| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 568201 | IRF623 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 568202 | IRF624 | 250V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 568203 | IRF624 | Mosfet Della N-Scanalatura 250V | Fairchild Semiconductor |
| 568204 | IRF624B | Mosfet Della N-Scanalatura 250V | Fairchild Semiconductor |
| 568205 | IRF624B_FP001 | B-b-fet della N-Scanalatura 250V/sostituto di IRF624 & di IRF62Â | Fairchild Semiconductor |
| 568206 | IRF624S | 250V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568207 | IRF624STRL | 250V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568208 | IRF624STRR | 250V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568209 | IRF630 | transistore di TrenchMOS(tm) della N-scanalatura | Philips |
| 568210 | IRF630 | 9A, 200V, 0,400 Ohm, MOSFETs Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 568211 | IRF630 | N-scanalatura 200V - 0,35 OHM - 9A - Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA Di To-220/to220-fp | ST Microelectronics |
| 568212 | IRF630 | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 568213 | IRF630 | N - MANICA 200V - 0.35W - 9A - Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA Di To-220/fp | SGS Thomson Microelectronics |
| 568214 | IRF630 | N-scanalatura 200V - 0,35 OHM - 9A - Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA Di To-220/to220-fp | SGS Thomson Microelectronics |
| 568215 | IRF630 | MOSFETs Di Alimentazione 200V/Di 9A/0,400 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 568216 | IRF630 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 9.0A. | General Electric Solid State |
| 568217 | IRF630A | Mosfet Avanzato Di Alimentazione | Fairchild Semiconductor |
| 568218 | IRF630B | Mosfet Della N-Scanalatura 200V | Fairchild Semiconductor |
| 568219 | IRF630BTSTU_FP001 | B-b-fet della N-Scanalatura 200V/sostituto di IRF630 & di IRF630A | Fairchild Semiconductor |
| 568220 | IRF630B_FP001 | B-b-fet della N-Scanalatura 200V/sostituto di IRF630 & di IRF630A | Fairchild Semiconductor |
| 568221 | IRF630FP | N-scanalatura 200V - 0,35 OHM - 9A - Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA Di To-220/to220-fp | ST Microelectronics |
| 568222 | IRF630FP | N - MANICA 200V - 0.35W - 9A - Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA Di To-220/fp | SGS Thomson Microelectronics |
| 568223 | IRF630FP | N-scanalatura 200V - 0,35 OHM - 9A - Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA Di To-220/to220-fp | SGS Thomson Microelectronics |
| 568224 | IRF630M | Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA di OHM 9A To-220/to-220fp Della N-scanalatura 200V 0,35 | ST Microelectronics |
| 568225 | IRF630M | Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA di OHM 9A To-220/to-220fp Della N-scanalatura 200V 0,35 | SGS Thomson Microelectronics |
| 568226 | IRF630MFP | Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA di OHM 9A To-220/to-220fp Della N-scanalatura 200V 0,35 | ST Microelectronics |
| 568227 | IRF630MFP | Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA di OHM 9A To-220/to-220fp Della N-scanalatura 200V 0,35 | SGS Thomson Microelectronics |
| 568228 | IRF630N | MOSFETs 200V, 9.Á, Di 0,30Ohm Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 568229 | IRF630N | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 568230 | IRF630NL | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
| 568231 | IRF630NLPBF | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
| 568232 | IRF630NPBF | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 568233 | IRF630NS | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568234 | IRF630NSPBF | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568235 | IRF630NSTRL | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568236 | IRF630NSTRR | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568237 | IRF630S | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568238 | IRF630S | N - MANICA 200V - Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA Da 0,35 Ohm -9a-d 2 PAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 568239 | IRF630S | transistore di TrenchMOS della N-scanalatura | Philips |
| 568240 | IRF630S | N - MANICA 200V - 0.3öhm - 9A - Mosfet Della SOVVRAPPOSIZIONE Della MAGLIA Di D2PAK ] | ST Microelectronics |
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