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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
567521IRF153MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalaturaSamsung Electronic
567522IRF153Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 33A.General Electric Solid State
567523IRF15333A e 40A, 60V e 100V, 0,055 e 0,08 Ohm, N-Channel Power MOSFETIntersil
567524IRF160775V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220abInternational Rectifier
567525IRF1704Alimentazione MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A.?/td >
6311IRF2907ZS-7PPBFInternational Rectifier
567526IRF1704Alimentazione MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A.?/td >
6311IRF2907ZS-7PPBFInternational Rectifier
567527IRF1730GAlimentazione MOSFET(Vdss=400V/Rds(on)=1.0ohm/Id=3.7A)International Rectifier
567528IRF190220V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8International Rectifier
567529IRF1902TR20V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8International Rectifier
567530IRF20050W ALLUMINIO PIANO dei RESISTORI della FERITA del LEGARE di ALTA ALIMENTAZIONE 500W al A FORMA DI HA ALLOGGIATOetc
567531IRF20050W ALLUMINIO PIANO dei RESISTORI della FERITA del LEGARE di ALTA ALIMENTAZIONE 500W al A FORMA DI HA ALLOGGIATOetc
567532IRF200S100RJ50W ALLUMINIO PIANO dei RESISTORI della FERITA del LEGARE di ALTA ALIMENTAZIONE 500W al A FORMA DI HA ALLOGGIATOetc
567533IRF200S100RJ50W ALLUMINIO PIANO dei RESISTORI della FERITA del LEGARE di ALTA ALIMENTAZIONE 500W al A FORMA DI HA ALLOGGIATOetc
567534IRF220MOSFETs/7A/150-200V Di Alimentazione Della N-ScanalaturaFairchild Semiconductor
567535IRF2204.0A e 5.0A/150V e 200V/mOSFETs di alimentazione 0,8 e 1,2 Ohm/N-ScanalaturaIntersil
567536IRF220MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalaturaSamsung Electronic
567537IRF220Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 5.0A.General Electric Solid State
567538IRF220-223MOSFETs/7A/150-200V Di Alimentazione Della N-ScanalaturaFairchild Semiconductor



567539IRF220440V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220abInternational Rectifier
567540IRF2204L40V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262International Rectifier
567541IRF2204S40V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-PakInternational Rectifier
567542IRF221MOSFETs/7A/150-200V Di Alimentazione Della N-ScanalaturaFairchild Semiconductor
567543IRF2214.0A e 5.0A/150V e 200V/mOSFETs di alimentazione 0,8 e 1,2 Ohm/N-ScanalaturaIntersil
567544IRF221MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalaturaSamsung Electronic
567545IRF221Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 5.0A.General Electric Solid State
567546IRF222MOSFETs/7A/150-200V Di Alimentazione Della N-ScanalaturaFairchild Semiconductor
567547IRF2224.0A e 5.0A/150V e 200V/mOSFETs di alimentazione 0,8 e 1,2 Ohm/N-ScanalaturaIntersil
567548IRF222MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalaturaSamsung Electronic
567549IRF222Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.0A.General Electric Solid State
567550IRF223MOSFETs/7A/150-200V Di Alimentazione Della N-ScanalaturaFairchild Semiconductor
567551IRF2234.0A e 5.0A/150V e 200V/mOSFETs di alimentazione 0,8 e 1,2 Ohm/N-ScanalaturaIntersil
567552IRF223MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalaturaSamsung Electronic
567553IRF223Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.0A.General Electric Solid State
567554IRF224(IRF225) Transistori di HEXFETInternational Rectifier
567555IRF230200V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20āaInternational Rectifier
567556IRF230Mosfet AD ALTA TENSIONE di ALIMENTAZIONE di MODO di AUMENTO Della N-scanalaturaSemeLAB
567557IRF230MOSFETs/1Ą/150-200 V Di Alimentazione Della N-ScanalaturaFairchild Semiconductor
567558IRF2308.0A e 9.0A/150V e 200V/mOSFETs di alimentazione 0,4 e 0,6 Ohm/N-ScanalaturaIntersil
567559IRF230MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalaturaSamsung Electronic
567560IRF230Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 9.0A.General Electric Solid State
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