No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
505801 | HSH1000NEO | Lampade per photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
505802 | HSH1000UEO | Lampade per photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
505803 | HSH1002CEO | Lampade per photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
505804 | HSH1002GEO | Lampade per photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
505805 | HSH1002NEO | Lampade per photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
505806 | HSH1002NILO | Lampade per photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
505807 | HSH1002UEO | Lampade per photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
505808 | HSH1003GILO | Lampade per photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
505809 | HSH1003GILOS | Lampade per photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
505810 | HSH1500CIEO | Lampade per photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
505811 | HSH1500KS | Lampade per photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
505812 | HSH1500PIEO | Lampade per photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
505813 | HSH1500PILO | Lampade per photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
505814 | HSH2000NIEO | Lampade per photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
505815 | HSH2001CIEO | Lampade per photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
505816 | HSH2001NIELO | Lampade per photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
505817 | HSH2001NIEO | Lampade per photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
505818 | HSH2002NIEO | Lampade per photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
505819 | HSH2011NIEO | Lampade per photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
505820 | HSH2501NIL0 | Lampade per photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
505821 | HSH2501NILO | Lampada per fotolitografia. Potenza 2500 watt, 109 ampere di corrente (DC), tensione di 23 volt (DC). Temperatura (alla base) 220degC (max). | PerkinElmer Optoelectronics |
505822 | HSH2510NIL0 | Lampade per photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
505823 | HSH2510NILO | Lampada per fotolitografia. Potenza 2500 watt, 109 ampere di corrente (DC), tensione di 23 volt (DC). Temperatura (alla base) 220degC (max). | PerkinElmer Optoelectronics |
505824 | HSH3500PILO | Lampade per photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
505825 | HSH3501PILO | Lampade per photolithography | PerkinElmer Optoelectronics |
505826 | HSI2CMOD | Corredo di valutazione per il HS I | MAXIM - Dallas Semiconductor |
505827 | HSK1118 | Tipo del MOS Della Manica Del Silicone N | Hi-Sincerity Microelectronics |
505828 | HSK120 | Piccolo Diodo di segnalazione | Hitachi Semiconductor |
505829 | HSK120 | Diodes>Switching | Renesas |
505830 | HSK122 | Piccolo Diodo di segnalazione | Hitachi Semiconductor |
505831 | HSK122 | Diodes>Switching | Renesas |
505832 | HSK2474I | MOSFETs Della N-Scanalatura | Hi-Sincerity Microelectronics |
505833 | HSK2474J | MOSFETs Della N-Scanalatura | Hi-Sincerity Microelectronics |
505834 | HSK83 | Piccolo Diodo di segnalazione | Hitachi Semiconductor |
505835 | HSK83 | Diodes>Switching | Renesas |
505836 | HSL226 | Diodes>Switching | Renesas |
505837 | HSL278 | Diodes>Switching | Renesas |
505838 | HSM101 | RADDRIZZATORE AL SILICIO PASSIVATO VETRO DI SUPERFICIE di ALTA EFFICIENZA del SUPPORTO (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 50 - 600 volt 1,0 ampčre) | Rectron Semiconductor |
505839 | HSM101 | CARATTERISTICHE TECNICHE DEL RADDRIZZATORE DI SUPERFICIE DI ALTA EFFICIENZA DEL SUPPORTO | DC Components |
505840 | HSM102 | RADDRIZZATORE AL SILICIO PASSIVATO VETRO DI SUPERFICIE di ALTA EFFICIENZA del SUPPORTO (di TENSIONE di CORRENTE delle GAMME 50 - 600 volt 1,0 ampčre) | Rectron Semiconductor |
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