No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
567521 | IRF153 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
567522 | IRF153 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 33A. | General Electric Solid State |
567523 | IRF153 | 33A e 40A, 60V e 100V, 0,055 e 0,08 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
567524 | IRF1607 | 75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
567525 | IRF1704 | Alimentazione MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A.?/td > |
6311 | IRF2907ZS-7PPBF | International Rectifier |
567526 | IRF1704 | Alimentazione MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A.?/td > |
6311 | IRF2907ZS-7PPBF | International Rectifier |
567527 | IRF1730G | Alimentazione MOSFET(Vdss=400V/Rds(on)=1.0ohm/Id=3.7A) | International Rectifier |
567528 | IRF1902 | 20V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8 | International Rectifier |
567529 | IRF1902TR | 20V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8 | International Rectifier |
567530 | IRF200 | 50W ALLUMINIO PIANO dei RESISTORI della FERITA del LEGARE di ALTA ALIMENTAZIONE 500W al A FORMA DI HA ALLOGGIATO | etc |
567531 | IRF200 | 50W ALLUMINIO PIANO dei RESISTORI della FERITA del LEGARE di ALTA ALIMENTAZIONE 500W al A FORMA DI HA ALLOGGIATO | etc |
567532 | IRF200S100RJ | 50W ALLUMINIO PIANO dei RESISTORI della FERITA del LEGARE di ALTA ALIMENTAZIONE 500W al A FORMA DI HA ALLOGGIATO | etc |
567533 | IRF200S100RJ | 50W ALLUMINIO PIANO dei RESISTORI della FERITA del LEGARE di ALTA ALIMENTAZIONE 500W al A FORMA DI HA ALLOGGIATO | etc |
567534 | IRF220 | MOSFETs/7A/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
567535 | IRF220 | 4.0A e 5.0A/150V e 200V/mOSFETs di alimentazione 0,8 e 1,2 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
567536 | IRF220 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
567537 | IRF220 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
567538 | IRF220-223 | MOSFETs/7A/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
567539 | IRF2204 | 40V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
567540 | IRF2204L | 40V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
567541 | IRF2204S | 40V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567542 | IRF221 | MOSFETs/7A/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
567543 | IRF221 | 4.0A e 5.0A/150V e 200V/mOSFETs di alimentazione 0,8 e 1,2 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
567544 | IRF221 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
567545 | IRF221 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
567546 | IRF222 | MOSFETs/7A/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
567547 | IRF222 | 4.0A e 5.0A/150V e 200V/mOSFETs di alimentazione 0,8 e 1,2 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
567548 | IRF222 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
567549 | IRF222 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
567550 | IRF223 | MOSFETs/7A/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
567551 | IRF223 | 4.0A e 5.0A/150V e 200V/mOSFETs di alimentazione 0,8 e 1,2 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
567552 | IRF223 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
567553 | IRF223 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
567554 | IRF224 | (IRF225) Transistori di HEXFET | International Rectifier |
567555 | IRF230 | 200V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20āa | International Rectifier |
567556 | IRF230 | Mosfet AD ALTA TENSIONE di ALIMENTAZIONE di MODO di AUMENTO Della N-scanalatura | SemeLAB |
567557 | IRF230 | MOSFETs/1Ą/150-200 V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
567558 | IRF230 | 8.0A e 9.0A/150V e 200V/mOSFETs di alimentazione 0,4 e 0,6 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
567559 | IRF230 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
567560 | IRF230 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitą ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 9.0A. | General Electric Solid State |
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