Silicone di TR:pnp | SANYO |
419990 | FP108 | Applicazioni Planari Epitassiali Del Convertitore Di CC-CC Del Diodo Di Barriera Del Transistore SBD:Schottky Del Silicone di TR:pnp | SANYO |
419991 | FP10R06KL4 | Elektrische Eigenschaften/proprietą elettriche | Eupec |
419992 | FP10R06KL4 | Elektrische Eigenschaften/proprietą elettriche | Eupec |
419993 | FP1189 | 1/2 watt HFET | WJ Communications |
419994 | FP1189-PCB-1900 | 1/2 watt HFET | WJ Communications |
419995 | FP1189-PCB-900 | 1/2 watt HFET | WJ Communications |
419996 | FP125F | 12500 V raddrizzatore pila 2,2 A corrente diretta, a 150 ns tempo di recupero | Voltage Multipliers |
419997 | FP125S | 12500 V raddrizzatore pila 2,2 A di corrente in avanti, 3000 ns tempo di recupero | Voltage Multipliers |
419998 | FP150F | 15000 V raddrizzatore pila 2,2 A corrente diretta, a 150 ns tempo di recupero | Voltage Multipliers |
419999 | FP150S | 15000 V raddrizzatore pila 2,2 A di corrente in avanti, 3000 ns tempo di recupero | Voltage Multipliers |
420000 | FP150TA10U | MOSFET MEZZO AA - PAK DI ALIMENTAZIONE DI BRODGE HEXFET | etc |
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