No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
56001 | 2SC5186-T1 | IL TRANSISTORE EPITASSIALE del SILICONE di NPN In ULTRA ECCELLENTE Mini-modella il PACCHETTO PER L'CAmplificazione di MICROONDA A basso rumore | NEC |
56002 | 2SC5190 | Dispositivo small-signal - transistore small-signal - ad alta frequenza per i sintonizzatori | Panasonic |
56003 | 2SC5191 | TRANSISTORE EPITASSIALE PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DI MICROONDA DEL SILICONE BASSO DELL'CAmplificatore NPN | NEC |
56004 | 2SC5191-T1 | TRANSISTORE EPITASSIALE PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DI MICROONDA DEL SILICONE BASSO DELL'CAmplificatore NPN | NEC |
56005 | 2SC5191-T2 | TRANSISTORE EPITASSIALE PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DI MICROONDA DEL SILICONE BASSO DELL'CAmplificatore NPN | NEC |
56006 | 2SC5192 | MUFFA PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DI MICROONDA MINI DELL'CAmplificatore NPN DEL SILICONE DEI PERNI EPITASSIALI BASSI DEL TRANSISTORE 4 | NEC |
56007 | 2SC5192-T1 | MUFFA PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DI MICROONDA MINI DELL'CAmplificatore NPN DEL SILICONE DEI PERNI EPITASSIALI BASSI DEL TRANSISTORE 4 | NEC |
56008 | 2SC5192-T2 | MUFFA PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DI MICROONDA MINI DELL'CAmplificatore NPN DEL SILICONE DEI PERNI EPITASSIALI BASSI DEL TRANSISTORE 4 | NEC |
56009 | 2SC5192R | Azionamento a bassa tensione, il transistore ad alta frequenza | NEC |
56010 | 2SC5192R-T1 | Azionamento a bassa tensione, il transistore ad alta frequenza | NEC |
56011 | 2SC5192R-T2 | Azionamento a bassa tensione, il transistore ad alta frequenza | NEC |
56012 | 2SC5193 | MUFFA PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DI MICROONDA MINI DELL'CAmplificatore NPN DEL SILICONE DEL COMPATTO EPITASSIALE BASSO DEL TRANSISTORE | NEC |
56013 | 2SC5193-T1 | MUFFA PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DI MICROONDA MINI DELL'CAmplificatore NPN DEL SILICONE DEL COMPATTO EPITASSIALE BASSO DEL TRANSISTORE | NEC |
56014 | 2SC5193-T2 | MUFFA PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DI MICROONDA MINI DELL'CAmplificatore NPN DEL SILICONE DEL COMPATTO EPITASSIALE BASSO DEL TRANSISTORE | NEC |
56015 | 2SC5194 | TRANSISTORE EPITASSIALE PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DI MICROONDA DEL SILICONE BASSO DELL'CAmplificatore NPN | NEC |
56016 | 2SC5194-T1 | TRANSISTORE EPITASSIALE PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DI MICROONDA DEL SILICONE BASSO DELL'CAmplificatore NPN | NEC |
56017 | 2SC5194-T2 | TRANSISTORE EPITASSIALE PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DI MICROONDA DEL SILICONE BASSO DELL'CAmplificatore NPN | NEC |
56018 | 2SC5195 | TRANSISTORE EPITASSIALE PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DI MICROONDA DEL SILICONE BASSO DELL'CAmplificatore NPN | NEC |
56019 | 2SC5195-T1 | TRANSISTORE EPITASSIALE PER LA MISURAZIONE DEL RUMORE DI MICROONDA DEL SILICONE BASSO DELL'CAmplificatore NPN | NEC |
56020 | 2SC5196 | TIPO DIFFUSO TRIPLICE DEL SILICONE NPN DEL TRANSISTORE. APPLICAZIONI DELL'CAmplificatore DI ALIMENTAZIONE | TOSHIBA |
56021 | 2SC5196 | CC PLANARE DELL'CAmplificatore DI ALIMENTAZIONE DEL SILICONE TRANSISTOR(audio DI NPN AL CONVERTITORE DI CC) | Wing Shing Computer Components |
56022 | 2SC5197 | APPLICAZIONI DIFFUSE TRIPLICI DELL'CAmplificatore DI ALIMENTAZIONE DEL TIPO DEL SILICONE NPN DEL TRANSISTORE | TOSHIBA |
56023 | 2SC5198 | APPLICAZIONI DIFFUSE TRIPLICI DELL'CAmplificatore DI ALIMENTAZIONE DEL TIPO DEL SILICONE NPN DEL TRANSISTORE | TOSHIBA |
56024 | 2SC5199 | APPLICAZIONI DIFFUSE TRIPLICI DELL'CAmplificatore DI ALIMENTAZIONE DEL TIPO DEL SILICONE NPN DEL TRANSISTORE | TOSHIBA |
56025 | 2SC5200 | APPLICAZIONI DIFFUSE TRIPLICI DELL'CAmplificatore DI ALIMENTAZIONE DEL TIPO DEL SILICONE NPN DEL TRANSISTORE | TOSHIBA |
56026 | 2SC5200 | NPN epitassiale del silicone del transistore | Fairchild Semiconductor |
56027 | 2SC5200N | Transistore di potenza per applicazioni di commutazione ad alta velocitŕ | TOSHIBA |
56028 | 2SC5201 | TIPO DIFFUSO TRIPLICE DI MESA DEL SILICONE NPN DEL TRANSISTORE. APPLICAZIONI AD ALTA TENSIONE DI COMMUTAZIONE. | TOSHIBA |
56029 | 2SC5207A | PLANARE DIFFUSO TRIPLICE DEL SILICONE NPN | Hitachi Semiconductor |
56030 | 2SC5209 | PER IL TIPO EPITASSIALE DEL SILICONE NPN DI APPLICAZIONE DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DELL'AZIONAMENTO DEL RELČ | Isahaya Electronics Corporation |
56031 | 2SC5209 | PER IL TIPO EPITASSIALE DEL SILICONE NPN DI APPLICAZIONE DEL GRUPPO DI ALIMENTAZIONE DELL'AZIONAMENTO DEL RELČ | Isahaya Electronics Corporation |
56032 | 2SC5210 | Transistor 500mW SMD NPN, massima valutazione: 250V Vceo, 100mA Ic, 55-230 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
56033 | 2SC5211 | SILICONE NPN TRANSISOR | Isahaya Electronics Corporation |
56034 | 2SC5211 | SILICONE NPN TRANSISOR | Isahaya Electronics Corporation |
56035 | 2SC5212 | PER IL TIPO EPITASSIALE SU CORRENTE DEL SILICONE NP DI APPLICAZIONE DELL'AZIONAMENTO | Isahaya Electronics Corporation |
56036 | 2SC5212 | PER IL TIPO EPITASSIALE SU CORRENTE DEL SILICONE NP DI APPLICAZIONE DELL'AZIONAMENTO | Isahaya Electronics Corporation |
56037 | 2SC5213 | 2SC5213 | Isahaya Electronics Corporation |
56038 | 2SC5213 | 2SC5213 | Isahaya Electronics Corporation |
56039 | 2SC5214 | Per A bassa frequenza Amplifichi Il Tipo Epitassiale DiNpn Del Silicone Di Applicazione | Isahaya Electronics Corporation |
56040 | 2SC5214 | Per A bassa frequenza Amplifichi Il Tipo Epitassiale DiNpn Del Silicone Di Applicazione | Isahaya Electronics Corporation |
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