| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 567481 | IRF1405PBF | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 567482 | IRF1405S | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567483 | IRF1405STRL | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567484 | IRF1405STRR | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567485 | IRF1405Z | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 567486 | IRF1405ZL | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
| 567487 | IRF1405ZS | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567488 | IRF1407 | 75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 567489 | IRF1407L | 75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
| 567490 | IRF1407S | 75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567491 | IRF140SMD | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | SemeLAB |
| 567492 | IRF141 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567493 | IRF141 | MOSFET di potenza a canale N, 27 A, 60V. | Fairchild Semiconductor |
| 567494 | IRF141 | 28A e 25A, 80V e 100V, 0,077 e 0,100 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 567495 | IRF142 | Alimentazione A MOSFETs/27/60-100V Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567496 | IRF142 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567497 | IRF142 | 28A e 25A, 80V e 100V, 0,077 e 0,100 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 567498 | IRF143 | Alimentazione A MOSFETs/27/60-100V Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567499 | IRF143 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567500 | IRF143 | 28A e 25A, 80V e 100V, 0,077 e 0,100 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 567501 | IRF150 | 100V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âe | International Rectifier |
| 567502 | IRF150 | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | SemeLAB |
| 567503 | IRF150 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/40/60 V/100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567504 | IRF150 | Mosfet Di Alimentazione 100V/Di 40A/0,055 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567505 | IRF150 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567506 | IRF150 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 40A. | General Electric Solid State |
| 567507 | IRF150-153 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/40/60 V/100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567508 | IRF1503 | 30V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 567509 | IRF1503L | 30V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
| 567510 | IRF1503S | 30V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567511 | IRF150SMD | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | SemeLAB |
| 567512 | IRF151 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/40/60 V/100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567513 | IRF151 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567514 | IRF151 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 40A. | General Electric Solid State |
| 567515 | IRF151 | 33A e 40A, 60V e 100V, 0,055 e 0,08 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 567516 | IRF152 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/40/60 V/100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567517 | IRF152 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567518 | IRF152 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 33A. | General Electric Solid State |
| 567519 | IRF152 | 33A e 40A, 60V e 100V, 0,055 e 0,08 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 567520 | IRF153 | Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/40/60 V/100 V | Fairchild Semiconductor |
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