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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
489612N6516Scopo 0.625W generale NPN transistor di plastica piombo. 300V Vceo, nominale 0,500A Ic, 30 - hFEContinental Device India Limited
489622N6516High voltage transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 250V. Collector-base voltage: Vcbo = 250V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.USHA India LTD
489632N6517Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN - Transistore Ad alta tensioneFairchild Semiconductor
489642N6517TRANSISTORE DI ALIMENTAZIONE MEDIO PLANARE DEL SILICONE DI NPNZetex Semiconductors
489652N6517Transistore Ad alta tensione 625mWMicro Commercial Components
489662N6517Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del SegnaleCentral Semiconductor
489672N6517Transistori Ad alta tensioneON Semiconductor
489682N6517TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
489692N6517Scopo 0.625W generale NPN transistor di plastica piombo. 350V Vceo, nominale 0,500A Ic, 20 - hFEContinental Device India Limited
489702N6517Ic = 500mA, transistor Vce = 10VMCC
489712N6517High voltage transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 350V. Collector-base voltage: Vcbo = 350V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.USHA India LTD
489722N6517BUTransistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
489732N6517CBUTransistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
489742N6517CTATransistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
489752N6517RLRATransistori Ad alta tensioneON Semiconductor
489762N6517RLRPTransistori Ad alta tensioneON Semiconductor
489772N6517TATransistore Epitassiale Del Silicone di NPNFairchild Semiconductor
489782N6518Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP - Transistore Ad alta tensioneFairchild Semiconductor



489792N6518Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del SegnaleCentral Semiconductor
489802N6518TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNPSamsung Electronic
489812N6518High voltage transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = -250V. Collector-base voltage: Vcbo = -250V. Collector dissipation: Pc(max) = 0.625W.USHA India LTD
489822N6518BUTransistore Epitassiale Del Silicone di PNPFairchild Semiconductor
489832N6518TATransistore Epitassiale Del Silicone di PNPFairchild Semiconductor
489842N6519Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP - Transistore Ad alta tensioneFairchild Semiconductor
489852N6519Transistore Ad alta tensione 625mWMicro Commercial Components
489862N6519Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del SegnaleCentral Semiconductor
489872N6519Transistori Ad alta tensioneON Semiconductor
489882N6519TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNPSamsung Electronic
489892N6519Scopo 0.625W generale PNP Transistor plastica piombo. 300V Vceo, nominale 0,500A Ic, 30 - hFEContinental Device India Limited
489902N6519Ic = 500mA, transistor Vce = 10VMCC
489912N6519High voltage transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = -300V. Collector-base voltage: Vcbo = -300V. Collector dissipation: Pc(max) = 0.625W.USHA India LTD
489922N6519BUTransistore Epitassiale Del Silicone di PNPFairchild Semiconductor
489932N6519RLRATransistori ad alta tensioneON Semiconductor
489942N6519TATransistore Epitassiale Del Silicone di PNPFairchild Semiconductor
489952N6520Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP - Transistore Ad alta tensioneFairchild Semiconductor
489962N6520TRANSISTORE DI ALIMENTAZIONE MEDIO PLANARE DEL SILICONE DI PNPZetex Semiconductors
489972N6520Transistore Ad alta tensione 625mWMicro Commercial Components
489982N6520Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del SegnaleCentral Semiconductor
489992N6520Transistori Ad alta tensioneON Semiconductor
490002N6520TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNPSamsung Electronic
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