| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 49521 | 2N7002 | TRANSISTORE di EFFETTO di CAMPO di MODO di AUMENTO Della N-scanalatura | Panjit International Inc |
| 49522 | 2N7002 | Transistore Di Effetto Di Campo Di Modo Di Aumento Della N-Scanalatura | Chino-Excel Technology |
| 49523 | 2N7002 | FETs Verticali Di Aumento-Modo DMOS Della N-Scanalatura | Supertex Inc |
| 49524 | 2N7002 | N-scanalatura 60V - 1,8 Ohm - 0.3Ä Sot23-3l - Mosfet Di To-92 STripFET™II | ST Microelectronics |
| 49525 | 2N7002 | 60 V, 300 mA MOSFET a canale N Trench | NXP Semiconductors |
| 49526 | 2N7002 | Canale N transistore. Drain-sourse tensione di 60 V. | Comchip Technology |
| 49527 | 2N7002 | 0.2W di potenza MOSFET, Vdss 60V, 0.115A Id, 7.5Om Rds | SemiWell Semiconductor |
| 49528 | 2N7002(Z) | MOSFET 60V SOT23 N-CHANNEL AUMENTO MODE | Diodes |
| 49529 | 2N7002-01 | TRANSISTORE di EFFETTO di CAMPO di MODO di AUMENTO Della N-scanalatura | Diodes |
| 49530 | 2N7002-13-F | MOSFET N-CHANNEL AUMENTO MODE | Diodes |
| 49531 | 2N7002-7-02 | MOSFET N-CHANNEL AUMENTO MODE | Diodes |
| 49532 | 2N7002-7-F | MOSFET N-CHANNEL AUMENTO MODE | Diodes |
| 49533 | 2N7002-G | MOSFET, V DS = 60V, mi d = 0,25, P D = 350mW | Comchip Technology |
| 49534 | 2N7002-HF | Halogen Free MOSFET, V DS = 60V, mi d = 0,25, P D = 350mW | Comchip Technology |
| 49535 | 2N7002A | MOSFET N-CHANNEL AUMENTO MODE | Diodes |
| 49536 | 2N7002A-7 | MOSFET N-CHANNEL AUMENTO MODE | Diodes |
| 49537 | 2N7002AQ | MOSFET N-CHANNEL AUMENTO MODE | Diodes |
| 49538 | 2N7002AX | MOSFET N-CHANNEL AUMENTO MODE | Diodes |
| 49539 | 2N7002BK | 60 V, 350 mA MOSFET a canale N Trench | NXP Semiconductors |
| 49540 | 2N7002BKM | 60 V, 450 mA MOSFET a canale N Trench | NXP Semiconductors |
| 49541 | 2N7002BKMB | 60 V, MOSFET singolo Trench a canale N | NXP Semiconductors |
| 49542 | 2N7002BKS | 60 V, 300 mA MOSFET dual Trench N-channel | NXP Semiconductors |
| 49543 | 2N7002BKT | 60 V, 290 mA MOSFET a canale N Trench | NXP Semiconductors |
| 49544 | 2N7002BKV | 60 V, 340 mA MOSFET dual Trench N-channel | NXP Semiconductors |
| 49545 | 2N7002BKW | 60 V, 310 mA MOSFET a canale N Trench | NXP Semiconductors |
| 49546 | 2N7002CK | 60 V, 0,3 A Trench MOSFET a canale N | NXP Semiconductors |
| 49547 | 2N7002CSM | TRANSISTORE del MOS di MODO di AUMENTO Della N-scanalatura | SemeLAB |
| 49548 | 2N7002DW | MOSFETS | Diodes |
| 49549 | 2N7002DW | N-Channel Modo Di Aumento Field Effect Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 49550 | 2N7002DW-7-F | MOSFET Dual N-CHANNEL AUMENTO MODE | Diodes |
| 49551 | 2N7002DWA | MOSFET Dual N-CHANNEL AUMENTO MODE | Diodes |
| 49552 | 2N7002DWA-13 | MOSFET Dual N-CHANNEL AUMENTO MODE | Diodes |
| 49553 | 2N7002DWA-7 | MOSFET Dual N-CHANNEL AUMENTO MODE | Diodes |
| 49554 | 2N7002E | Fet Del Livello Di Logica Di TrenchMOS(tm) | Philips |
| 49555 | 2N7002E | Mosfet Della N-Scanalatura 60-V | Vishay |
| 49556 | 2N7002E | MOSFETS | Diodes |
| 49557 | 2N7002E | MOSFET Small Signal 60V 310mA 2,5 Ohm Single N-Channel SOT-23 | ON Semiconductor |
| 49558 | 2N7002E | N-channel livello logico TrenchMOS FET | NXP Semiconductors |
| 49559 | 2N7002E | 60V; 0.25A; N-channel mode enchanced transistor ad effetto di campo | SamHop Microelectronics Corp. |
| 49560 | 2N7002E | Piccoli MOSFET di segnale | Panasonic |
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