| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 567681 | IRF330-333 | MOSFETs/5.Ä/350 V/400v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567682 | IRF3305 | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 567683 | IRF331 | MOSFETs/5.Ä/350 V/400v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567684 | IRF331 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567685 | IRF331 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 350V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 5.5A. | General Electric Solid State |
| 567686 | IRF331 | 4.5A e 5.5A, 350V e 400V, 1.0 e 1.5 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 567687 | IRF3315 | 150V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 567688 | IRF3315L | 150V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
| 567689 | IRF3315PBF | 150V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 567690 | IRF3315S | 150V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567691 | IRF3315STRL | 150V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567692 | IRF3315STRR | 150V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567693 | IRF332 | MOSFETs/5.Ä/350 V/400v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567694 | IRF332 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567695 | IRF332 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 400V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 567696 | IRF332 | 4.5A e 5.5A, 350V e 400V, 1.0 e 1.5 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 567697 | IRF333 | MOSFETs/5.Ä/350 V/400v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567698 | IRF333 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567699 | IRF333 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 350V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 567700 | IRF333 | 4.5A e 5.5A, 350V e 400V, 1.0 e 1.5 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 567701 | IRF340 | 400V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âa | International Rectifier |
| 567702 | IRF340 | MOSFETs/10A/350V/400v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567703 | IRF340 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567704 | IRF340 | 10A e 8.3A, 400V e 350V, 0,55 e 0,80 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 567705 | IRF340-343 | MOSFETs/10A/350V/400v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567706 | IRF341 | MOSFETs/10A/350V/400v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567707 | IRF341 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567708 | IRF3415 | 150V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 567709 | IRF3415L | 150V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
| 567710 | IRF3415LPBF | 150V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
| 567711 | IRF3415PBF | 150V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 567712 | IRF3415S | 150V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567713 | IRF3415SPBF | 150V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567714 | IRF3415STRL | 150V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567715 | IRF3415STRR | 150V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567716 | IRF341IRF342 | 10A e 8.3A, 400V e 350V, 0,55 e 0,80 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 567717 | IRF342 | MOSFETs/10A/350V/400v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567718 | IRF342 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567719 | IRF343 | MOSFETs/10A/350V/400v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567720 | IRF343 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
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