| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 567561 | IRF230-233 | MOSFETs/1À/150-200 V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567562 | IRF231 | MOSFETs/1À/150-200 V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567563 | IRF231 | 8.0A e 9.0A/150V e 200V/mOSFETs di alimentazione 0,4 e 0,6 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567564 | IRF231 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567565 | IRF231 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 9.0A. | General Electric Solid State |
| 567566 | IRF232 | MOSFETs/1À/150-200 V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567567 | IRF232 | 8.0A e 9.0A/150V e 200V/mOSFETs di alimentazione 0,4 e 0,6 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567568 | IRF232 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567569 | IRF232 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
| 567570 | IRF233 | MOSFETs/1À/150-200 V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567571 | IRF233 | 8.0A e 9.0A/150V e 200V/mOSFETs di alimentazione 0,4 e 0,6 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567572 | IRF233 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567573 | IRF233 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
| 567574 | IRF234 | 8.1A e 6.Ä/275V e 250V/mOSFETs di alimentazione 0,45 e 0,68 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567575 | IRF235 | 8.1A e 6.Ä/275V e 250V/mOSFETs di alimentazione 0,45 e 0,68 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567576 | IRF236 | 8.1A e 6.Ä/275V e 250V/mOSFETs di alimentazione 0,45 e 0,68 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567577 | IRF237 | 8.1A e 6.Ä/275V e 250V/mOSFETs di alimentazione 0,45 e 0,68 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567578 | IRF240 | 200V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âe | International Rectifier |
| 567579 | IRF240 | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura PER LE APPLICAZIONI di HI.rel | SemeLAB |
| 567580 | IRF240 | MOSFETs/1Å/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567581 | IRF240 | Mosfet Di Alimentazione 200V/Di 1Å/0,180 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567582 | IRF240 | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567583 | IRF240-243 | MOSFETs/1Å/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567584 | IRF240SMD | MOSFET DI ALIMENTAZIONE DI N.channel | SemeLAB |
| 567585 | IRF241 | MOSFETs/1Å/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567586 | IRF241 | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567587 | IRF241 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 18A. | General Electric Solid State |
| 567588 | IRF241 | 16A e 18A, 200V e 150V, 0,18 e 0,22 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 567589 | IRF242 | MOSFETs/1Å/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567590 | IRF242 | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567591 | IRF242 | 16A e 18A, 200V e 150V, 0,18 e 0,22 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 567592 | IRF243 | MOSFETs/1Å/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567593 | IRF243 | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567594 | IRF243 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 16A. | General Electric Solid State |
| 567595 | IRF243 | 16A e 18A, 200V e 150V, 0,18 e 0,22 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 567596 | IRF244 | 1Â e 1Á/275V e 250V/mOSFETs di alimentazione 0,28 e 0,34 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567597 | IRF245 | 1Â e 1Á/275V e 250V/mOSFETs di alimentazione 0,28 e 0,34 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567598 | IRF246 | 1Â e 1Á/275V e 250V/mOSFETs di alimentazione 0,28 e 0,34 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567599 | IRF247 | 1Â e 1Á/275V e 250V/mOSFETs di alimentazione 0,28 e 0,34 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567600 | IRF250 | 200V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âe | International Rectifier |
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